光電導(dǎo)開關(guān)具有極其優(yōu)良的電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì),在高功率超寬帶脈沖和超快電子學(xué)等眾多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。GaAs基光電導(dǎo)開關(guān)具有更強(qiáng)的耐壓能力,更快的反應(yīng)速度等特點(diǎn)使其已然成為光電導(dǎo)開關(guān)的主流器件。作為高功率的開關(guān)器件,器件的響應(yīng)時(shí)間,耐壓能力和靈敏度已然成為衡量其性能優(yōu)良的標(biāo)準(zhǔn)。其中器件的靈敏度直接關(guān)乎開關(guān)的導(dǎo)通能力,是開關(guān)器件的重要參數(shù),故而如何提高器件的靈敏度,提升其導(dǎo)通能力是本論文撰寫的目的所在。本論文將從提高器件的吸光能力和傳輸性能兩個(gè)方面探究提高器件靈敏度的方法,主要的研究?jī)?nèi)容如下:為了提高脈沖光對(duì)器件的入射率,對(duì)光電導(dǎo)開關(guān)器件設(shè)計(jì)了表面減反膜結(jié)構(gòu)層,包括單層減反膜和雙層減反膜。基于905nm的脈沖激光和折射率為3.46的GaAs基襯底,單層減反膜的最優(yōu)值為110nm的折射率為1.86的氮化硅薄膜,且尺寸在110nm左右的減反膜均對(duì)器件的靈敏度有所提高,且具有1%-160%的漲幅;同理雙層減反膜對(duì)于靈敏度也具備很好的提高效果,并相較于單層減反膜具備更好的提高效果。同時(shí)為了兼顧器件的耐壓性能,可以用奇數(shù)倍增加氮化硅厚度而實(shí)現(xiàn)目的。為了反射穿過(guò)襯底層的透射光,使得光能量能夠被器... 

【文章頁(yè)數(shù)】：63 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 光電導(dǎo)開關(guān)的簡(jiǎn)介
        1.2.1 光電導(dǎo)開關(guān)的結(jié)構(gòu)
        1.2.2 光電導(dǎo)開關(guān)的工作原理
        1.2.3 光電導(dǎo)開關(guān)的研究現(xiàn)狀和研究意義
    1.3 本文的主要工作
        1.3.1 研究目標(biāo)
        1.3.2 研究?jī)?nèi)容
        1.3.3 論文的布局安排
第二章 光電導(dǎo)開關(guān)的制備和測(cè)試
    2.1 光電導(dǎo)開關(guān)器件的制備
        2.1.1 光電導(dǎo)開關(guān)基礎(chǔ)芯片的制備
        2.1.2 光電導(dǎo)開關(guān)功能層結(jié)構(gòu)的制備
    2.2 光電導(dǎo)開關(guān)的測(cè)試方法
        2.1.1 光電導(dǎo)開關(guān)靈敏度的測(cè)試原理
        2.1.2 光電導(dǎo)開關(guān)的測(cè)試電路
第三章 光電導(dǎo)開關(guān)減反膜結(jié)構(gòu)對(duì)靈敏度的影響
    3.1 單層減反膜結(jié)構(gòu)對(duì)光電導(dǎo)開關(guān)靈敏度的影響
        3.1.1 單層減反膜的原理
        3.1.2 單層減反膜厚度的設(shè)計(jì)
        3.1.3 單層減反膜厚度的設(shè)計(jì)的優(yōu)化
    3.2 雙層減反膜結(jié)構(gòu)對(duì)光電導(dǎo)開關(guān)靈敏度的影響
        3.2.1 雙層減反膜的原理與膜厚設(shè)計(jì)
        3.2.2 雙層減反膜的靈敏度測(cè)試與結(jié)論
    3.3 本章小結(jié)
第四章 背反射層結(jié)構(gòu)對(duì)光電導(dǎo)開關(guān)靈敏度影響的探究
    4.1 背反射層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
        4.1.1 金屬背反射層的優(yōu)選
        4.1.2 背反射層結(jié)構(gòu)的優(yōu)化
    4.2 雙層背反射層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
        4.2.1 雙層背反射層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與制備
        4.2.2 雙層背反射層結(jié)構(gòu)器件的靈敏度測(cè)試
    4.3 本章小結(jié)
第五章 電極結(jié)構(gòu)對(duì)光電導(dǎo)開關(guān)靈敏度的影響
    5.1 電極間隙對(duì)光電導(dǎo)開關(guān)靈敏度的影響
        5.1.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)
        5.1.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
        5.1.3 分析與結(jié)論
    5.2 電極形狀對(duì)光電導(dǎo)開關(guān)靈敏度的影響
        5.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)
        5.2.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
        5.2.3 分析與結(jié)論
    5.3 本章小結(jié)
結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
個(gè)人簡(jiǎn)歷及發(fā)表文章目錄
致謝



本文編號(hào)：3712504