從文獻計量角度出發(fā),整理了國內(nèi)外2000～2018年間第三代半導體材料SiC、GaN的科技論文,并從整體發(fā)展軌跡與研究內(nèi)容兩方面,對SiC、GaN的時間分布、研究力量、研究熱點等內(nèi)容進行統(tǒng)計與分析,探討了該領(lǐng)域的總體發(fā)展態(tài)勢以及我國目前的科研水平。運用研究方向聚類與突發(fā)性關(guān)鍵詞檢測的方法,發(fā)現(xiàn)和解釋該領(lǐng)域發(fā)展的內(nèi)在變化規(guī)律,尤其是在不同發(fā)展階段的不同研究重點,并用該規(guī)律對未來研究熱點進行預測,可為該領(lǐng)域的研究與布局提供參考。 

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 研究方法
2 結(jié)果與分析
    2.1 整體發(fā)展軌跡
        2.1.1 時間分析
        2.1.2 研究力量分析
    2.2 研究內(nèi)容分析
        2.2.1 研究熱點演進
        2.2.2 研究方向聚類
        2.2.3 未來熱點推測
            1) 2000～2005年:
            2) 2005～2010年:
            3) 2010～2018年:
3 結(jié) 論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3702132