基于氧化鋅薄膜晶體管的射頻識(shí)別標(biāo)簽電路
發(fā)布時(shí)間:2022-02-18 07:40
隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)應(yīng)用的發(fā)展,射頻識(shí)別技術(shù)已經(jīng)成為一大熱門,而在射頻識(shí)別應(yīng)用中最核心的部分就是射頻識(shí)別標(biāo)簽;趥鹘y(tǒng)硅工藝的射頻識(shí)別標(biāo)簽在低頻、高頻領(lǐng)域已經(jīng)十分成熟,在超高頻和微波領(lǐng)域也有不少應(yīng)用,但它的成本限制了應(yīng)用領(lǐng)域。氧化物薄膜晶體管以透明、工藝簡(jiǎn)潔、成本低、性能良好等優(yōu)勢(shì)已經(jīng)在顯示領(lǐng)域得到大規(guī)模應(yīng)用。本文旨在探究氧化物薄膜晶體管在集成電路制造上的能力,尤其是射頻識(shí)別標(biāo)簽這類對(duì)成本敏感的應(yīng)用。本文先研究了氧化鋅薄膜晶體管的工作機(jī)理和制備工藝,在這基礎(chǔ)上制備了簡(jiǎn)單的反相器,然后逐步搭建出成熟的電路模塊,最后完成了整個(gè)射頻識(shí)別標(biāo)簽的設(shè)計(jì)與制造。研究的主要?jiǎng)?chuàng)新成果包括:提出了新的閾值調(diào)節(jié)工藝,在增強(qiáng)型氧化鋅薄膜晶體管的工藝基礎(chǔ)上增加氘摻雜工藝將其轉(zhuǎn)化為耗盡型器件,并可在同一晶圓上實(shí)現(xiàn)多閾值器件制備;在多閾值工藝的基礎(chǔ)上制備了高性能的耗盡型負(fù)載反相器,其性能在同類研究中處于前列;以耗盡型負(fù)載反相器為基礎(chǔ),加上一些必要的射頻模擬模塊,搭建了簡(jiǎn)易的射頻識(shí)別標(biāo)簽電路系統(tǒng),該電路具有低功耗、低成本的優(yōu)點(diǎn),并展現(xiàn)出不錯(cuò)的數(shù)據(jù)速率,在同類研究中處于前列,在氧化鋅薄膜晶體管的研究中更是達(dá)到了頂尖水準(zhǔn)。本文...
【文章來源】:浙江大學(xué)浙江省211工程院校985工程院校教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:66 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 RFID技術(shù)概述
1.1.1 RFID技術(shù)的應(yīng)用與市場(chǎng)
1.1.2 RFID系統(tǒng)分類及其特性
1.1.3 RFID系統(tǒng)的基本組成
1.2 氧化物TFT器件概述
1.2.1 氧化物TFT的研究歷史
1.2.2 氧化物TFT的特性
1.2.3 氧化物TFT的應(yīng)用
1.3 TFT基RFID標(biāo)簽的研究現(xiàn)狀
1.4 本文的選題依據(jù)和研究?jī)?nèi)容
第二章 ZnO-TFT器件
2.1 ZnO材料特性
2.2 ZnO-TFT器件制備
2.2.1 實(shí)驗(yàn)環(huán)境及設(shè)備
2.2.2 ZnO-TFT器件結(jié)構(gòu)
2.2.3 ZnO-TFT制備流程
2.3 ZnO-TFT性能及氘摻雜對(duì)它的影響
2.4 本章小結(jié)
第三章 基于ZnO-TFT的反相器
3.1 反相器結(jié)構(gòu)選擇
3.2 TFT工藝下的耗盡型反相器
3.3 實(shí)驗(yàn)室制備的反相器性能分析
3.4 小結(jié)
第四章 基于ZnO-TFT的RFID標(biāo)簽電路
4.1 數(shù)字邏輯模塊設(shè)計(jì)
4.1.1 其它邏輯門
4.1.2 環(huán)形振蕩器
4.1.3 D觸發(fā)器
4.1.4 計(jì)數(shù)器
4.1.5 譯碼器
4.1.6 存儲(chǔ)器
4.1.7 編碼器
4.2 射頻模擬模塊設(shè)計(jì)
4.2.1 天線及調(diào)諧電路
4.2.2 整流電路
4.2.3 調(diào)制電路
4.3 版圖繪制
4.4 測(cè)試及分析
4.4.1 測(cè)試平臺(tái)設(shè)備
4.4.2 測(cè)試流程
4.4.3 測(cè)試結(jié)果及分析
4.5 小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
5.1 本文主要研究?jī)?nèi)容和成果
5.2 論文的不足及展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間取得的科研成果
本文編號(hào):3630473
【文章來源】:浙江大學(xué)浙江省211工程院校985工程院校教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:66 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
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第一章 緒論
1.1 RFID技術(shù)概述
1.1.1 RFID技術(shù)的應(yīng)用與市場(chǎng)
1.1.2 RFID系統(tǒng)分類及其特性
1.1.3 RFID系統(tǒng)的基本組成
1.2 氧化物TFT器件概述
1.2.1 氧化物TFT的研究歷史
1.2.2 氧化物TFT的特性
1.2.3 氧化物TFT的應(yīng)用
1.3 TFT基RFID標(biāo)簽的研究現(xiàn)狀
1.4 本文的選題依據(jù)和研究?jī)?nèi)容
第二章 ZnO-TFT器件
2.1 ZnO材料特性
2.2 ZnO-TFT器件制備
2.2.1 實(shí)驗(yàn)環(huán)境及設(shè)備
2.2.2 ZnO-TFT器件結(jié)構(gòu)
2.2.3 ZnO-TFT制備流程
2.3 ZnO-TFT性能及氘摻雜對(duì)它的影響
2.4 本章小結(jié)
第三章 基于ZnO-TFT的反相器
3.1 反相器結(jié)構(gòu)選擇
3.2 TFT工藝下的耗盡型反相器
3.3 實(shí)驗(yàn)室制備的反相器性能分析
3.4 小結(jié)
第四章 基于ZnO-TFT的RFID標(biāo)簽電路
4.1 數(shù)字邏輯模塊設(shè)計(jì)
4.1.1 其它邏輯門
4.1.2 環(huán)形振蕩器
4.1.3 D觸發(fā)器
4.1.4 計(jì)數(shù)器
4.1.5 譯碼器
4.1.6 存儲(chǔ)器
4.1.7 編碼器
4.2 射頻模擬模塊設(shè)計(jì)
4.2.1 天線及調(diào)諧電路
4.2.2 整流電路
4.2.3 調(diào)制電路
4.3 版圖繪制
4.4 測(cè)試及分析
4.4.1 測(cè)試平臺(tái)設(shè)備
4.4.2 測(cè)試流程
4.4.3 測(cè)試結(jié)果及分析
4.5 小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
5.1 本文主要研究?jī)?nèi)容和成果
5.2 論文的不足及展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間取得的科研成果
本文編號(hào):3630473
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