在太赫茲頻段,無源器件電容電感的品質(zhì)因數(shù)低、電路的寄生參數(shù)以及MOS管的截止頻率影響使太赫茲振蕩器電路難以實現(xiàn)高功率輸出。提出一種300 GHz可調(diào)諧振蕩器,首先,采用改進的交叉耦合雙推（Push-Push）振蕩器結(jié)構(gòu),通過輸出功率疊加的方法輸出二次諧波300 GHz信號,增加了振蕩器的輸出功率并突破了MOS管截止頻率,并通過增加柵極互連電感增加輸出功率。其次,太赫茲振蕩器摒棄傳統(tǒng)片上可變電容調(diào)諧的方式,通過調(diào)節(jié)MOS管襯底電壓改變MOS管的柵極寄生電容實現(xiàn)頻率調(diào)諧,避免太赫茲頻段引入低Q值電容,進一步增加了輸出功率。提出的太赫茲振蕩器采用臺積電40 nmCMOS工藝,基波工作頻率為154.5 GHz,輸出二次諧波為309.0 GHz,輸出功率可達-3.0 dBm,相位噪聲為-79.5 dBc/Hz@1 MHz,功耗為28.6 mW,頻率調(diào)諧范圍為303.5～315.4 GHz。 

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【參考文獻】：
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碩士論文
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本文編號：3727159