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氧化鎵微晶薄膜制備及其日盲深紫外探測器

發(fā)布時間:2022-12-11 21:09
  采用射頻磁控濺射技術(shù)和熱退火技術(shù)在石英襯底上制備了微晶態(tài)Ga2O3薄膜。利用X射線衍射儀(XRD)、拉曼光譜(Raman)、紫外-可見-紅外分光光度計(UV-Vis-IR)以及X射線光電子能譜儀(XPS)等手段對薄膜結(jié)構(gòu)、光學(xué)特性以及化學(xué)組分進(jìn)行了系統(tǒng)研究。結(jié)果表明,制備的Ga2O3薄膜呈非晶態(tài),退火處理后,薄膜由非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楹孪郍a2O3的微晶薄膜,隨退火溫度升高,薄膜內(nèi)部微晶成分不斷增加,但最終在石英襯底上制備的薄膜并未全部轉(zhuǎn)換成全晶態(tài)薄膜(β-Ga2O3);诜蔷Ш臀⒕a2O3薄膜制備了金屬-半導(dǎo)體-金屬(MSM)結(jié)構(gòu)的日盲深紫外探測器,發(fā)現(xiàn)非晶Ga2O3薄膜基器件表現(xiàn)出更高的光響應(yīng),而微晶Ga2O3薄膜基器件則具有更低的暗電流和更快的響應(yīng)速度。 

【文章頁數(shù)】:7 頁

【部分圖文】:

氧化鎵微晶薄膜制備及其日盲深紫外探測器


(a)不同溫度退火Ga2O3薄膜的XRD譜;(b)不同溫度退火Ga2O3薄膜的Raman譜。

氧化鎵微晶薄膜制備及其日盲深紫外探測器


不同溫度退火Ga2O3薄膜的透射光譜,插圖為對應(yīng)的薄膜帶隙變化。

氧化鎵微晶薄膜制備及其日盲深紫外探測器


900 ℃退火Ga2O3薄膜的XPS譜。

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[3]Enhanced photoresponse performance in Ga/Ga2O3 nanocomposite solar-blind ultraviolet photodetectors[J]. 崔書娟,梅增霞,侯堯楠,陳全勝,梁會力,張永暉,霍文星,杜小龍.  Chinese Physics B. 2018(06)



本文編號:3719505

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