<正>西電新聞網(wǎng)訊3月11日,省長劉國中主持召開省政府第六次常務(wù)會議,研究了2019年度省科學技術(shù)獎勵工作。會議決定,授予楊紹卿、安芷生、郝躍三位院士2019年度陜西省最高科學技術(shù)獎,對"復(fù)雜疾病相關(guān)模式發(fā)現(xiàn)理論與方法研究"等260個項目進行獎勵。多年來,郝躍院士奮斗在教學和科研第一線,長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養(yǎng)工作。自上世紀九十年代起,他開始研究第三代（寬禁帶）半導體材料與器件,是我國第三代半導體電子學領(lǐng)域的開拓者和引領(lǐng)者。在氮化鎵∕碳化硅第三代（寬禁帶）半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了一系列創(chuàng)新成果。創(chuàng)建了我國第三代半導體氮化鎵外延生長、器件結(jié)構(gòu)以及制造工藝的理論與技術(shù)體系,實現(xiàn)了我國第三代半導體從核心設(shè)備、材料到器件的重大創(chuàng)新,并使我國氮化物第三代半導體電子器件步入國際領(lǐng)先行列。 

【文章來源】：西安電子科技大學學報. 2020,47(02)北大核心EICSCD

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