發(fā)布時間：2022-03-10 13:55

　　超輻射發(fā)光二極管的發(fā)光特性介于發(fā)光二極管和激光二極管之間,其獨特的性能使得它在光纖陀螺等領(lǐng)域受到廣泛青睞。本文研制的1 550nm超輻射發(fā)光二極管使用Al_0.12Ga_0.12In_0.76As四元系化合物作為量子阱有源區(qū)的發(fā)光材料。根據(jù)應(yīng)變補償理論以及有限深勢阱函數(shù)本征方程對量子阱阱寬與中心波長的關(guān)系進(jìn)行了計算,最終采用相同組分不同阱寬三量子阱結(jié)構(gòu)。器件采用傾斜條形電流注入?yún)^(qū)、非出射端利用電化學(xué)腐蝕的方法制備非注入吸收區(qū)以及出射端腔面蒸鍍高增透膜三種方法組合的方式來共同抑制激射。對超輻射發(fā)光二極管的光刻顯影、脊形臺面制作、歐姆接觸以及減薄拋光等關(guān)鍵工藝流程進(jìn)行了實驗研究。對制備的器件進(jìn)行了發(fā)光性能的測試:室溫條件下,當(dāng)注入電流為325mA時,由干法刻蝕工藝制備的器件輸出功率為25.6 mW,此時中心波長為1 552.13nm,光譜半高寬大于44nm,光譜的調(diào)制深度小于5%。 

【文章來源】：長春理工大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 本論文的主要工作
第二章 文獻(xiàn)綜述
    2.1 超輻射的定義和發(fā)光特性
    2.2 超輻射發(fā)光二極管的發(fā)展歷史
    2.3 超輻射發(fā)光二極管的主要應(yīng)用
    2.4 本章小結(jié)
第三章 超輻射發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)設(shè)計和理論分析
    3.1 超輻射發(fā)光二極管的有源區(qū)設(shè)計
    3.2 超輻射發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)
    3.3 超輻射發(fā)光二極管整體結(jié)構(gòu)設(shè)計
    3.4 本章小結(jié)
第四章 超輻射發(fā)光二極管的工藝制備
    4.1 外延片工藝技術(shù)概述
    4.2 光刻工藝
    4.3 刻蝕工藝
    4.4 歐姆接觸工藝
    4.5 減薄拋光工藝
    4.6 超輻射發(fā)光二極管芯片制作工藝
    4.7 本章小結(jié)
第五章 超輻射發(fā)光二極管的測試
    5.1 測試設(shè)備及具體步驟
    5.2 測試數(shù)據(jù)及分析
    5.3 本章小結(jié)
總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
碩士期間研究成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3645767