由于納米銀焊膏優(yōu)異的導熱性和導電性,使其在第三代半導體封裝中受到了極大關注,其中,焊點的長期服役可靠性問題一直是封裝領域的研究熱點。提出焊點動態(tài)電阻在線監(jiān)測方法,建立相應實時監(jiān)測系統(tǒng),將電阻轉換為電阻率,研究電阻率在燒結和通電熱老化過程中的變化情況,并對上述兩個過程的焊點顯微組織演變進行分析,建立電阻率變化規(guī)律模型。試驗結果表明:在燒結過程中焊點電阻率逐步下降,且變化分為三個階段。第一階段,保溫時間較短,焊點內未形成有效互連,電阻率極高;第二階段,納米銀顆粒之間開始形成燒結頸,電阻率大幅下降;第三階段,燒結頸長大,且焊點內有機物揮發(fā)完全,電阻率進一步下降。在通電熱老化過程中,電阻率變化分為四個階段。第一階段,由于溫度升高,材料電阻率隨溫度上升;第二階段,焊點在高溫下發(fā)生致密化行為,使電阻率下降;第三階段,致密化過程基本結束,電阻率保持穩(wěn)定;第四階段,在電遷移效應影響下,銀原子由陰極向陽極遷移,導致陰極附近出現(xiàn)裂紋,電阻率大幅上升直至焊點斷路失效。 

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
0前言
1 試驗材料及方法
    1.1 試驗材料
    1.2 動態(tài)電阻監(jiān)測系統(tǒng)
    1.3 試驗方法
2 燒結過程動態(tài)電阻監(jiān)測
    2.1 動態(tài)電阻曲線
    2.2 燒結過程中焊點顯微組織演變
    2.3 燒結過程動態(tài)電阻變化機理
3 通電熱老化過程動態(tài)電阻監(jiān)測
    3.1 動態(tài)電阻曲線
    3.2 通電熱老化過程中焊點顯微組織演變
    3.3 通電熱老化過程動態(tài)電阻變化機理
4 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]GaN電力電子和射頻器件產業(yè)鏈分析[J]. 沈一度.  集成電路應用. 2018(10)
[2]Ⅲ族氮化物第三代半導體材料發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢[J]. 史冬梅,楊斌,蔡韓輝.  科技中國. 2018(04)
[3]印刷電路板無鉛焊點假焊的檢測[J]. 吳福培,張憲民.  光學精密工程. 2011(03)

碩士論文
[1]基于X射線檢測系統(tǒng)的BGA器件缺陷檢測技術研究[D]. 賈軼群.中北大學 2011



本文編號：3677863