U型槽的干法刻蝕工藝是GaN垂直溝槽型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件關(guān)鍵的工藝步驟,干法刻蝕后GaN的側(cè)壁狀況直接影響GaN MOS結(jié)構(gòu)中的界面態(tài)特性和器件的溝道電子輸運(yùn).本文通過(guò)改變感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕工藝中的射頻功率和刻蝕掩模,研究了GaN垂直溝槽型MOSFET電學(xué)特性的工藝依賴(lài)性.研究結(jié)果表明,適當(dāng)降低射頻功率,在保證側(cè)壁陡直的前提下可以改善溝道電子遷移率,從35.7 cm~2/（V·s）提高到48.1 cm~2/（V·s）,并提高器件的工作電流.溝道處的界面態(tài)密度可以通過(guò)亞閾值擺幅提取,射頻功率在50 W時(shí)界面態(tài)密度降低到1.90×10¹²cm^-2·eV^-1,比135 W條件下降低了一半.采用SiO₂硬刻蝕掩模代替光刻膠掩模可以提高溝槽底部的刻蝕均勻性.較薄的SiO2掩模具有更小的側(cè)壁面積,高能離子的反射作用更弱,過(guò)刻蝕現(xiàn)象明顯改善,制備出的GaN垂直溝槽型MOSFET溝道場(chǎng)效應(yīng)遷移率更高,界面態(tài)密度更低. 

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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]柵槽刻蝕工藝對(duì)增強(qiáng)型GaN HEMT器件性能的影響[J]. 崔興濤,陳萬(wàn)軍,施宜軍,信亞杰,李茂林,王方洲,周琦,李肇基,張波.  半導(dǎo)體技術(shù). 2019(04)
[2]1000 V p-GaN混合陽(yáng)極AlGaN/GaN二極管[J]. 唐文昕,郝榮暉,陳扶,于國(guó)浩,張寶順.  物理學(xué)報(bào). 2018(19)



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