陶瓷球柵陣列（CBGA）封裝技術(shù)當(dāng)前正廣泛應(yīng)用于芯片的二級(jí)封裝,為解決封裝過(guò)程中基板與印刷電路板（PCB）之間因熱膨脹系數(shù)差異引發(fā)的熱失配等問(wèn)題,需要開(kāi)發(fā)具有高熱膨脹系數(shù)的低溫共燒陶瓷（LTCC）基板材料。鋇鋁硼硅系玻璃陶瓷具有較高的熱膨脹系數(shù)以及良好的力學(xué)、介電性能,使得其具有作為CBGA封裝材料的可能。因此,本文將其作為研究對(duì)象進(jìn)行了相關(guān)研究。本文采用傳統(tǒng)陶瓷制備工藝合成了鋇鋁硼硅系玻璃陶瓷材料,對(duì)材料的微觀形貌、晶相、熱膨脹系數(shù)、抗彎強(qiáng)度、楊氏模量、介電性能等進(jìn)行了分析。研究表明,當(dāng)增加基礎(chǔ)玻璃中SiO₂含量,樣品的抗彎強(qiáng)度及楊氏模量均直線上升,整體性能更加優(yōu)異。SiO₂含量為50wt%時(shí),抗彎強(qiáng)度、楊氏模量分別達(dá)到150MPa及66GPa,介電常數(shù)、介電損耗分別為6.0和6.2×10^-4,熱膨脹系數(shù)為13.4×10^-6/°C,綜合性能最好;當(dāng)基礎(chǔ)玻璃中Al₂O₃含量為5wt%時(shí),樣品具有最高的抗彎強(qiáng)度（171MPa）及楊氏模量（60GPa）,綜合性... 

【文章頁(yè)數(shù)】：67 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 電子封裝技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
    1.2 電子封裝材料
    1.3 CBGA封裝技術(shù)
    1.4 研究意義與內(nèi)容
        1.4.1 選題意義
        1.4.2 研究?jī)?nèi)容
第二章 鋇鋁硼硅玻璃陶瓷樣品的制備與測(cè)試
    2.1 鋇鋁硼硅玻璃陶瓷的原料
    2.2 樣品的制備工藝流程及設(shè)備
    2.3 樣品性能的分析測(cè)試
第三章 不同玻璃配比對(duì)玻璃陶瓷性能的影響
    3.1 不同SiO_2含量對(duì)鋇鋁硼硅玻璃陶瓷性能的影響
        3.1.1 樣品制備
        3.1.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析
    3.2 不同Al_2O_3含量對(duì)鋇鋁硼硅玻璃陶瓷性能的影響
        3.2.1 樣品制備
        3.2.2 結(jié)果與分析
    3.3 摻雜Y_2O_3對(duì)鋇鋁硼硅玻璃陶瓷性能的影響
        3.3.1 樣品制備
        3.3.2 結(jié)果與分析
    3.4 摻雜V_2O_5對(duì)鋇鋁硼硅玻璃陶瓷性能的影響
        3.4.1 樣品制備
        3.4.2 結(jié)果與分析
    3.5 本章小結(jié)
第四章 鋇鋁硼硅玻璃陶瓷的燒結(jié)動(dòng)力學(xué)研究
    4.1 燒結(jié)動(dòng)力學(xué)模型簡(jiǎn)介
    4.2 不同SiO_2含量玻璃陶瓷樣品的燒結(jié)激活能計(jì)算
    4.3 摻雜Y_2O_3玻璃陶瓷樣品的燒結(jié)激活能計(jì)算
    4.4 本章小結(jié)
第五章 玻璃陶瓷熱膨脹系數(shù)的理論研究
    5.1 熱膨脹系數(shù)的理論模型
        5.1.1 氧化物法
        5.1.2 晶相法
    5.2 不同SiO_2含量樣品的熱膨脹系數(shù)計(jì)算
    5.3 摻雜Y_2O_3樣品的熱膨脹系數(shù)計(jì)算
    5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]中國(guó)集成電路封裝測(cè)試業(yè)的狀況分析[J]. 王龍興.  集成電路應(yīng)用. 2017(11)
[2]后摩爾時(shí)代的3D封裝技術(shù)——高端通信網(wǎng)絡(luò)芯片對(duì)3D封裝技術(shù)的應(yīng)用驅(qū)動(dòng)[J]. 王曉明.  中興通訊技術(shù). 2016(04)
[3]電子封裝技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)[J]. 雷穎劼.  科技創(chuàng)新與應(yīng)用. 2016(07)
[4]印制電路板及電子封裝今后的技術(shù)發(fā)展[J]. 田民波.  印制電路信息. 2015(09)
[5]陶瓷外殼質(zhì)量對(duì)CBGA植球工藝質(zhì)量的影響[J]. 黃穎卓,林鵬榮,練濱浩,姚全斌,曹玉生.  電子工藝技術(shù). 2012(04)
[6]電子封裝技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)[J]. 龍樂(lè).  電子與封裝. 2012(01)
[7]電子封裝材料的研究現(xiàn)狀及發(fā)展[J]. 方明,王愛(ài)琴,謝敬佩,王文焱.  熱加工工藝. 2011(04)
[8]電子封裝材料的研究現(xiàn)狀及趨勢(shì)[J]. 湯濤,張旭,許仲梓.  南京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2010(04)
[9]電子封裝用陶瓷基片材料的研究進(jìn)展[J]. 張兆生,盧振亞,陳志武.  材料導(dǎo)報(bào). 2008(11)
[10]低溫共燒基板材料研究進(jìn)展[J]. 楊娟,堵永國(guó),張為軍,周文淵.  材料導(dǎo)報(bào). 2006(10)

博士論文
[1]中介電常數(shù)BaO-TiO2-Nb2O5體系低溫共燒微波介質(zhì)陶瓷[D]. 鄒棟.浙江大學(xué) 2009



本文編號(hào)：3729329