HADS產(chǎn)品通常使用有機(jī)膜材料來減小寄生電容,以實(shí)現(xiàn)高像素密度（PPI）顯示。本文對(duì)如何改善以頂層ITO為像素電極（Pixel Top）設(shè)計(jì)的有機(jī)膜產(chǎn)品的公共電極ITO與數(shù)據(jù)線間短路（DCS）不良進(jìn)行了工藝優(yōu)化研究。首先,通過顯微鏡、聚焦離子束對(duì)HADS有機(jī)膜產(chǎn)品DCS不良發(fā)生機(jī)理進(jìn)行了分析,進(jìn)而提出了第一鈍化絕緣層刻蝕工序省略、保留第一鈍化絕緣層至公共電極與像素電極間第二鈍化絕緣層刻蝕時(shí)進(jìn)行"一步刻蝕"的工藝流程變更改善方案。針對(duì)新工藝流程驗(yàn)證中TFT柵極過孔處第一鈍化絕緣層出現(xiàn)的底切不良,通過調(diào)整等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積成膜參數(shù)改善第一鈍化絕緣層膜質(zhì),并選取最優(yōu)成膜條件進(jìn)一步調(diào)整干法刻蝕參數(shù)改善刻蝕形貌,獲得了優(yōu)良的柵極過孔刻蝕坡度角。優(yōu)化后的"一步刻蝕"工藝進(jìn)行的TFT基板,其柵極過孔第一鈍化絕緣層坡度角小于40°,與柵極絕緣層間無明顯刻蝕臺(tái)階。量產(chǎn)驗(yàn)證有機(jī)膜缺失導(dǎo)致的DCS發(fā)生率降為0。通過優(yōu)化工藝,在降低產(chǎn)品不良率的同時(shí)還減少了工藝步驟,提升了產(chǎn)能。 

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 有機(jī)膜產(chǎn)品DCS不良介紹
    2.1 DCS不良現(xiàn)象
    2.2 DCS不良機(jī)理分析
3 DCS不良改善方案與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
    3.2 刻蝕率匹配調(diào)整
    3.3 PVX1刻蝕坡度角改善
4 量產(chǎn)投入驗(yàn)證
5 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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