寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵（β-Ga₂O₃）具有禁帶寬度較大（4.9 eV）、理化性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)勢(shì)。近年來(lái),氧化鎵因其獨(dú)特的性質(zhì)引起了研究者的廣泛關(guān)注。目前氧化鎵材料已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于日盲紫外探測(cè)、氣體檢測(cè)以及功率器件等各種領(lǐng)域。金屬-半導(dǎo)體-金屬（MSM）結(jié)構(gòu)光電探測(cè)器具有受光面積大,制備過(guò)程簡(jiǎn)單的優(yōu)勢(shì),因此MSM結(jié)構(gòu)被廣泛應(yīng)用于紫外光電探測(cè)器中。但是目前高響應(yīng)度與高靈敏度的氧化鎵基MSM日盲紫外探測(cè)器的研制仍存在巨大挑戰(zhàn)。為了制備高性能的Ga₂O₃基日盲紫外光電探測(cè)器,本文采用兩種方法提高日盲紫外探測(cè)器的性能:首先,對(duì)Ga₂O₃薄膜進(jìn)行Sn摻雜,提高日盲紫外探測(cè)器的光電流與響應(yīng)度;其次,研制基于(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜三明治結(jié)構(gòu)的日盲紫外光電探測(cè)器,提高日盲紫外探測(cè)器的靈敏度與比探測(cè)率。具體內(nèi)容如下:（1）論文研究了基片溫度對(duì)Sn摻雜氧化鎵薄膜以及日盲紫外探測(cè)器性能的... 

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 氧化鎵材料簡(jiǎn)介
        1.2.1 氧化鎵材料結(jié)構(gòu)
        1.2.2 氧化鎵的性質(zhì)與應(yīng)用
    1.3 氧化鎵研究進(jìn)展
        1.3.1 氧化鎵薄膜的外延生長(zhǎng)與器件研制
        1.3.2 氧化鎵薄膜的摻雜與缺陷
        1.3.3 氧化鎵日盲紫外探測(cè)器
    1.4 本文的主要研究?jī)?nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)方法
    2.1 氧化鎵分子束外延設(shè)備簡(jiǎn)介
    2.2 氧化鎵薄膜表征方法簡(jiǎn)介
        2.2.1 X射線衍射測(cè)試
        2.2.2 X射線光電子能譜測(cè)試
        2.2.3 原子力顯微測(cè)試
    2.3 氧化鎵日盲紫外探測(cè)器結(jié)構(gòu)與測(cè)試方法簡(jiǎn)介
        2.3.1 日盲紫外探測(cè)器結(jié)構(gòu)
        2.3.2 日盲紫外探測(cè)器的性能參數(shù)
    2.4 本章小結(jié)
第三章 Sn摻雜Ga_2O_3薄膜制備及其MSM光電探測(cè)器研制
    3.1 Sn摻雜氧化鎵薄膜及日盲紫外探測(cè)器制備流程
    3.2 基片溫度對(duì)Sn摻雜Ga_2O_3薄膜光電探測(cè)器性能的影響
    3.3 Sn源溫度對(duì)Sn摻雜Ga_2O_3薄膜光電探測(cè)器性能的影響
    3.4 本章小結(jié)
第四章 基于(In_xGa_(1-x))_2O_3三明治結(jié)構(gòu)光電探測(cè)器研制
    4.1 三明治結(jié)構(gòu)光電探測(cè)器制備流程
    4.2 厚度對(duì)探測(cè)器性能的影響
    4.3 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)與展望
    5.1 全文總結(jié)
    5.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]超寬禁帶半導(dǎo)體材料的機(jī)遇與挑戰(zhàn)[J]. 李軍男,曲研,潘長(zhǎng)波,夏瑾,張歡,楊曉麗.  新材料產(chǎn)業(yè). 2018(09)
[2]日盲紫外探測(cè)系統(tǒng)研究[J]. 王保華,李妥妥,鄭國(guó)憲.  激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2014(02)
[3]紫外探測(cè)技術(shù)的應(yīng)用與進(jìn)展[J]. 楊杰.  光電子技術(shù). 2011(04)
[4]X射線衍射分析的實(shí)驗(yàn)方法及其應(yīng)用[J]. 胡林彥,張慶軍,沈毅.  河北理工學(xué)院學(xué)報(bào). 2004(03)

碩士論文
[1]氧化鎵MSM日盲紫外光電探測(cè)器的研制[D]. 王楊.電子科技大學(xué) 2017



本文編號(hào)：3730369