發(fā)布時間：2022-12-18 05:26

　　隨著平板顯示（FPD）技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對于顯示效果提出了越來越高的要求（尺寸更大、分辨率更高、響應速度更快等）。非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管（a-IGZO TFT）具有良好的性能（如場效應遷移率較高、大面積均一性較好、可柔性制備、可低溫制備等）,使其極有潛力成為下一代面板顯示的核心驅(qū)動器件。但是,a-IGZO TFT在制備工藝上還存在許多尚未解決的問題,比如TFT低阻值電極材料的選擇及相關(guān)制備工藝的開發(fā)和優(yōu)化等。本文以此為出發(fā)點,詳細設(shè)計了對比實驗,采用磁控濺射制備了低阻值金屬電極a-IGZO TFT器件,摸索了不同電極薄膜的最佳工藝條件,并結(jié)合相關(guān)理論嘗試分析和解釋相應變化的機理。首先,為了驗證鉬用作a-IGZO TFT源漏電極的特性表現(xiàn),我們在不同濺射功率下制備了相同厚度的鉬金屬薄膜,并著重對其粘附性、表面粗糙度和方塊電阻進行了測試分析。實驗結(jié)果表明,鉬薄膜具有較好的基板粘附性;隨著濺射功率的增加,鉬薄膜的表面粗糙度變大,電阻率降低。我們在硅基板上用蔭罩掩膜版工藝制備了相應的鉬源漏電極a-IGZO TFT器件,又在玻璃基板上采用濕法刻蝕和光刻圖形化的方法制備了純鉬電極的a-IGZO ... 

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 薄膜晶體管
        1.2.1 薄膜晶體管發(fā)展歷程
        1.2.2 薄膜晶體管工作原理
        1.2.3 薄膜晶體管中的溝道材料
    1.3 非晶氧化物TFT
        1.3.1 a-IGZO TFT的簡介
        1.3.2 a-IGZO的材料特性
        1.3.3 a-IGZO TFT的研究現(xiàn)狀
    1.4 研究意義及研究內(nèi)容
第二章 薄膜晶體管的制備、表征與測試方法
    2.1 TFT的制備
        2.1.1 磁控濺射原理
        2.1.2 薄膜制備
    2.2 薄膜特性的表征
        2.2.1 薄膜厚度
        2.2.2 薄膜粘附性測試
        2.2.3 薄膜表面粗糙度測量
        2.2.4 薄膜電阻測量
        2.2.5 薄膜斷面結(jié)構(gòu)
    2.3 薄膜圖形化方法
        2.3.1 蔭罩掩膜版工藝
        2.3.2 光刻圖形化工藝
    2.4 器件電學性能測量及參數(shù)表征
        2.4.1 器件電學特性測試
        2.4.2 器件電學特性參數(shù)表征
    2.5 本章小結(jié)
第三章 a-IGZO TFT電極材料的選擇及單膜特性研究
    3.1 引言
    3.2 鉬、銅電極薄膜的制備
    3.3 鉬、銅電極薄膜單膜特性的研究
        3.3.1 鉬、銅電極薄膜粘附性的研究
        3.3.2 鉬、銅電極薄膜表面粗糙度的研究
        3.3.3 鉬、銅電極電阻率的研究
    3.4 本章小結(jié)
第四章 鉬、銅源漏電極a-IGZO TFT的研究
    4.1 引言
    4.2 鉬源漏電極a-IGZO TFT的研究
        4.2.1 蔭罩掩膜版工藝鉬源漏電極a-IGZO TFT的研究
        4.2.2 光刻工藝鉬電極a-IGZO TFT的研究
    4.3 銅源漏電極a-IGZO TFT的研究
    4.4 鉬/銅源漏電極a-IGZO TFT的研究
    4.5 本章小結(jié)
第五章 銅合金源漏電極a-IGZO TFT的研究
    5.1 引言
    5.2 銅合金單膜特性的研究
    5.3 銅合金電極a-IGZO TFT特性的研究
    5.4 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)與展望
    6.1 論文主要內(nèi)容總結(jié)
    6.2 研究展望
參考文獻
致謝
攻讀碩士學位期間已發(fā)表或錄用的論文


【參考文獻】：
期刊論文
[1]非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管銀/鈦源漏電極的研究[J]. 吳崎,許玲,董承遠.  液晶與顯示. 2016(04)
[2]使用銅源漏電極的非晶氧化銦鋅薄膜晶體管的研究[J]. 徐瑞霞,陳子楷,趙銘杰,寧洪龍,鄒建華,陶洪,王磊,徐苗,彭俊彪.  發(fā)光學報. 2015(08)
[3]銅-鉬源漏電極對非晶氧化銦鎵鋅薄膜晶體管性能的改善[J]. 寧洪龍,胡詩犇,朱峰,姚日暉,徐苗,鄒建華,陶洪,徐瑞霞,徐華,王磊,蘭林鋒,彭俊彪.  物理學報. 2015(12)
[4]鉬緩沖層對鉬/銅疊層結(jié)構(gòu)電極特性的影響[J]. 李旭遠,薛唯,喻志農(nóng),薛建設(shè),張學輝,柳逢春,楊偉生.  真空科學與技術(shù)學報. 2015(01)



本文編號：3721435