光電探測器,例如光電倍增管、Si光電二極管、III/V材料的光電探測器已廣泛應用于科學儀器、光通信、顯示成像、環(huán)境監(jiān)測、安全監(jiān)測等。然而,隨著高性能光電探測器的快速發(fā)展,人們對靈敏度高,體積小,功耗低的光電探測器的需求越來越大。與傳統(tǒng)體材料相比,納米結(jié)構光電探測器因其體積小,靈敏度高,光電轉(zhuǎn)換性能優(yōu)異而引起人們越來越多的關注。本文研究了P型與PN型變組分Al Ga As/Ga As納米線光電探測器的光電探測特性,Al組分的變化引起了Al Ga As禁帶寬度的變化從而形成了內(nèi)建電場,這可以極大的提高半導體的載流子收集效率。通過建立半導體漂移擴散模型,然后分別改變?nèi)肷涔獠ㄩL,Al組分,納米線長度,用有限體積法（FVM）仿真計算了P型和PN型變組分Al Ga As/Ga As納米線光電探測器的光電流和積分靈敏度。結(jié)果顯示,即使在零偏壓情況下軸向Al組分變化引起的內(nèi)建電場可以加強載流子收集效率,從而大大提高光電探測效率,PN型光電探測器因PN結(jié)的存在,其光電探測性能更優(yōu)于P型。另外不同電極接觸方式也會影響光電探測器的光電探測特性,本文中根據(jù)電極的基本接觸形式考慮了四種結(jié)構,分別是歐姆-歐姆（O... 

【文章頁數(shù)】：60 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 引言
    1.2 光電探測器研究現(xiàn)狀
        1.2.1 傳統(tǒng)光電轉(zhuǎn)換技術
        1.2.2 納米線光電探測器
    1.3 本文研究的背景和意義
    1.4 本文研究的主要工作
    1.5 論文結(jié)構安排
2 P型變組分AlGaAs/GaAs納米線光電探測器光電特性研究
    2.1 理論模型
    2.2 P型變組分AlGaAs/GaAs納米線光電探測器仿真及結(jié)果分析
        2.2.1 O-O器件
        2.2.2 O-S器件
        2.2.3 S-O器件
        2.2.4 S-S器件
    2.3 本章小結(jié)
3 PN型AlGaAs/GaAs納米線光電探測器光電特性研究
    3.1 理論模型
    3.2 PN型變組分AlGaAs/GaAs納米線光電探測器仿真及結(jié)果分析
        3.2.1 變組分影響
        3.2.2 變摻雜和溫度影響
    3.3 本章小結(jié)
4 變組分AlGaAs/GaAs納米線光電探測器件制備
    4.1 變組分AlGaAs/GaAs納米線陣列制備
        4.1.1 變組分AlGaAs/GaAs納米線陣列的研究意義
        4.1.2 變組分AlGaAs/GaAs納米線陣列制備工藝
    4.2 光電探測器件制備
        4.2.1 襯底的選擇與清洗
        4.2.2 單根納米線剝離
        4.2.3 光刻
        4.2.4 沉積電極
    4.3 本章小結(jié)
5 結(jié)束語
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
致謝
參考文獻


【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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[7]氮離子注入氧化鋅薄膜引起的結(jié)構、光學和電學性質(zhì)變化研究[D]. 張曉東.天津大學 2007



本文編號：3681668