隨著光學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,對光學(xué)元件的精度要求越來越高。硫化鋅材料具有良好的紅外特性,其光學(xué)元件在紅外窗口、整流罩等方面被廣泛應(yīng)用,但這些應(yīng)用對硫化鋅表面粗糙度具有較高要求,而離子束拋光可以加工出高精度的光學(xué)元件。因此,對硫化鋅光學(xué)元件的離子束拋光研究具有很高的應(yīng)用價值。本文主要采用離子束刻蝕技術(shù)對硫化鋅晶片進行刻蝕拋光。首先利用SRIM軟件模擬了入射離子轟擊硫化鋅表面。采用離子束刻蝕機直接刻蝕硫化鋅,研究不同工藝參數(shù)對硫化鋅晶片表面粗糙度的影響。此外采用XRD及XPS對硫化鋅晶片微觀分析。最后利用鍍膜的方式制備平坦化層,并對硫化鋅進行離子束沉積修正拋光。具體如下:（1）采用SRIM軟件模擬Ar離子垂直入射硫化鋅表面。仿真出入射離子在硫化鋅表層的分布及射程統(tǒng)計等。（2）研究了離子束入射能量、離子束入射角度、離子束流、刻蝕時間、旋轉(zhuǎn)速度對硫化鋅表面粗糙度的影響。實驗表明最佳工藝參數(shù)為:離子束入射能量450e V、入射角度45°、離子束流35m A、刻蝕時間1h、旋轉(zhuǎn)速度60r/min。（3）通過XRD分析可知,所用硫化鋅為立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)。利用XPS分析Ar離子刻蝕前后的硫化鋅晶片,可知Ar... 

【文章頁數(shù)】：66 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 課題研究背景及意義
    1.2 晶體表面刻蝕拋光加工工藝
    1.3 ZnS材料特性及其應(yīng)用
        1.3.1 ZnS材料特性介紹
        1.3.2 ZnS材料的應(yīng)用
    1.4 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.4.1 離子束刻蝕拋光研究現(xiàn)狀
        1.4.2 ZnS晶體刻蝕拋光研究現(xiàn)狀
    1.5 論文主要研究內(nèi)容及章節(jié)安排
        1.5.1 主要研究內(nèi)容
        1.5.2 論文章節(jié)安排
    1.6 本章小結(jié)
2 ZnS刻蝕拋光的前期準(zhǔn)備
    2.1 ZnS晶片初加工及清洗
        2.1.1 ZnS晶片表面初加工
        2.1.2 ZnS晶片表面清洗
    2.2 ZnS晶片表面評價參數(shù)與表面粗糙度測量
        2.2.1 ZnS晶片表面評價參數(shù)
        2.2.2 ZnS晶片表面粗糙度測量
    2.3 本章小結(jié)
3 離子束刻蝕拋光ZnS工藝研究
    3.1 SRIM軟件模擬
    3.2 離子束刻蝕拋光機理及刻蝕設(shè)備
        3.2.1 離子束刻蝕拋光機理
        3.2.2 離子束刻蝕設(shè)備
    3.3 離子束刻蝕拋光ZnS晶片技術(shù)路線
    3.4 離子束刻蝕拋光ZnS晶片實驗結(jié)果與分析
        3.4.1 離子束入射能量參數(shù)實驗及結(jié)果分析
        3.4.2 離子束流參數(shù)實驗及結(jié)果分析
        3.4.3 離子束入射角度參數(shù)實驗及結(jié)果分析
        3.4.4 刻蝕時間參數(shù)實驗及結(jié)果分析
        3.4.5 旋轉(zhuǎn)速度參數(shù)實驗及結(jié)果分析
    3.5 ZnS晶片微觀分析
        3.5.1 ZnS晶片表面表征方法
        3.5.2 ZnS晶片表面XRD檢測及結(jié)果分析
        3.5.3 ZnS晶片表面XPS檢測及結(jié)果分析
    3.6 本章小結(jié)
4 離子束沉積修正拋光ZnS工藝研究
    4.1 離子束沉積修正拋光工藝機理
    4.2 ZnS晶片離子束沉積修正拋光技術(shù)路線
    4.3 ZnS晶片離子束沉積修正拋光
        4.3.1 薄膜制備實驗及結(jié)果分析
        4.3.2 犧牲層實驗及結(jié)果分析
    4.4 ZnS薄膜表面XPS檢測及分析
    4.5 本章小結(jié)
5 結(jié)論
    5.1 結(jié)論
    5.2 展望
參考文獻
致謝


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3711115