從文獻(xiàn)計(jì)量角度出發(fā),整理了國內(nèi)外2000～2018年間第三代半導(dǎo)體材料SiC、GaN的科技論文,并從整體發(fā)展軌跡與研究?jī)?nèi)容兩方面,對(duì)SiC、GaN的時(shí)間分布、研究力量、研究熱點(diǎn)等內(nèi)容進(jìn)行統(tǒng)計(jì)與分析,探討了該領(lǐng)域的總體發(fā)展態(tài)勢(shì)以及我國目前的科研水平。運(yùn)用研究方向聚類與突發(fā)性關(guān)鍵詞檢測(cè)的方法,發(fā)現(xiàn)和解釋該領(lǐng)域發(fā)展的內(nèi)在變化規(guī)律,尤其是在不同發(fā)展階段的不同研究重點(diǎn),并用該規(guī)律對(duì)未來研究熱點(diǎn)進(jìn)行預(yù)測(cè),可為該領(lǐng)域的研究與布局提供參考。 

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 研究方法
2 結(jié)果與分析
    2.1 整體發(fā)展軌跡
        2.1.1 時(shí)間分析
        2.1.2 研究力量分析
    2.2 研究?jī)?nèi)容分析
        2.2.1 研究熱點(diǎn)演進(jìn)
        2.2.2 研究方向聚類
        2.2.3 未來熱點(diǎn)推測(cè)
            1) 2000～2005年:
            2) 2005～2010年:
            3) 2010～2018年:
3 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3702132