SiO 2 添加對(duì)LTCC基板致密性及共燒兼容性的影響
發(fā)布時(shí)間:2022-12-23 19:09
為解決LTCC基板與Ag共燒兼容性的問題,系統(tǒng)研究了SiO2添加對(duì)K-B-Si (KBS)玻璃+Al2O3體系LTCC基板材料燒結(jié)致密性及與Ag共燒兼容性的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,SiO2的添加可有效降低燒結(jié)基板氣孔率,抑制基板成分與Ag之間的相互擴(kuò)散,降低共燒Ag層方阻,改善與Ag共燒基板的平整性。在此基礎(chǔ)上試制了基于LTCC技術(shù)的片式低通濾波器,結(jié)果表明,濾波器性能與仿真結(jié)果相吻合,材料的工藝適應(yīng)性良好,有望應(yīng)用于射頻器件領(lǐng)域。
【文章頁(yè)數(shù)】:8 頁(yè)
【文章目錄】:
1 樣品制備及性能測(cè)試方法
1.1 樣品制備
1.2 性能測(cè)試方法
2 結(jié)果與討論
2.1 燒結(jié)特性及介電性能分析
2.2 與Ag共燒特性
2.3 LTCC濾波器性能
3 結(jié)論
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]低介低損耗LTCC材料研制及基于該材料的陣列天線設(shè)計(jì)[D]. 陳華文.電子科技大學(xué) 2015
本文編號(hào):3725269
【文章頁(yè)數(shù)】:8 頁(yè)
【文章目錄】:
1 樣品制備及性能測(cè)試方法
1.1 樣品制備
1.2 性能測(cè)試方法
2 結(jié)果與討論
2.1 燒結(jié)特性及介電性能分析
2.2 與Ag共燒特性
2.3 LTCC濾波器性能
3 結(jié)論
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]低介低損耗LTCC材料研制及基于該材料的陣列天線設(shè)計(jì)[D]. 陳華文.電子科技大學(xué) 2015
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