以碳化硅（SiC）晶片為加工對(duì)象,提出了雙面化學(xué)機(jī)械拋光和單面化學(xué)機(jī)械拋光相結(jié)合的拋光方法。先在雙面拋光機(jī)上對(duì)SiC晶片硅面和碳面同時(shí)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光,然后采用單面拋光機(jī)對(duì)硅面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。研究了此方法加工碳化硅晶片的特點(diǎn),對(duì)比分析了采用此方法與傳統(tǒng)單面拋光加工晶片的幾何參數(shù)。采用表面缺陷測(cè)試儀和原子力顯微鏡檢測(cè)加工晶片的表面形貌。結(jié)果表明,雙面拋光5 h后,碳面無劃痕,表面粗糙度達(dá)到0.151 nm,硅面則存在較多淺劃痕,表面出現(xiàn)了一些類似臺(tái)階的結(jié)構(gòu);采用單面拋光工藝對(duì)硅面拋光1 h后即可獲得具有規(guī)則排列原子臺(tái)階構(gòu)型、無劃痕的表面;與傳統(tǒng)的單面拋光工藝相比,此方法加工晶片的幾何參數(shù)優(yōu)異,其中總厚度變化（TTV）值小于1.5μm,局部厚度變化（LTV）值小于0.6μm,翹曲度一致性好。 

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
    2.1 SiC的加工流程分析
    2.2 雙面和單面相結(jié)合拋光工藝的拋光特性
        2.2.1 雙面拋光過程的形貌變化
        2.2.2 雙面拋光晶片的表面質(zhì)量
        2.2.3 雙面拋光后的單面CMP
    2.3 雙面和單面相結(jié)合拋光工藝加工晶片的幾何參數(shù)
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]氧化劑濃度對(duì)4H-SiC化學(xué)機(jī)械拋光效果的影響[J]. 高飛,李暉,徐永寬.  功能材料. 2016(10)
[2]3英寸SiC襯底無架行星式雙面拋光運(yùn)動(dòng)學(xué)分析[J]. 張鵬,馮顯英,楊靜芳.  功能材料. 2015(18)



本文編號(hào)：3651705