被稱為電力電子裝置和系統(tǒng)之核的功率半導(dǎo)體器件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）具有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、高擊穿電壓（BV）及低功率損耗等諸多優(yōu)點(diǎn)。特別是LIGBT（Lateral IGBT）器件因便于集成,常在智能功率集成電路中使用。雙極型器件LIGBT因電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)而具有低的導(dǎo)通壓降(V_on),但同時(shí)也給器件的關(guān)斷帶來(lái)負(fù)擔(dān),造成電流拖尾時(shí)間較長(zhǎng),關(guān)斷損耗(E_off)較大,因此LIGBT器件的E_off和V_on兩者之間存有矛盾關(guān)系。為了加快LIGBT的關(guān)斷進(jìn)而降低E_off,引入了短路陽(yáng)極結(jié)構(gòu),卻又在正向?qū)ǖ倪^(guò)程中帶來(lái)新的問(wèn)題——電壓折回Snapback現(xiàn)象。為此,本文將提出兩種新的LIGBT器件結(jié)構(gòu)。1.提出一種陽(yáng)極具有NPN結(jié)構(gòu)的雙槽LIGBT器件。其主要特征為:在陽(yáng)極側(cè)引入一個(gè)NPN（N+陽(yáng)極\P-well\N-buffer）結(jié)構(gòu),陰極側(cè)引入雙槽和N型載流子存儲(chǔ)層（N-CS）。首先,正向?qū)〞r(shí),NPN結(jié)構(gòu)的薄基區(qū)P-well作為... 

【文章頁(yè)數(shù)】：69 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究工作的背景與意義
    1.2 快速關(guān)斷LIGBT簡(jiǎn)述
    1.3 溝槽LIGBT簡(jiǎn)述
    1.4 本文主要研究工作
第二章 LIGBT機(jī)理與低功耗技術(shù)
    2.1 LIGBT工作機(jī)理與器件特性
        2.1.1 正向I-V特性
        2.1.2 阻斷特性
        2.1.3 關(guān)斷特性
    2.2 降低LIGBT功耗的典型技術(shù)
        2.2.1 短路陽(yáng)極技術(shù)
        2.2.2 溝槽技術(shù)
    2.3 本章小結(jié)
第三章 陽(yáng)極具有NPN結(jié)構(gòu)的雙槽LIGBT器件特性研究
    3.1 結(jié)構(gòu)特征與機(jī)理分析
    3.2 靜態(tài)特性仿真設(shè)計(jì)
        3.2.1 正向I-V特性
        3.2.2 正向阻斷特性
    3.3 關(guān)斷特性仿真設(shè)計(jì)
    3.4 工藝方案設(shè)計(jì)
    3.5 本章小結(jié)
第四章 分段P埋層短路陽(yáng)極SOI-LIGBT器件特性研究
    4.1 結(jié)構(gòu)特征與機(jī)理分析
    4.2 靜態(tài)特性仿真設(shè)計(jì)
        4.2.1 正向?qū)ㄌ匦?br>        4.2.2 正向阻斷特性
    4.3 關(guān)斷特性仿真設(shè)計(jì)
    4.4 器件的改進(jìn)
        4.4.1 PBL SPL LIGBT的結(jié)構(gòu)及機(jī)理
        4.4.2 PBL SPL LIGBT的性能分析
    4.5 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果



本文編號(hào)：3645953