HADS產(chǎn)品通常使用有機膜材料來減小寄生電容,以實現(xiàn)高像素密度（PPI）顯示。本文對如何改善以頂層ITO為像素電極（Pixel Top）設(shè)計的有機膜產(chǎn)品的公共電極ITO與數(shù)據(jù)線間短路（DCS）不良進行了工藝優(yōu)化研究。首先,通過顯微鏡、聚焦離子束對HADS有機膜產(chǎn)品DCS不良發(fā)生機理進行了分析,進而提出了第一鈍化絕緣層刻蝕工序省略、保留第一鈍化絕緣層至公共電極與像素電極間第二鈍化絕緣層刻蝕時進行"一步刻蝕"的工藝流程變更改善方案。針對新工藝流程驗證中TFT柵極過孔處第一鈍化絕緣層出現(xiàn)的底切不良,通過調(diào)整等離子增強化學(xué)氣相沉積成膜參數(shù)改善第一鈍化絕緣層膜質(zhì),并選取最優(yōu)成膜條件進一步調(diào)整干法刻蝕參數(shù)改善刻蝕形貌,獲得了優(yōu)良的柵極過孔刻蝕坡度角。優(yōu)化后的"一步刻蝕"工藝進行的TFT基板,其柵極過孔第一鈍化絕緣層坡度角小于40°,與柵極絕緣層間無明顯刻蝕臺階。量產(chǎn)驗證有機膜缺失導(dǎo)致的DCS發(fā)生率降為0。通過優(yōu)化工藝,在降低產(chǎn)品不良率的同時還減少了工藝步驟,提升了產(chǎn)能。 

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 有機膜產(chǎn)品DCS不良介紹
    2.1 DCS不良現(xiàn)象
    2.2 DCS不良機理分析
3 DCS不良改善方案與實驗驗證
    3.2 刻蝕率匹配調(diào)整
    3.3 PVX1刻蝕坡度角改善
4 量產(chǎn)投入驗證
5 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]基于復(fù)合絕緣層SiNx/PMMA的有機金屬-絕緣層-半導(dǎo)體器件[J]. 謝強,閆闖,朱陽陽,孫強,王璐,王麗娟,孫麗晶.  發(fā)光學(xué)報. 2019(06)
[2]氮化硅的ECCP刻蝕特性研究[J]. 白金超,王靜,趙磊,張益存,郭會斌,曲泓銘,宋勇志,張亮.  液晶與顯示. 2017(07)
[3]射頻功率對富硅-氮化硅薄膜結(jié)構(gòu)及性質(zhì)影響[J]. 烏仁圖雅,周炳卿,高愛明,部芯芯,丁德松.  人工晶體學(xué)報. 2016(09)
[4]Al2O3薄層修飾SiNx絕緣層的IGZO-TFTs器件的性能研究[J]. 郭永林,梁續(xù)旭,胡守成,穆曉齡,曲加偉,王紅波,趙毅.  發(fā)光學(xué)報. 2015(08)
[5]柵絕緣層過孔的反應(yīng)離子刻蝕研究[J]. 姜曉輝,田宗民,李田生,張家祥,王亮,沈奇雨,崔玉琳,侯學(xué)成,郭建,陳旭,謝振宇,閔泰燁.  真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報. 2014(03)
[6]富硅氮化硅薄膜的制備及其光學(xué)帶隙研究[J]. 林娟,楊培志,化麒麟.  發(fā)光學(xué)報. 2012(06)
[7]PECVD法生長氮化硅工藝的研究[J]. 吳清鑫,陳光紅,于映,羅仲梓.  功能材料. 2007(05)

博士論文
[1]新型聚合物絕緣材料的設(shè)計、制備及其在有機薄膜晶體管上的應(yīng)用研究[D]. 李堯.吉林大學(xué) 2016

碩士論文
[1]PECVD制備光學(xué)薄膜均勻性控制技術(shù)研究[D]. 劉昊軒.西安工業(yè)大學(xué) 2014
[2]PECVD制備多層氮化硅減反膜的工藝研究[D]. 歐衍聰.長沙理工大學(xué) 2012
[3]TFT柵絕緣層用氮化硅薄膜的研究[D]. 張化福.電子科技大學(xué) 2005



本文編號：3649547