碳化硅器件在直流充電樁中的應(yīng)用研究
發(fā)布時間:2022-02-17 01:02
碳化硅功率器件具有開關(guān)頻率高、高耐溫和低損耗的特性優(yōu)勢,可以有效提高系統(tǒng)效率和功率密度,因此在直流充電樁電源模塊中具有廣闊的應(yīng)用前景。這里首先根據(jù)直流充電樁行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),提煉完善其電源模塊的技術(shù)指標(biāo)。其次,為了滿足電動汽車快速充電需求,研究了一種基于全碳化硅功率器件的電源模塊。最后,通過實驗驗證全碳化硅電源模塊在效率和功率密度方面的優(yōu)勢,證明了碳化硅功率器件在直流充電樁領(lǐng)域應(yīng)用的可行性。
【文章來源】:電力電子技術(shù). 2020,54(03)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:3 頁
【部分圖文】:
圖1全碳化硅功率模塊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)??Fig.?1?All?SiC?power?module?topology??
構(gòu)??Fig.?1?All?SiC?power?module?topology??4?實驗驗證??為了進(jìn)一步驗證全碳化硅電源模塊的實用??性,在此基于全碳化硅功率器件開發(fā)了一款電源??模塊,詳細(xì)參數(shù)為:交流輸入電壓(380±15%)?V,??50?Hz;直流輸出電壓300 ̄750V;前級開關(guān)頻率??42?kHz;后級開關(guān)頻率120?400?kHz;額定輸出功率??30kW;功率密度2.48?kW.L-1。進(jìn)一步以此實驗平??臺進(jìn)行實驗研宄。??4.1電源模塊啟動性能實驗??圖2為全碳化硅電源模塊啟動實驗結(jié)果,輸??出電壓^從零上升到額定750?V,該暫態(tài)過程持??續(xù)時間約5?s,具有適宜的啟動時間。進(jìn)一步分析??可以發(fā)現(xiàn),該啟動過程平穩(wěn)無振蕩,有效保證了直??流充電粧的安全穩(wěn)定運(yùn)行。??圖2電源模塊啟動中的輸出電壓??Fig.?2?Output?voltage?during?power?module?startup??4.2?電源模塊滿載穩(wěn)定運(yùn)行實驗??圖3為全碳化硅電源模塊額定滿載運(yùn)行的波??形。14乂分別為輸入全碳化硅電源模塊的三相??交流電流。由此可見,全碳化硅電源模塊穩(wěn)定運(yùn)行??時,輸入的交流電流具有良好的正弦度,不會對電??網(wǎng)造成嚴(yán)重的諧波污染。??圖4效率曲線??Fig.?4?Efficiency?curve??4.4與傳統(tǒng)硅器件方案的對比??目前常用的直流充電樁電源模塊基于硅器件??進(jìn)行設(shè)計開發(fā),這里將全碳化硅電源模塊與3款??市場主流的全硅電源模塊進(jìn)行功率(下轉(zhuǎn)第126?)??^oul??aaaaaaa??■oaw)??AAAAAAA/??(審?srso/一
第54卷第3期??2020年3月??電力電子技術(shù)??Power?Electronics??Vol.54,?No.3??March?2020??f/(10?ms/格)??圖3電源模塊滿載運(yùn)行波形??Fig.?3?Power?module?full?load?operation?waveforms??4.3電源模塊效率曲線??實測效率曲線如圖4所示。由于輔助供電的??存在,全碳化硅電源模塊的效率77在超輕載情況??下較低,隨著輸出功率/^增加,效率逐漸提高到??正常水平。在接近滿載時,由于磁性元件和功率器??件的工作狀態(tài)逼迫到效率有輕微下降,這里所提??的全碳化硅電源模塊在較寬功率范圍內(nèi)均具有較??高的效率,峰值效率為96.48%,可以滿足大部分??實用充電工況的需求。??由于國家并沒有針對充電模塊提出相關(guān)的行??業(yè)標(biāo)準(zhǔn),但充電模塊作為直流充電樁的核心部件,??因此行業(yè)內(nèi)均按照直流充電粧的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求充??電模塊,要求充電模塊需滿足直流充電樁行業(yè)標(biāo)??準(zhǔn)中的技術(shù)指標(biāo),充電模塊在國標(biāo)范圍內(nèi)的基本??性能參數(shù)為:交流輸入電壓(380±15%)?V,50Hz;??直流輸出電壓300 ̄750?V;交流電壓紋波:峰-峰??值<1%,有效值<0.5%;穩(wěn)壓精度<1%;當(dāng)輸出電??流<30?A?xí)r,穩(wěn)流精度<0.3?A,當(dāng)輸出電流>30?A??時,穩(wěn)流精度<1%;工作溫度-25 ̄50?T;噪聲<60?dB,??效率>93%;當(dāng)半載及以上時:輸入電流總諧波畸??變率(THD)<8%,當(dāng)滿載時:77//)<5%;當(dāng)半載及??以上時,功率因數(shù)>0.98,功能為恒壓/限流;??基本性能參數(shù),這里基于全碳化硅功率器件設(shè)計
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高速SiC MOSFET開關(guān)特性的測試方法[J]. 梁美,李艷,鄭瓊林,趙紅雁. 電工技術(shù)學(xué)報. 2017(14)
[2]國家“十三五”交通領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃發(fā)布[J]. 郭嘉文. 廣東交通. 2017 (03)
[3]基于同步逆變器的電動汽車V2G智能充放電控制技術(shù)[J]. 劉東奇,鐘慶昌,王耀南,梁英. 中國電機(jī)工程學(xué)報. 2017(02)
[4]用于精確預(yù)測SiC MOSFET開關(guān)特性的分析模型[J]. 梁美,鄭瓊林,李艷,巴騰飛. 電工技術(shù)學(xué)報. 2017(01)
[5]SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性對比及其在DAB變換器中的應(yīng)用[J]. 梁美,鄭瓊林,可翀,李艷,游小杰. 電工技術(shù)學(xué)報. 2015(12)
本文編號:3628939
【文章來源】:電力電子技術(shù). 2020,54(03)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:3 頁
【部分圖文】:
圖1全碳化硅功率模塊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)??Fig.?1?All?SiC?power?module?topology??
構(gòu)??Fig.?1?All?SiC?power?module?topology??4?實驗驗證??為了進(jìn)一步驗證全碳化硅電源模塊的實用??性,在此基于全碳化硅功率器件開發(fā)了一款電源??模塊,詳細(xì)參數(shù)為:交流輸入電壓(380±15%)?V,??50?Hz;直流輸出電壓300 ̄750V;前級開關(guān)頻率??42?kHz;后級開關(guān)頻率120?400?kHz;額定輸出功率??30kW;功率密度2.48?kW.L-1。進(jìn)一步以此實驗平??臺進(jìn)行實驗研宄。??4.1電源模塊啟動性能實驗??圖2為全碳化硅電源模塊啟動實驗結(jié)果,輸??出電壓^從零上升到額定750?V,該暫態(tài)過程持??續(xù)時間約5?s,具有適宜的啟動時間。進(jìn)一步分析??可以發(fā)現(xiàn),該啟動過程平穩(wěn)無振蕩,有效保證了直??流充電粧的安全穩(wěn)定運(yùn)行。??圖2電源模塊啟動中的輸出電壓??Fig.?2?Output?voltage?during?power?module?startup??4.2?電源模塊滿載穩(wěn)定運(yùn)行實驗??圖3為全碳化硅電源模塊額定滿載運(yùn)行的波??形。14乂分別為輸入全碳化硅電源模塊的三相??交流電流。由此可見,全碳化硅電源模塊穩(wěn)定運(yùn)行??時,輸入的交流電流具有良好的正弦度,不會對電??網(wǎng)造成嚴(yán)重的諧波污染。??圖4效率曲線??Fig.?4?Efficiency?curve??4.4與傳統(tǒng)硅器件方案的對比??目前常用的直流充電樁電源模塊基于硅器件??進(jìn)行設(shè)計開發(fā),這里將全碳化硅電源模塊與3款??市場主流的全硅電源模塊進(jìn)行功率(下轉(zhuǎn)第126?)??^oul??aaaaaaa??■oaw)??AAAAAAA/??(審?srso/一
第54卷第3期??2020年3月??電力電子技術(shù)??Power?Electronics??Vol.54,?No.3??March?2020??f/(10?ms/格)??圖3電源模塊滿載運(yùn)行波形??Fig.?3?Power?module?full?load?operation?waveforms??4.3電源模塊效率曲線??實測效率曲線如圖4所示。由于輔助供電的??存在,全碳化硅電源模塊的效率77在超輕載情況??下較低,隨著輸出功率/^增加,效率逐漸提高到??正常水平。在接近滿載時,由于磁性元件和功率器??件的工作狀態(tài)逼迫到效率有輕微下降,這里所提??的全碳化硅電源模塊在較寬功率范圍內(nèi)均具有較??高的效率,峰值效率為96.48%,可以滿足大部分??實用充電工況的需求。??由于國家并沒有針對充電模塊提出相關(guān)的行??業(yè)標(biāo)準(zhǔn),但充電模塊作為直流充電樁的核心部件,??因此行業(yè)內(nèi)均按照直流充電粧的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求充??電模塊,要求充電模塊需滿足直流充電樁行業(yè)標(biāo)??準(zhǔn)中的技術(shù)指標(biāo),充電模塊在國標(biāo)范圍內(nèi)的基本??性能參數(shù)為:交流輸入電壓(380±15%)?V,50Hz;??直流輸出電壓300 ̄750?V;交流電壓紋波:峰-峰??值<1%,有效值<0.5%;穩(wěn)壓精度<1%;當(dāng)輸出電??流<30?A?xí)r,穩(wěn)流精度<0.3?A,當(dāng)輸出電流>30?A??時,穩(wěn)流精度<1%;工作溫度-25 ̄50?T;噪聲<60?dB,??效率>93%;當(dāng)半載及以上時:輸入電流總諧波畸??變率(THD)<8%,當(dāng)滿載時:77//)<5%;當(dāng)半載及??以上時,功率因數(shù)>0.98,功能為恒壓/限流;??基本性能參數(shù),這里基于全碳化硅功率器件設(shè)計
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高速SiC MOSFET開關(guān)特性的測試方法[J]. 梁美,李艷,鄭瓊林,趙紅雁. 電工技術(shù)學(xué)報. 2017(14)
[2]國家“十三五”交通領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃發(fā)布[J]. 郭嘉文. 廣東交通. 2017 (03)
[3]基于同步逆變器的電動汽車V2G智能充放電控制技術(shù)[J]. 劉東奇,鐘慶昌,王耀南,梁英. 中國電機(jī)工程學(xué)報. 2017(02)
[4]用于精確預(yù)測SiC MOSFET開關(guān)特性的分析模型[J]. 梁美,鄭瓊林,李艷,巴騰飛. 電工技術(shù)學(xué)報. 2017(01)
[5]SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性對比及其在DAB變換器中的應(yīng)用[J]. 梁美,鄭瓊林,可翀,李艷,游小杰. 電工技術(shù)學(xué)報. 2015(12)
本文編號:3628939
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