膠體量子點(diǎn)具有能帶可調(diào)、光譜半峰寬窄、發(fā)光波長(zhǎng)覆蓋廣、熒光量子產(chǎn)率高等優(yōu)異特性,在太陽(yáng)能電池、光電二極管、發(fā)光二極管和生物標(biāo)記、生物檢測(cè)中等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用�；诹孔狱c(diǎn)半導(dǎo)體材料的量子點(diǎn)發(fā)光二極管,繼承了量子點(diǎn)材料獨(dú)特的光電特性,具有高色純度、高分辨率、色域廣、發(fā)光在全波段可調(diào)等優(yōu)異性能,是繼LCD、OLED后最具潛力的顯示和照明技術(shù)。論文以提高量子點(diǎn)發(fā)光二極管發(fā)光效率為目的,分別從電子傳輸層的優(yōu)化,過(guò)渡金屬氧化物作空穴注入層,光提取技術(shù)三個(gè)方面展開了研究。論文的主要工作和創(chuàng)新如下:（1）開發(fā)了一種由氧化鋅和氧化鋅鎂納米顆粒組成的新型混合電子傳輸層,將量子點(diǎn)發(fā)光二極管的外量子效率提高到了13.5%,分別是采用純氧化鋅和摻鎂氧化鋅納米顆粒器件的1.29倍和1.33倍,亮度也增加到了22100 cd/m~2。經(jīng)測(cè)量單電子器件的電流密度-電壓關(guān)系和瞬態(tài)熒光光譜,發(fā)現(xiàn)混合型電子傳輸層的性能優(yōu)于傳統(tǒng)的氧化鋅和摻鎂氧化鋅納米顆粒層。（2）成功使用低溫溶液法制備了氧化鉬納米顆粒,并將其作為量子點(diǎn)發(fā)光二極管的空穴注入層。經(jīng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,氧化鉬薄膜在100℃的退火溫度下,表現(xiàn)出與poly-TPD相匹配... 

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 量子點(diǎn)的特性及分類
        1.1.1 量子點(diǎn)的發(fā)光原理
        1.1.2 量子點(diǎn)的發(fā)光特性
        1.1.3 量子點(diǎn)的分類
    1.2 量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)
        1.2.1 QLED的發(fā)展歷程
        1.2.2 QLED的研究現(xiàn)狀
        1.2.3 金屬氧化物在QLED中的應(yīng)用
    1.3 目前存在的問(wèn)題
    1.4 本論文的研究思路和主要內(nèi)容
        1.4.1 本論文的研究思路
        1.4.2 本論文的主要內(nèi)容
第二章 QLED的結(jié)構(gòu)、發(fā)光機(jī)理及性能表征
    2.1 QLED的發(fā)光機(jī)理
        2.1.1 QLED的基本結(jié)構(gòu)
        2.1.2 QLED發(fā)光的基本原理
        2.1.3 QLED的電荷傳輸與復(fù)合機(jī)制
    2.2 QLED載流子傳輸層材料
        2.2.1 HTL材料
        2.2.2 HIL材料
        2.2.3 ETL材料
    2.3 QLED的性能特征參數(shù)
    2.4 QLED的測(cè)試和表征方法
第三章 QLED電子傳輸層的制備及其優(yōu)化
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)
        3.2.1 主要實(shí)驗(yàn)材料
        3.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備
        3.2.3 ZnO和ZnMgO納米顆粒的合成
        3.2.4 QLED的制備
    3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        3.3.1 ZnO和ZnMgO納米顆粒的表征
        3.3.2 薄膜性能研究
        3.3.3 器件結(jié)構(gòu)示意圖
        3.3.4 QLED器件性能研究
        3.3.5 結(jié)果分析
    3.4 總結(jié)
第四章 低溫溶液法制備氧化鉬及其在QLED中的應(yīng)用
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)
        4.2.1 主要實(shí)驗(yàn)材料
        4.2.2 低溫溶液法合成氧化鉬
        4.2.3 QLED的制備
    4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        4.3.1 氧化鉬薄膜
        4.3.2 CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)
        4.3.3 氧化鉬作為空穴傳輸層的QLED器件
    4.4 總結(jié)
第五章 利用表面粗化提高QLED的提取效率
    5.1 引言
    5.2 實(shí)驗(yàn)
        5.2.0 主要實(shí)驗(yàn)材料
        5.2.1 玻璃刻蝕
        5.2.2 QLED制備
    5.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        5.3.1 對(duì)ITO玻璃基地表征
        5.3.2 QLED器件性能研究
    5.4 總結(jié)
第六章 結(jié)論及展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 展望
參考文獻(xiàn)
研究生期間所發(fā)表的論文及專利
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件[J]. Greg Moeller,Seth Coe-Sullivan,婁朝剛.  現(xiàn)代顯示. 2006(12)



本文編號(hào)：3729354