發(fā)布時間：2022-11-06 15:00

　　三維有機無機雜化鈣鈦礦因其優(yōu)異的光電性能被視為光電領域極具前景的材料,但其在濕度環(huán)境下的不穩(wěn)定性成為制約產業(yè)化進程的關鍵因素之一.本文采用一步溶液法成功制備了碘化鉛基二維鈣鈦礦（PEA）₂（MA）_n–1Pb_nI_3n+1 （n=1, 3,6, 20, 30）,對鈣鈦礦的維度及微觀結構進行調控,并將其應用作為薄膜晶體管（TFTs）器件的半導體溝道層.實驗結果表明,獨特的二維層狀結構和量子約束效應有效地抑制了器件的環(huán)境不穩(wěn)定性和離子遷移現(xiàn)象, TFTs器件性能得到提高.基于準二維Quasi-2D （n=6）鈣鈦礦的薄膜晶體管器件空穴遷移率(μ_hole)達到3.9 cm~2/（V·s）、閾值電壓為1.85 V、開關比高于10~4.首次提出將準二維有機無機雜化鈣鈦礦材料應用到薄膜晶體管中,為制備高性能、高穩(wěn)定性的薄膜晶體管器件提供了新的思路. 

【文章頁數(shù)】：9 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]低維鈣鈦礦:兼具高效率和穩(wěn)定性的新型太陽能電池光吸收層候選材料[J]. 陳皓然,夏英東,陳永華,黃維.  材料導報. 2018(01)



本文編號：3703708