發(fā)布時(shí)間：2023-01-15 12:23

　　利用自蔓延法進(jìn)行SiC粉料合成、物理氣相傳輸法進(jìn)行6英寸（1英寸=2.54 cm）高純半絕緣（HPSI）SiC晶體生長(zhǎng)。采用高溫下通入HCl和H2的方法,對(duì)SiC粉料合成及晶體生長(zhǎng)所使用的石墨件和石墨粉進(jìn)行前處理,該方法可有效降低系統(tǒng)中N、B和Al等雜質(zhì)的背景濃度,提高SiC晶體的電阻率。使用二次離子質(zhì)譜（SIMS）法對(duì)獲得的晶體進(jìn)行雜質(zhì)濃度檢測(cè)。檢測(cè)結(jié)果表明,N和Al的濃度均小于檢測(cè)極限(分別為1×10¹⁶和1×10¹⁴ cm^-3),B的濃度為4.24×10¹⁴ cm^-3。對(duì)晶體進(jìn)行切片和拋光后得到的晶片進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明,整個(gè)晶片所有測(cè)試點(diǎn)的電阻率均在1×10~8Ω·cm以上,微管密度小于0.2 cm^-2,X射線搖擺曲線半高寬為28 arcsec。使用該方法成功制備了6英寸高純半絕緣4H-SiC晶體。 

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 前處理對(duì)雜質(zhì)的去除作用
    2.2 前處理工藝優(yōu)化
    2.3 電阻率表征
    2.4 微管缺陷測(cè)試
    2.5 高分辨X射線搖擺曲線
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3731044