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MgZnO/ZnO異質(zhì)結(jié)量子輸運(yùn)特性研究

發(fā)布時(shí)間:2022-09-29 10:52
  MgZnO/ZnO異質(zhì)結(jié)作為新一代的異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體,憑借其優(yōu)越的材料特性在新型半導(dǎo)體光電器件制造領(lǐng)域極具潛力,受到了科研工作者的廣泛關(guān)注。論文主要通過(guò)自洽求解薛定諤方程和泊松方程,對(duì)MgZnO/ZnO異質(zhì)結(jié)二維電子氣的量子輸運(yùn)特性進(jìn)行了深入研究,具體內(nèi)容如下:1.通過(guò)自洽求解Poisson-Schrodinger方程得到了全面且精細(xì)的二維電子氣信息,包括電子濃度、波函數(shù)、子帶能級(jí)等。在此基礎(chǔ)上,推導(dǎo)了電子散射率計(jì)算的一般過(guò)程,并且給出了MgZnO/ZnO異質(zhì)結(jié)構(gòu)中較為重要的散射機(jī)制,如界面粗糙散射、極性光學(xué)聲子散射、位錯(cuò)散射、壓電散射、形變勢(shì)散射等。進(jìn)而通過(guò)Matheissen’s法則,求解出2DEG的總遷移率。其中,重點(diǎn)研究了勢(shì)壘層厚度波動(dòng)散射對(duì)2DEG低溫輸運(yùn)特性的影響機(jī)理。研究結(jié)果表明,MgZnO勢(shì)壘層的厚度是影響二維電子氣濃度的關(guān)鍵因素之一。當(dāng)MgZnO層非常薄時(shí),粗糙引起的MgZnO層厚度的波動(dòng)將會(huì)非常大,將會(huì)在二維電子氣的溝道中引起很強(qiáng)的散射勢(shì),強(qiáng)烈的散射電子。2.基于耦合求解Schr?dinger-Poisson’s方程,考慮多個(gè)子帶電子的聲學(xué)波壓電散射,光學(xué)波形變勢(shì)散射,... 

【文章頁(yè)數(shù)】:68 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
符號(hào)對(duì)照表
縮略語(yǔ)對(duì)照表
第一章 緒論
    1.1 半導(dǎo)體材料的發(fā)展
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.1 國(guó)外研究現(xiàn)狀
        1.2.2 國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀
    1.3 論文的主要研究?jī)?nèi)容
第二章 MgZnO/ZnO異質(zhì)結(jié)材料特性及子帶結(jié)構(gòu)計(jì)算
    2.1 ZnO的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
        2.1.1 ZnO的晶格結(jié)構(gòu)
        2.1.2 ZnO的光電特性
    2.2 MgZnO及MgZnO/ZnO異質(zhì)結(jié)
        2.2.1 MgZnO基本性質(zhì)
        2.2.2 MgZnO/ZnO異質(zhì)結(jié)特性
        2.2.3 極化效應(yīng)
    2.3 2DEG子帶計(jì)算
    2.4 2DEG的遷移率
        2.4.1 散射基本理論
        2.4.2 遷移率
    2.5 總結(jié)
第三章 勢(shì)壘層厚度波動(dòng)散射對(duì)2DEG遷移率的影響理論研究
    3.1 勢(shì)壘層波動(dòng)的作用及其散射率模型
        3.1.1 勢(shì)壘層波動(dòng)的作用
        3.1.2 散射率模型
    3.2 勢(shì)壘層波動(dòng)散射及其遷移率
        3.2.1 勢(shì)壘層厚度波動(dòng)的散射
        3.2.2 界面粗糙散射
        3.2.3 位錯(cuò)散射
        3.2.4 壓電散射
    3.3 MgZnO/ZnO異質(zhì)結(jié)2DEG低溫輸運(yùn)特性分析
    3.4 本章小結(jié)
第四章 多子帶2DEG遷移率的溫度特性研究
    4.1 子帶電子的概述及其多子帶電子的分布
        4.1.1 子帶電子的概述
        4.1.2 多子帶電子的分布
    4.2 主要的散射機(jī)制及其遷移率
        4.2.1 電離雜質(zhì)散射
        4.2.2 聲學(xué)波形變勢(shì)散射
        4.2.3 聲學(xué)波壓電散射
        4.2.4 界面粗糙散射
        4.2.5 光學(xué)波形變勢(shì)散射
        4.2.6 位錯(cuò)散射
        4.2.7 極性光學(xué)波散射
        4.2.8 合金散射
    4.3 遷移率的溫度特性
    4.4 本章總結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
作者簡(jiǎn)介


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]ZnMgO/ZnO異質(zhì)結(jié)構(gòu)中二維電子氣的研究[J]. 張陽(yáng),顧書(shū)林,葉建東,黃時(shí)敏,顧然,陳斌,朱順明,鄭有炓.  物理學(xué)報(bào). 2013(15)
[2]Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in AlxGa1-xN/GaN quantum wells[J]. 王建霞,楊少延,王俊,劉貴鵬,李志偉,李輝杰,金東東,劉祥林,朱勤生,王占國(guó).  Chinese Physics B. 2013(07)
[3]ZnO/ZnMgO異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管的制備與性能研究[J]. 朱振邦,顧書(shū)林,朱順明,葉建東,黃時(shí)敏,顧然,鄭有炓.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2012(04)
[4]寬禁帶半導(dǎo)體材料技術(shù)[J]. 李寶珠.  電子工業(yè)專用設(shè)備. 2010(08)
[5]SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)及器件研究進(jìn)展[J]. 任學(xué)民.  半導(dǎo)體情報(bào). 1998(04)
[6]半導(dǎo)體材料研究的進(jìn)展(一)[J]. 許振嘉.  科學(xué)通報(bào). 1976(03)

博士論文
[1]ZnO、MgZnO異質(zhì)結(jié)紫外光發(fā)射器件的研究[D]. 劉春陽(yáng).東北師范大學(xué) 2012



本文編號(hào):3682459

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