隨著高世代（＞G8.5）TFT-LCD的建設(shè),未來產(chǎn)品趨勢大尺寸、高分辨率及高刷新頻率趨勢愈加明顯,其所需Cu（銅）和COA（Color Filter On Array:將彩色濾光光阻制作在陣列基板上的技術(shù)）更加明確,以及未來IGZO（銦鎵鋅氧化物）的引入成為關(guān)鍵。本論文著重研究基于高世代TFT-LCD線,大尺寸高分辨率及高刷新頻率的產(chǎn)品,要求電容電阻延時（RC delay）要更好,因而Cu布線工藝的成為必須。本論文主要從Cu制作工藝上研究得出:隨著Cu濺射的功率升高,晶胞大小增大,電阻率減小,此部分在經(jīng)驗上會對大板沉積均一性造成影響;Cu濺射溫度的升高,主要影響Cu表明粗糙度,此部分在生產(chǎn)過程中容易形成尖刺（Hillock）,造成產(chǎn)品靜電炸傷（ESD）高發(fā);Cu濺射壓力對Cu晶胞、Cu表明粗糙度、Cu電阻率的影響弱相關(guān)。同時研究了 Cu翹曲的影響度:成膜溫度＞膜厚＞玻璃彈性模量。對于Cu工藝的黏附層和阻擋層的厚度選擇,黏附層金屬Mo趨向偏薄,正常150A厚度即可;阻擋層Mo厚度300A,隨著制程效果,可以適量增減。通過干法處理減少CuNx影響,以及通過不使用C12而采用NF3氣體蝕刻... 

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 液晶簡史和中國TFT-LCD發(fā)展歷程
        1.2.1 液晶簡史
        1.2.2 世界TFT-LC液晶面板發(fā)展簡表
G8.5)">        1.2.3 高世代面板線產(chǎn)品主要特點(>G8.5)
    1.3 TFT-LCD市場狀況和發(fā)展趨勢
        1.3.1 TFT-LC市場狀況及趨勢
        1.3.2 TFT-LCD各個面板供應(yīng)商技術(shù)特點
        1.3.3 基于高世代TFT-LCD產(chǎn)品特點及制程工藝要求
    1.4 本論文的工作
第二章 薄膜晶體管關(guān)鍵特性參數(shù)
    2.1 薄膜晶體管的發(fā)展歷程
    2.2 薄膜晶體管結(jié)構(gòu)分類
    2.3 薄膜晶體管的基本原理
    2.4 薄膜晶體管重要參數(shù)介紹
    2.5 薄膜晶體管在LCD的定位
    2.6 本章小結(jié)
第三章 基于高世代線CU工藝制作
    3.1 引言
    3.2 基于高世代線CU產(chǎn)品工藝流程(4MASK)
    3.3 基于高世代線CU布線TFT產(chǎn)品制備
        3.3.1 基于高世代線的TFT四道光罩(4Mask)工藝流程
        3.3.2 基于高世代線的Cu+COA產(chǎn)品制備
    3.4 CU濺射工藝參數(shù)影響
        3.4.1 Cu濺射工藝對Cu性質(zhì)參數(shù)的影響
        3.4.2 Cu翹曲的影響
        3.4.3 粘合層和阻擋層Mo的厚度選取
    3.5 Cu濕法蝕刻工藝參數(shù)影響
        3.5.1 Cu蝕刻藥液
        3.5.2 電化學(xué)腐蝕
        3.5.3 Cu蝕刻形貌管理
    3.6 干法蝕刻工藝對CU制程工藝的影響
        3.6.1 干法蝕刻工藝對Cu制程工藝的改善
        3.6.2 干法蝕刻中對于Cu蝕刻副產(chǎn)物的改善
    3.7 本章小結(jié)
第四章 基于高世代線COA工藝制作
    4.1 引言
    4.2 基于高世代線COA產(chǎn)品工藝流程
        4.2.1 傳統(tǒng)工藝流程和COA流程比較
        4.2.2 氮化硅工藝和PFA工藝比較
    4.3 基于高世代線COA產(chǎn)品制程特性影響
        4.3.1 COA產(chǎn)品堆疊高度的影響的關(guān)鍵參數(shù)
        4.3.2 曝光參數(shù)對形貌角度(Taper)的影響
    4.4 COA產(chǎn)品設(shè)計規(guī)范
        4.4.1 RGB色阻開孔設(shè)計
        4.4.2 避免RGB空氣氣泡的設(shè)計
    4.5 本章小結(jié)
第五章 引入CU和COA工藝對BCE IGZO TFT特性影響
    5.1 引言
    5.2 非晶IGZO TFT的主要性能參數(shù)
        5.2.1 關(guān)鍵TFT架構(gòu)
        5.2.2 IGZO晶體管的優(yōu)點
    5.3 基于Cu和COA工藝的BCE IGZO TFT樣品的制備
    5.4 Cu和COA工藝制程對BCE IGZO TFT特性參數(shù)影響
        5.4.1 BCE IGZO TFT采用Cu制程之必要性
        5.4.2 RGB烘烤對BCE IGZO TFT特性參數(shù)影響
        5.4.3 色阻覆蓋對BC EIGZO TFT特性參數(shù)影響
    5.5 本章小結(jié)
總結(jié)與展望
    6.1 總結(jié)
    6.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
附件


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]半導(dǎo)體器件微縮化 銅導(dǎo)線與Low-K為關(guān)鍵所在[J]. 黃茂業(yè).  電子測試. 2004(10)

博士論文
[1]銅硅體系的擴(kuò)散和界面反應(yīng)[D]. 曹博.蘭州大學(xué) 2008

碩士論文
[1]Cu/Si（100）體系的擴(kuò)散和界面反應(yīng)[D]. 賈艷輝.蘭州大學(xué) 2009



本文編號：3708140