高純度的單手性單壁碳納米管對于下一代碳基電子器件的發(fā)展具有重要意義。利用聚[（9,9-二辛基芴-2,7-二基）-共-聯吡啶]（PFO-BPy）、聚（9,9-二辛基芴-2,7-二基）（PFO）和聚（9,9-二辛基芴-共苯并噻二唑）（PFO-BT）三種聚合物在有機相中分別分選出（6,5）,（7,5）和（10,5）三種手性單壁碳納米管,具有較高純度以及濃度,并去除了超過99%的殘留分散劑。使用上述溶液沉積獲得高均勻性和高密度的碳納米管薄膜,以此作為器件溝道材料,制備了手性單壁碳納米管場效應晶體管陣列。結果顯示,大直徑的（10,5）手性碳納米管晶體管器件具有較好的電學性能,其遷移率最高達16cm~2·V^-1·s^-1,開關比達10~7。 

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【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
    1.1 手性單壁碳納米管溶液制備
    1.2 手性單壁碳納米管薄膜及場效應晶體管制備
    1.3 分析與測試
2 實驗結果與討論
    2.1 高純度手性單壁碳納米管的分離
    2.2 單手性單壁碳納米管純化濃縮與薄膜制備
    2.3 手性單壁碳納米管場效應晶體管的電學性能
3 結論



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