等離子體刻蝕是半導(dǎo)體集成電路（Integrated Circuit,IC）制造工藝中的重要環(huán)節(jié),近年來隨著IC集成度的不斷提高,特征尺寸不斷縮小,此外,3D晶體管、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Fin Field-Effect Transistor,Fin-FET）等復(fù)雜結(jié)構(gòu)的應(yīng)用,對(duì)刻蝕槽深寬比（Aspect Ratio,AR）、刻蝕槽形貌控制等的要求進(jìn)一步提高,尤其是隨著小于10 nm技術(shù)的開發(fā),原子尺度的偏差也可能影響器件的性能。傳統(tǒng)刻蝕在一些關(guān)鍵步驟中顯然難以滿足要求,原子精度的控制能力成為影響特征尺度進(jìn)一步縮小的關(guān)鍵。此外,原子層刻蝕（Atomic layer etching,ALE）技術(shù)的進(jìn)步,使得具有原子精度控制能力的等離子體ALE逐漸進(jìn)入到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的階段。ALE是通過自限性地去除表面最外層原子,實(shí)現(xiàn)原子層精度刻蝕的。一個(gè)完整的ALE過程要經(jīng)過兩次凈化腔室,這需要消耗大量的時(shí)間,使得產(chǎn)額過低。為了解決這個(gè)問題,近些年來通過改變極板偏壓波形、控制放電參數(shù)等方法,不換氣體而實(shí)現(xiàn)原子層精度刻蝕的研究大量涌現(xiàn),這種方法能夠?qū)⑿侍岣邘资?它被稱為等離子體增強(qiáng)“準(zhǔn)”原子層刻蝕（Quasi-A... 

【文章頁(yè)數(shù)】：59 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 等離子體刻蝕的研究背景及意義
    1.2 原子層刻蝕的研究背景及意義
    1.3 離子能量和角度分布的研究進(jìn)展
    1.4 原子層刻蝕的研究進(jìn)展
    1.5 本文研究?jī)?nèi)容及結(jié)構(gòu)安排
2 等離子體刻蝕多尺度模型
    2.1 ICP腔室模型
    2.2 鞘層混合模型
        2.2.1 流體動(dòng)力學(xué)模型
        2.2.2 蒙特卡洛模型
    2.3 表面反應(yīng)與刻蝕槽演化模型
3 外部參數(shù)對(duì)ICP腔室物理特性的影響
    3.1 離子密度
    3.2 粒子通量
    3.3 電子溫度、密度分布
    3.4 本章小結(jié)
4 極板處離子能量及角度分布(IEADs)
    4.1 外部參數(shù)對(duì)離子能量分布(IEDs)的影響
        4.1.1 偏壓波形對(duì)IEDs的影響
        4.1.2 放電參數(shù)對(duì)IEDs的影響
    4.2 外部參數(shù)對(duì)離子角度分布(IADs)的影響
        4.2.1 偏壓波形對(duì)IADs的影響
        4.2.2 放電參數(shù)對(duì)IADs的影響
    4.3 本章小結(jié)
5 刻蝕槽形貌演化
    5.1 不同刻蝕方法刻蝕槽形貌對(duì)比
    5.2 偏壓波形對(duì)刻蝕槽形貌演化的影響
    5.3 放電參數(shù)對(duì)刻蝕槽形貌演化的影響
    5.4 刻蝕槽形貌演化的深寬比依賴效應(yīng)
    5.5 本章小結(jié)
結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Study on atomic layer etching of Si in inductively coupled Ar/Cl2 plasmas driven by tailored bias waveforms[J]. 麻曉琴,張賽謙,戴忠玲,王友年.  Plasma Science and Technology. 2017(08)
[2]A Multi-Scale Study on Silicon-Oxide Etching Processes in C4F8/Ar Plasmas[J]. 眭佳星,張賽謙,劉增,閻軍,戴忠玲.  Plasma Science and Technology. 2016(06)
[3]等離子體刻蝕工藝的物理基礎(chǔ)[J]. 戴忠玲,毛明,王友年.  物理. 2006(08)

博士論文
[1]雙頻容性耦合等離子體特性的實(shí)驗(yàn)研究[D]. 袁強(qiáng)華.蘇州大學(xué) 2009

碩士論文
[1]基于CFD的等離子體刻蝕數(shù)值模擬與參數(shù)優(yōu)化[D]. 楊明強(qiáng).大連理工大學(xué) 2014
[2]感應(yīng)耦合等離子體刻蝕及應(yīng)用研究[D]. 趙智昊.華南師范大學(xué) 2003
[3]碰撞效應(yīng)對(duì)射頻等離子體鞘層特性及刻蝕剖面的影響[D]. 邱華檀.大連理工大學(xué) 2002



本文編號(hào)：3690920