在太赫茲頻段,無源器件電容電感的品質(zhì)因數(shù)低、電路的寄生參數(shù)以及MOS管的截止頻率影響使太赫茲振蕩器電路難以實現(xiàn)高功率輸出。提出一種300 GHz可調(diào)諧振蕩器,首先,采用改進的交叉耦合雙推（Push-Push）振蕩器結(jié)構(gòu),通過輸出功率疊加的方法輸出二次諧波300 GHz信號,增加了振蕩器的輸出功率并突破了MOS管截止頻率,并通過增加?xùn)艠O互連電感增加輸出功率。其次,太赫茲振蕩器摒棄傳統(tǒng)片上可變電容調(diào)諧的方式,通過調(diào)節(jié)MOS管襯底電壓改變MOS管的柵極寄生電容實現(xiàn)頻率調(diào)諧,避免太赫茲頻段引入低Q值電容,進一步增加了輸出功率。提出的太赫茲振蕩器采用臺積電40 nmCMOS工藝,基波工作頻率為154.5 GHz,輸出二次諧波為309.0 GHz,輸出功率可達-3.0 dBm,相位噪聲為-79.5 dBc/Hz@1 MHz,功耗為28.6 mW,頻率調(diào)諧范圍為303.5～315.4 GHz。 

【文章頁數(shù)】：5 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]毫米波與太赫茲技術(shù)[J]. 洪偉,余超,陳繼新,郝張成.  中國科學(xué):信息科學(xué). 2016(08)
[2]基于LiNbO3光整流效應(yīng)的高峰值功率太赫茲源[J]. 鐘森城,翟召輝,朱禮國,孟坤,劉喬,彭其先,李澤仁.  太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報. 2015(02)
[3]太赫茲高速無線通信:體制、技術(shù)與驗證系統(tǒng)[J]. 張健,鄧賢進,王成,林長星,陸彬,陳琦.  太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報. 2014(01)
[4]光電導(dǎo)太赫茲源新進展[J]. 程偉,王迎新,趙自然.  激光與紅外. 2011(06)

碩士論文
[1]CMOS太赫茲可調(diào)諧信號源的設(shè)計[D]. 王科迪.東南大學(xué) 2016



本文編號：3727159