為了滿足超輻射發(fā)光管的短波長(zhǎng)應(yīng)用,采用InAlGaAs/AlGaAs量子點(diǎn)有源區(qū)和干法刻蝕工藝制備了短波長(zhǎng)彎曲波導(dǎo)超輻射發(fā)光管。在1.6A脈沖電流注入下,器件峰值輸出功率為29mW,中心波長(zhǎng)為880nm,光譜半高寬為20.3nm。比較了干法刻蝕工藝和濕法腐蝕工藝對(duì)超輻射發(fā)光管器件性能的影響。在1.6A脈沖電流注入下,濕法腐蝕制備的器件峰值輸出功率僅為7mW。與濕法腐蝕相比,干法刻蝕可以精確控制波導(dǎo)形狀和參數(shù),降低波導(dǎo)損耗,有效增大器件輸出功率。 

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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