半導(dǎo)體材料從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,它具有較大的非線性吸收和三階非線性極化率,而低維半導(dǎo)體材料（量子點(diǎn)、量子線、量子阱）在近年來(lái)也得到了廣泛的關(guān)注、研究及應(yīng)用。在實(shí)際應(yīng)用中已經(jīng)研制出了半導(dǎo)體激光器、量子線晶體管、制備太陽(yáng)能電池或者微腔激光器等。由于半導(dǎo)體材料隨著尺寸的減小其性能發(fā)生與體相結(jié)構(gòu)本質(zhì)的改變,為此研究半導(dǎo)體材料的相關(guān)光學(xué)性質(zhì)是十分有必要的。CdSeS半導(dǎo)體材料不僅屬于低維半導(dǎo)體材料,而且是多原子分子的半導(dǎo)體。由于組分的不同也會(huì)使在材料在電學(xué)、光學(xué)等方面發(fā)生本質(zhì)的改變。近年來(lái),國(guó)內(nèi)外對(duì)CdSeS量子點(diǎn)的合成、表征以及發(fā)光特性、組分的確定等有較多的實(shí)驗(yàn)研究,然而對(duì)CdSeS的光學(xué)計(jì)算的報(bào)道以及結(jié)合電子結(jié)構(gòu)對(duì)CdSeS的光學(xué)性質(zhì)分析卻報(bào)道不足。因此研究這些微觀機(jī)理對(duì)CdSeS的宏觀光學(xué)性質(zhì)的理解是十分有必要的。本文主要研究CdSeS中當(dāng)原子Se和S比例發(fā)生改變時(shí),電子結(jié)構(gòu)和相關(guān)的光學(xué)性質(zhì)。主要工作如下:1.研究不同組分的CdSeS晶體電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理。首先確定其理論模型,按照不同組分進(jìn)行模型的優(yōu)化,本文利用基于密度泛函贗勢(shì)平面波的方法對(duì)不同組分的CdSeS的電... 

【文章頁(yè)數(shù)】：46 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
1 緒論
    1.1 半導(dǎo)體材料的介紹
    1.2 低維半導(dǎo)體材料
    1.3 CdSeS發(fā)展的背景
    1.4 本文研究的內(nèi)容和意義
    1.5 小結(jié)
2 計(jì)算原理和方法
    2.1 引言
    2.2 Hartree-fock近似
    2.3 密度泛函理論（DFT）
        2.3.1 局域密度泛函近似（LDA）
        2.3.2 廣義梯度近似（GGA）
    2.4 小結(jié)
3 CdSe_XS_(1-X)晶體電子結(jié)構(gòu)及特性分析
    3.1 引言
    3.2 理論模型的建立
    3.3 電子態(tài)密度分析
    3.4 光學(xué)性質(zhì)
        3.4.1 CdSe_XS_(1-X)晶體復(fù)介電函數(shù)和復(fù)折射率的分析
        3.4.2 CdSe_XS_(1-X)晶體反射率和吸收譜的分析
            3.4.2.1 反射率
            3.4.2.2 吸收譜
        3.4.3 CdSe_XS_(1-X)晶體光電導(dǎo)率和能量損失的分析
            3.4.3.1 光電導(dǎo)率
            3.4.3.2 能量損失函數(shù)
    3.5 小結(jié)
4 (CdSe_XS_(1-X))_n n=4 團(tuán)簇電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的研究
    4.1 引言
    4.2 計(jì)算方法及步驟
    4.3 計(jì)算結(jié)果及分析
        4.3.1 團(tuán)簇結(jié)構(gòu)、能量分析
        4.3.2 (CdSe_XS_(1-X))_4團(tuán)簇的電子密度
        4.3.3 團(tuán)簇的熱力學(xué)性質(zhì)
        4.3.4 拉曼光譜散射
    4.4 小結(jié)
總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文情況
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[3]半導(dǎo)體器件物理參數(shù)模型研究及器件模擬[D]. 董果香.電子科技大學(xué) 2013
[4]水溶性量子點(diǎn)CdTe及CdTe/ZnSe的非線性研究[D]. 李鈺.長(zhǎng)春理工大學(xué) 2013
[5]油溶性三元合金量子點(diǎn)CdSeS的制備及其在白光發(fā)光二極管上的應(yīng)用研究[D]. 張德龍.上海交通大學(xué) 2013
[6]納米材料壓電性能的第一性原理研究[D]. 劉源.華中科技大學(xué) 2013
[7]CdSexS1-x納米晶光電性能的研究[D]. 安躍華.浙江理工大學(xué) 2013
[8]CdTe/CdS量子點(diǎn)及其復(fù)合材料的合成和性能研究[D]. 王李鋒.大連理工大學(xué) 2012
[9]CdSe量子點(diǎn)發(fā)光特性[D]. 杜凌霄.浙江大學(xué) 2012
[10]CdSeTeS四元合金量子點(diǎn)的微波輔助水相合成、光學(xué)性質(zhì)和生物應(yīng)用[D]. 楊鳳召.上海交通大學(xué) 2012



本文編號(hào)：3731587