基于UVM的Flash控制器模塊驗(yàn)證
發(fā)布時(shí)間:2022-08-10 19:43
IC作為電子信息產(chǎn)業(yè)的基石,在現(xiàn)代社會(huì)發(fā)展中占據(jù)著舉足輕重的地位。隨著So C(System on Chip)設(shè)計(jì)的集成度和復(fù)雜度的日益攀升,芯片驗(yàn)證在整個(gè)芯片研發(fā)過(guò)程中所占的比重也在日益增加,但芯片驗(yàn)證技術(shù)卻并未跟上So C發(fā)展的步伐,這使得芯片設(shè)計(jì)周期被拉長(zhǎng),大大增加了芯片研發(fā)成本。所以,研究一種先進(jìn)高效的芯片驗(yàn)證方法已迫在眉睫。芯片驗(yàn)證的核心是驗(yàn)證方法學(xué),UVM(Universal Verification Methodologhy)作為芯片驗(yàn)證行業(yè)最新的驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn),綜合了VMM(Verification Methodology Manual)和OVM(Open Verification Methodology)的優(yōu)點(diǎn),是一套高效的驗(yàn)證環(huán)境開發(fā)庫(kù)。NAND Flash(與非性閃存)作為一款兼具非易失性、存儲(chǔ)容量大和讀寫速度快等優(yōu)點(diǎn)的存儲(chǔ)器,在存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。文章基于So C芯片設(shè)計(jì)的Flash控制器的特點(diǎn),采用UVM對(duì)固態(tài)硬盤中的Flash控制器模塊進(jìn)行可重用的模塊級(jí)驗(yàn)證仿真,確保控制器模塊的設(shè)計(jì)符合規(guī)范。本文首先分析了UVM驗(yàn)證方法學(xué)的發(fā)展現(xiàn)狀,指出了UVM驗(yàn)證方法學(xué)的...
【文章頁(yè)數(shù)】:68 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 選題背景與意義
1.2 國(guó)內(nèi)外研究狀況
1.3 本文主要研究?jī)?nèi)容和章節(jié)安排
第二章 驗(yàn)證方法學(xué)
2.1 驗(yàn)證基礎(chǔ)理論
2.2 SystemVerilog語(yǔ)言
2.3 UVM驗(yàn)證方法學(xué)
2.3.1 驗(yàn)證平臺(tái)
2.3.2 驗(yàn)證平臺(tái)組件
2.3.3 UVM的類庫(kù)
2.3.4 UVM的樹形結(jié)構(gòu)
2.3.5 UVM中的transaction
2.3.6 UVM中的factory機(jī)制
2.3.7 UVM中的objection機(jī)制
2.3.8 UVM中的phase機(jī)制
2.3.9 UVM中的sequence機(jī)制
2.3.10 UVM中的寄存器模型
2.4 本章小結(jié)
第三章 Flash控制器模塊的UVM驗(yàn)證方案
3.1 硬件設(shè)計(jì)框架
3.1.1 Flash控制器模塊架構(gòu)
3.1.2 Flash系統(tǒng)
3.2 Flash控制器模塊功能介紹
3.2.1 支持主機(jī)訪問(wèn)
3.2.2 支持多Plane操作
3.2.3 支持多CE寫入
3.2.4 支持CRC校驗(yàn)
3.3 Flash控制器模塊的狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)
3.3.1 寫入數(shù)據(jù)狀態(tài)機(jī)
3.3.2 讀取數(shù)據(jù)狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)
3.3.3 擦除數(shù)據(jù)狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)
3.3.4 設(shè)置模塊狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)
3.4 Flash控制器模塊的UVM驗(yàn)證方案
3.4.1 驗(yàn)證策劃
3.4.2 驗(yàn)證方案架構(gòu)
3.5 本章小結(jié)
第四章 UVM驗(yàn)證組件的實(shí)現(xiàn)
4.1 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的transaction
4.2 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的interface
4.3 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的sequence機(jī)制
4.3.1 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的sequencer
4.3.2 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的sequence
4.4 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的driver組件
4.5 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的monitor
4.6 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的referencemodel
4.7 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的scoreboard
4.8 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的agent
4.9 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的env
4.10 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的base_test
4.11 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的top
4.12 本章小結(jié)
第五章 Flash控制器模塊的驗(yàn)證仿真
5.1 測(cè)試用例及仿真
5.1.1 冒煙測(cè)試
5.1.2 讀寫功能測(cè)試
5.1.3 ECC糾錯(cuò)功能測(cè)試
5.2 驗(yàn)證平臺(tái)覆蓋率
5.3 Flash控制器模塊應(yīng)用實(shí)物圖
5.4 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)與展望
6.1 總結(jié)
6.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
附錄
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]面向NAND Flash存儲(chǔ)的糾錯(cuò)編碼技術(shù)概述[J]. 彭福來(lái),于治樓,陳乃闊,耿士華,畢研山. 計(jì)算機(jī)與現(xiàn)代化. 2017(11)
[2]基于貪婪策略的NAND FLASH存儲(chǔ)器的磨損均衡算法研究[J]. 賈鑫,張少平. 計(jì)算機(jī)科學(xué). 2017(S2)
[3]用于NAND FLASH的糾檢錯(cuò)算法的FPGA實(shí)現(xiàn)[J]. 鄭晶晶,袁素春,王娜,孫鈺林. 空間電子技術(shù). 2017(05)
[4]NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)高漲,2020年將超DRAM[J]. 迎九. 電子產(chǎn)品世界. 2017(10)
[5]關(guān)于NAND閃存損耗均衡算法的優(yōu)化[J]. 趙峰,劉博妍,朱戈. 南華大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2017(03)
[6]基于SystemC和SystemVerilog的聯(lián)合仿真平臺(tái)設(shè)計(jì)[J]. 盧艷君. 科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新. 2017(27)
[7]存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)中FLASH的存儲(chǔ)可靠性技術(shù)研究[J]. 高陽(yáng),王代華,王曉楠. 現(xiàn)代電子技術(shù). 2017(18)
[8]基于UVM高速SERDES的數(shù)字系統(tǒng)驗(yàn)證[J]. 徐波. 電子科學(xué)技術(shù). 2017(05)
[9]UVM和Matlab的聯(lián)合仿真方法及應(yīng)用[J]. 張少真,成丹,劉學(xué)毅. 中國(guó)集成電路. 2017(09)
[10]基于UVM實(shí)現(xiàn)SD存儲(chǔ)控制器的功能驗(yàn)證[J]. 牛玉坤,孟令琴. 工業(yè)控制計(jì)算機(jī). 2017(08)
博士論文
[1]基于閃存的索引機(jī)制研究[D]. 楊程程.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2017
碩士論文
[1]基于UVM技術(shù)的I~2S驗(yàn)證IP的研究[D]. 袁琳.合肥工業(yè)大學(xué) 2017
[2]基于UVM的EMMC控制器模塊驗(yàn)證[D]. 劉麗麗.杭州電子科技大學(xué) 2017
[3]基于UVM的射頻基帶電路驗(yàn)證平臺(tái)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 葉海榮.中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(工程管理與信息技術(shù)學(xué)院) 2016
[4]NAND Flash錯(cuò)誤特性模型及應(yīng)用研究[D]. 王世元.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[5]基于NAND Flash陣列的高速大容量圖像存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)[D]. 江旭東.中北大學(xué) 2016
[6]UVM驗(yàn)證方法學(xué)在SSD主控SoC芯片驗(yàn)證中的應(yīng)用[D]. 桂瑋楠.東南大學(xué) 2015
[7]面向DSP芯片統(tǒng)一驗(yàn)證平臺(tái)的研究與實(shí)現(xiàn)[D]. 歐明雙.合肥工業(yè)大學(xué) 2009
本文編號(hào):3674246
【文章頁(yè)數(shù)】:68 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 選題背景與意義
1.2 國(guó)內(nèi)外研究狀況
1.3 本文主要研究?jī)?nèi)容和章節(jié)安排
第二章 驗(yàn)證方法學(xué)
2.1 驗(yàn)證基礎(chǔ)理論
2.2 SystemVerilog語(yǔ)言
2.3 UVM驗(yàn)證方法學(xué)
2.3.1 驗(yàn)證平臺(tái)
2.3.2 驗(yàn)證平臺(tái)組件
2.3.3 UVM的類庫(kù)
2.3.4 UVM的樹形結(jié)構(gòu)
2.3.5 UVM中的transaction
2.3.6 UVM中的factory機(jī)制
2.3.7 UVM中的objection機(jī)制
2.3.8 UVM中的phase機(jī)制
2.3.9 UVM中的sequence機(jī)制
2.3.10 UVM中的寄存器模型
2.4 本章小結(jié)
第三章 Flash控制器模塊的UVM驗(yàn)證方案
3.1 硬件設(shè)計(jì)框架
3.1.1 Flash控制器模塊架構(gòu)
3.1.2 Flash系統(tǒng)
3.2 Flash控制器模塊功能介紹
3.2.1 支持主機(jī)訪問(wèn)
3.2.2 支持多Plane操作
3.2.3 支持多CE寫入
3.2.4 支持CRC校驗(yàn)
3.3 Flash控制器模塊的狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)
3.3.1 寫入數(shù)據(jù)狀態(tài)機(jī)
3.3.2 讀取數(shù)據(jù)狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)
3.3.3 擦除數(shù)據(jù)狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)
3.3.4 設(shè)置模塊狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)
3.4 Flash控制器模塊的UVM驗(yàn)證方案
3.4.1 驗(yàn)證策劃
3.4.2 驗(yàn)證方案架構(gòu)
3.5 本章小結(jié)
第四章 UVM驗(yàn)證組件的實(shí)現(xiàn)
4.1 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的transaction
4.2 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的interface
4.3 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的sequence機(jī)制
4.3.1 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的sequencer
4.3.2 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的sequence
4.4 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的driver組件
4.5 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的monitor
4.6 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的referencemodel
4.7 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的scoreboard
4.8 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的agent
4.9 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的env
4.10 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的base_test
4.11 UVM驗(yàn)證平臺(tái)的top
4.12 本章小結(jié)
第五章 Flash控制器模塊的驗(yàn)證仿真
5.1 測(cè)試用例及仿真
5.1.1 冒煙測(cè)試
5.1.2 讀寫功能測(cè)試
5.1.3 ECC糾錯(cuò)功能測(cè)試
5.2 驗(yàn)證平臺(tái)覆蓋率
5.3 Flash控制器模塊應(yīng)用實(shí)物圖
5.4 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)與展望
6.1 總結(jié)
6.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
附錄
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]面向NAND Flash存儲(chǔ)的糾錯(cuò)編碼技術(shù)概述[J]. 彭福來(lái),于治樓,陳乃闊,耿士華,畢研山. 計(jì)算機(jī)與現(xiàn)代化. 2017(11)
[2]基于貪婪策略的NAND FLASH存儲(chǔ)器的磨損均衡算法研究[J]. 賈鑫,張少平. 計(jì)算機(jī)科學(xué). 2017(S2)
[3]用于NAND FLASH的糾檢錯(cuò)算法的FPGA實(shí)現(xiàn)[J]. 鄭晶晶,袁素春,王娜,孫鈺林. 空間電子技術(shù). 2017(05)
[4]NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)高漲,2020年將超DRAM[J]. 迎九. 電子產(chǎn)品世界. 2017(10)
[5]關(guān)于NAND閃存損耗均衡算法的優(yōu)化[J]. 趙峰,劉博妍,朱戈. 南華大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2017(03)
[6]基于SystemC和SystemVerilog的聯(lián)合仿真平臺(tái)設(shè)計(jì)[J]. 盧艷君. 科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新. 2017(27)
[7]存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)中FLASH的存儲(chǔ)可靠性技術(shù)研究[J]. 高陽(yáng),王代華,王曉楠. 現(xiàn)代電子技術(shù). 2017(18)
[8]基于UVM高速SERDES的數(shù)字系統(tǒng)驗(yàn)證[J]. 徐波. 電子科學(xué)技術(shù). 2017(05)
[9]UVM和Matlab的聯(lián)合仿真方法及應(yīng)用[J]. 張少真,成丹,劉學(xué)毅. 中國(guó)集成電路. 2017(09)
[10]基于UVM實(shí)現(xiàn)SD存儲(chǔ)控制器的功能驗(yàn)證[J]. 牛玉坤,孟令琴. 工業(yè)控制計(jì)算機(jī). 2017(08)
博士論文
[1]基于閃存的索引機(jī)制研究[D]. 楊程程.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2017
碩士論文
[1]基于UVM技術(shù)的I~2S驗(yàn)證IP的研究[D]. 袁琳.合肥工業(yè)大學(xué) 2017
[2]基于UVM的EMMC控制器模塊驗(yàn)證[D]. 劉麗麗.杭州電子科技大學(xué) 2017
[3]基于UVM的射頻基帶電路驗(yàn)證平臺(tái)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 葉海榮.中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(工程管理與信息技術(shù)學(xué)院) 2016
[4]NAND Flash錯(cuò)誤特性模型及應(yīng)用研究[D]. 王世元.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[5]基于NAND Flash陣列的高速大容量圖像存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)[D]. 江旭東.中北大學(xué) 2016
[6]UVM驗(yàn)證方法學(xué)在SSD主控SoC芯片驗(yàn)證中的應(yīng)用[D]. 桂瑋楠.東南大學(xué) 2015
[7]面向DSP芯片統(tǒng)一驗(yàn)證平臺(tái)的研究與實(shí)現(xiàn)[D]. 歐明雙.合肥工業(yè)大學(xué) 2009
本文編號(hào):3674246
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