采用磁控濺射法在氧化銦錫（ITO）導(dǎo)電玻璃襯底上制備InN薄膜,研究了氮?dú)怏w積分?jǐn)?shù)對InN薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌和光電特性的影響。X射線衍射測試結(jié)果表明,所制備的InN薄膜均為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),且隨著氮?dú)怏w積分?jǐn)?shù)的增加,InN薄膜由沿（101）面擇優(yōu)生長逐漸變?yōu)檠兀?02）面擇優(yōu)生長。原子力顯微鏡結(jié)果表明,隨著氮?dú)怏w積分?jǐn)?shù)的增加,InN薄膜表面粗糙度逐漸減小。此外,通過光致發(fā)光譜和光學(xué)吸收譜測得氮?dú)怏w積分?jǐn)?shù)為100%時(shí)制備的InN薄膜禁帶寬度分別為1.45 eV和1.47 eV。霍爾測試結(jié)果表明,InN薄膜均呈現(xiàn)n型導(dǎo)電特性,且隨著氮?dú)怏w積分?jǐn)?shù)的增加,其遷移率由4.57 cm~2·V^-1·s^-1增加至12.2 cm~2·V^-1·s^-1,載流子濃度由8.498×10²¹ cm^-3減小至2.041×10²¹ cm^-3,電阻率由16.08×10^-4Ω·cm減小至2.118×10^-4

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]磁控濺射法制備InN薄膜的可控生長及表征[J]. 王簫揚(yáng),張雄,楊延寧,賀琳,張富春,張水利,李小敏.  人工晶體學(xué)報(bào). 2018(06)
[2]采用磁控濺射法在Si（100）生長InN薄膜及其禁帶寬度與拉曼的測試（英文）[J]. 王雪文,李婷婷,蘇星星,吳朝科,翟春雪,胡峰,張志勇,趙武.  稀有金屬材料與工程. 2018(01)
[3]InN納米薄膜制備及其結(jié)構(gòu)與帶隙分析[J]. 王金穎,王炫力,袁浩然,姚成寶,孫文軍.  哈爾濱師范大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報(bào). 2015(03)
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[5]Different temperature dependence of carrier transport properties between AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN and AlxGa1-xN/GaN heterostructures[J]. 宋杰,許福軍,黃呈橙,林芳,王新強(qiáng),楊志堅(jiān),沈波.  Chinese Physics B. 2011(05)
[6]半導(dǎo)體氮化銦（InN）的電學(xué)性質(zhì)[J]. 潘葳,沈文忠,小川博司,郭其新.  物理學(xué)進(jìn)展. 2004(02)

博士論文
[1]InN薄膜的MBE法生長及其NiO組合異質(zhì)結(jié)器件研究[D]. 趙洋.吉林大學(xué) 2016



本文編號：3669665