自HP實(shí)驗(yàn)室提出納米憶阻器（Memristor,MR）以來,這種具有記憶功能的特殊元件就掀起了國內(nèi)外學(xué)者們的研究熱潮。憶阻器因其具有體積小、功耗低和信息記憶的特性,在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、電力電子等各個(gè)領(lǐng)域都具有極大的應(yīng)用潛力。本文設(shè)計(jì)了幾種記憶元件模擬器,并在浮地型憶阻器模型的基礎(chǔ)上提出了一種控制憶阻器極值的方法。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了截止頻率可控型低通、高通和帶通濾波器,并將憶阻帶通濾波器應(yīng)用到電力線載波通信技術(shù)中。首先,本文對記憶元件的提出和發(fā)展進(jìn)行簡要介紹和梳理,并對憶阻器控制方法、憶阻濾波器的現(xiàn)狀以及電力線載波通信技術(shù)進(jìn)行概述。其次,設(shè)計(jì)了四種不同類型的憶阻器模擬器,分別為Simulink型、模擬-數(shù)字混合型、浮地型和電流型和一種基于變?nèi)荻䴓O管的通用記憶元件模擬器。這種通用記憶元件模擬器只需更改電路中的一個(gè)元件就可以實(shí)現(xiàn)憶阻器、憶容器和憶感器的相互轉(zhuǎn)換。通過仿真模擬驗(yàn)證和硬件實(shí)驗(yàn)電路驗(yàn)證,記憶元件模擬器均能實(shí)現(xiàn)記憶功能,符合記憶元件的定義。第三,根據(jù)浮地型憶阻模擬器的實(shí)現(xiàn)原理,提出了一種控制憶阻器極值的方法,該方法無需額外的控制電路即可實(shí)現(xiàn)憶阻值在兩個(gè)阻值之間切換。然后利用此憶阻模擬器設(shè)計(jì)了一... 

【文章來源】：中國礦業(yè)大學(xué)江蘇省211工程院校教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：98 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
abstract
變量注釋表
1 緒論
    1.1 記憶元件及其可控憶阻濾波器的研究背景和意義
    1.2 PLC的研究背景和意義
    1.3 本文主要研究內(nèi)容
2 記憶元件模擬器
    2.1 引言
    2.2 基于Simulink的憶阻模擬器
    2.3 模擬-數(shù)字混合電路構(gòu)成的憶阻模擬器
    2.4 浮地型憶阻模擬器
    2.5 電流型憶阻模擬器
    2.6 通用記憶元件模擬器
    2.7 本章小結(jié)
3 基于二值憶阻器的截止頻率可控濾波器
    3.1 引言
    3.2 二值憶阻器的實(shí)現(xiàn)
    3.3 憶阻低通濾波器
    3.4 憶阻高通濾波器
    3.5 本章小結(jié)
4 基于二值憶阻器的帶通濾波器及其在PLC中的應(yīng)用
    4.1 引言
    4.2 電力線載波通信建模
    4.3 電力線載波通信策略
    4.4 適用于PLC的二值憶阻帶通濾波器設(shè)計(jì)
    4.5 憶阻帶通濾波器在PLC中的應(yīng)用
    4.6 本章小結(jié)
5 總結(jié)與展望
    5.1 本文主要工作
    5.2 需進(jìn)一步研究的內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
作者簡歷
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集


【參考文獻(xiàn)】：
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