U型槽的干法刻蝕工藝是GaN垂直溝槽型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）器件關(guān)鍵的工藝步驟,干法刻蝕后GaN的側(cè)壁狀況直接影響GaN MOS結(jié)構(gòu)中的界面態(tài)特性和器件的溝道電子輸運.本文通過改變感應耦合等離子體干法刻蝕工藝中的射頻功率和刻蝕掩模,研究了GaN垂直溝槽型MOSFET電學特性的工藝依賴性.研究結(jié)果表明,適當降低射頻功率,在保證側(cè)壁陡直的前提下可以改善溝道電子遷移率,從35.7 cm~2/（V·s）提高到48.1 cm~2/（V·s）,并提高器件的工作電流.溝道處的界面態(tài)密度可以通過亞閾值擺幅提取,射頻功率在50 W時界面態(tài)密度降低到1.90×10¹²cm^-2·eV^-1,比135 W條件下降低了一半.采用SiO₂硬刻蝕掩模代替光刻膠掩�？梢蕴岣邷喜鄣撞康目涛g均勻性.較薄的SiO2掩模具有更小的側(cè)壁面積,高能離子的反射作用更弱,過刻蝕現(xiàn)象明顯改善,制備出的GaN垂直溝槽型MOSFET溝道場效應遷移率更高,界面態(tài)密度更低. 

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【參考文獻】：
期刊論文
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