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低對(duì)比度光柵誘導(dǎo)的激光腔中準(zhǔn)連續(xù)域束縛態(tài)研究

發(fā)布時(shí)間:2022-07-22 15:38
  光子晶體等人工微結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的連續(xù)域束縛態(tài)(BIC)處于光錐以上卻不與背景泄漏模耦合,具有無限高的品質(zhì)因數(shù)(Q值),構(gòu)建在BIC或準(zhǔn)BIC工作的激光器具有低閾值的優(yōu)點(diǎn)。而低對(duì)比度光柵常用于低成本激光器的模式調(diào)制和耦出。針對(duì)激光器簡(jiǎn)化三層平板結(jié)構(gòu),提出利用上蓋層刻蝕低對(duì)比度光柵誘導(dǎo)出Q值高達(dá)9.2×105的準(zhǔn)BIC模式,并發(fā)現(xiàn)激光腔中模式的Q值對(duì)有源層的厚度變化相比上蓋層光柵刻蝕深度的變化更敏感,且下蓋層的厚度變化使Q值被周期性增強(qiáng),準(zhǔn)BIC的Q值可以被增強(qiáng)到9.66×106。研究結(jié)果對(duì)光柵基的低閾值電注入面發(fā)射激光器的設(shè)計(jì)具有指導(dǎo)意義。 

【文章頁數(shù)】:5 頁

【文章目錄】:
0 引言
1 刻蝕LCG的簡(jiǎn)化三層平板激光器結(jié)構(gòu)
2 模擬與分析
    2.1 上蓋層刻蝕低對(duì)比光柵誘導(dǎo)出準(zhǔn)BIC
    2.2 中間有源層厚度設(shè)計(jì)和分析
    2.3 下蓋層厚度的優(yōu)化和分析
3 結(jié)論



本文編號(hào):3664881

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