吸收劑量是輻射效應(yīng)研究中最重要的物理量,器件參數(shù)隨吸收劑量的變化規(guī)律是效應(yīng)研究的依據(jù)。由于電子元器件尺寸小,無(wú)法直接測(cè)量器件內(nèi)部吸收劑量。目前輻射效應(yīng)試驗(yàn)采用測(cè)量輻照試驗(yàn)元器件所在位置處的輻射劑量,由此代替電子元器件靈敏區(qū)域的吸收劑量的方法。由于輻照試驗(yàn)中器件輻射敏感區(qū)上面的封裝材料和下方的基底層都較薄。這種情況下由于元器件敏感區(qū)不滿足次級(jí)電子平衡條件,敏感區(qū)實(shí)際接受的吸收劑量,可能會(huì)小于在滿足次級(jí)電子平衡條件下測(cè)量的標(biāo)稱劑量,這會(huì)造成對(duì)器件輻射損傷的過(guò)低估計(jì)。因此,在電子元器件總劑量效應(yīng)輻照試驗(yàn)中,研究次級(jí)電子不平衡對(duì)器件實(shí)際接受的吸收劑量的影響,評(píng)估其對(duì)輻射效應(yīng)研究造成的誤差有多大是十分必要的。本論文選擇雙列直插塑料封裝的CC4069六反相器作為研究的元器件,采用高分辨劑量測(cè)量方法,測(cè)量了輻照試驗(yàn)?zāi)Ｐ椭衅骷`敏層的吸收劑量,采用蒙特卡洛方法分析了器件吸收劑量與標(biāo)稱劑量的差異,結(jié)合輻射效應(yīng)敏感參數(shù)閾電壓的測(cè)量,分析評(píng)估了不滿足次級(jí)電子平衡條件對(duì)CC4069反相器敏感區(qū)吸收劑量和輻射效應(yīng)的影響程度。研究結(jié)果可為電子元器件輻射效應(yīng)研究、輻射加固驗(yàn)證提供準(zhǔn)確的基準(zhǔn)數(shù)據(jù),對(duì)于提高電子元器件輻... 

【文章頁(yè)數(shù)】：51 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.3 本文研究目的和主要內(nèi)容
第二章 MOS器件輻射效應(yīng)概述
    2.1 空間輻射環(huán)境
    2.2 空間輻射效應(yīng)
    2.3 MOS器件的總劑量效應(yīng)及損傷機(jī)理
        2.3.1 MOS器件總劑量效應(yīng)的損傷機(jī)理
        2.3.2 總劑量效應(yīng)對(duì)MOS器件的影響
            1. 閾電壓漂移
            2. 跨導(dǎo)降低
            3. 靜態(tài)漏電流增大
第三章 試驗(yàn)裝置和測(cè)試分析方法
    3.1 輻照裝置及其劑量場(chǎng)測(cè)量
        3.1.1 輻照裝置
        3.1.2 輻照源的劑量場(chǎng)測(cè)量
    3.2 電子元器件總劑量效應(yīng)測(cè)試方法和裝置
        3.2.1 試驗(yàn)器件
        3.2.2 試驗(yàn)器件總劑量效應(yīng)參數(shù)測(cè)量
        3.2.3 小體積高分辨率劑量測(cè)量系統(tǒng)
    3.3 試驗(yàn)器件結(jié)構(gòu)吸收劑量蒙特卡洛計(jì)算工具
第四章 CC4069器件的輻射效應(yīng)測(cè)試與分析
    4.1 輻照試驗(yàn)
    4.2 閾電壓漂移變化規(guī)律
    4.3 器件劑量試驗(yàn)測(cè)量
第五章 CC4069器件結(jié)構(gòu)劑量的蒙特卡洛分析
    5.1 CC4069器件結(jié)構(gòu)吸收劑量的蒙特卡洛分析
    5.2 CC4069反相器閾電壓漂移規(guī)律曲線的修正
第六章 總結(jié)與展望
    6.1 工作總結(jié)
    6.2 工作創(chuàng)新點(diǎn)
    6.3 展望
參考文獻(xiàn)
在讀期間發(fā)表論文
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]宇航用雙極器件和光電耦合器位移損傷試驗(yàn)研究[J]. 李錚,于慶奎,羅磊,孫毅,梅博,唐民.  航天器環(huán)境工程. 2017(01)
[2]0.18μm MOS差分對(duì)管總劑量失配效應(yīng)研究[J]. 吳雪,陸嫵,王信,郭旗,張興堯,于新.  原子能科學(xué)技術(shù). 2014(10)
[3]質(zhì)子輻射損傷對(duì)單結(jié)GaAs/Ge太陽(yáng)電池暗特性參數(shù)的影響[J]. 岳龍,吳宜勇,張延清,胡建民,孫承月,郝明明,蘭慕杰.  物理學(xué)報(bào). 2014(18)
[4]空間輻射環(huán)境概述[J]. 李桃生,陳軍,王志強(qiáng).  輻射防護(hù)通訊. 2008(02)
[5]空間輻射環(huán)境單粒子效應(yīng)研究[J]. 丁義剛.  航天器環(huán)境工程. 2007(05)
[6]核技術(shù)應(yīng)用研究中的蒙特卡羅計(jì)算問(wèn)題[J]. 許淑艷,劉保杰.  核技術(shù). 2007(07)
[7]空間輻照環(huán)境及紅外光子探測(cè)器的輻照效應(yīng)[J]. 廖毅.  紅外. 2006(05)
[8]CMOS器件X射線與γ射線輻照效應(yīng)比較[J]. 何承發(fā),巴維真,陳朝陽(yáng).  核技術(shù). 2001(10)
[9]星用典型CMOS器件54HC0460Co源輻射效應(yīng)研究[J]. 何寶平,張正選,郭紅霞,姜景和.  原子能科學(xué)技術(shù). 2000(04)
[10]深亞微米MOS器件的物理、結(jié)構(gòu)與工藝[J]. 劉艷紅,趙宇,王美田,胡禮中,魏希文.  半導(dǎo)體雜志. 2000(01)

博士論文
[1]功率半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)器件中的輻射效應(yīng)研究[D]. 萬(wàn)欣.清華大學(xué) 2016
[2]微納級(jí)SRAM器件單粒子效應(yīng)理論模擬研究[D]. 耿超.中國(guó)科學(xué)院研究生院（近代物理研究所） 2014
[3]單粒子效應(yīng)的脈沖激光試驗(yàn)研究[D]. 馬英起.中國(guó)科學(xué)院研究生院（空間科學(xué)與應(yīng)用研究中心） 2011

碩士論文
[1]90納米CMOS工藝下單粒子效應(yīng)引起的電荷共享研究[D]. 劉凡宇.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2010
[2]硅基MOS器件的電離輻照效應(yīng)分析[D]. 李一天.西安電子科技大學(xué) 2010
[3]MOS器件總劑量輻射加固技術(shù)研究[D]. 譚開洲.電子科技大學(xué) 2001



本文編號(hào)：3658619