碲鎘汞集成偏振探測器應(yīng)力分析
發(fā)布時間:2022-02-10 02:08
紅外碲鎘汞集成偏振探測器的結(jié)構(gòu)是采用多個芯片疊層的方式,由于各層的材料不同,熱膨脹系數(shù)不同,在低溫下工作時各層界面之間存在應(yīng)力,應(yīng)力控制的不好會造成芯片裂片等情況,導(dǎo)致探測器性能劣化或無法使用。本文對長波320×256碲鎘汞集成偏振探測器的裂片現(xiàn)象進(jìn)行了分析,對存在的應(yīng)力運(yùn)用軟件進(jìn)行了仿真,得到了碲鎘汞芯片上的應(yīng)力值及減小應(yīng)力的方向。針對仿真分析的結(jié)果進(jìn)行了相應(yīng)的銦柱降低、碲鋅鎘襯底減薄的試驗(yàn),解決了碲鎘汞集成偏振探測器的裂片現(xiàn)象。
【文章來源】:激光與紅外. 2020,50(09)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
碲鎘汞集成偏振探測器裂片現(xiàn)象
碲鎘汞集成偏振探測器的組成如圖2所示,紅外輻射照射到偏振結(jié)構(gòu)上,不同偏振態(tài)的信號由碲鎘汞像元接收,接收后光信號轉(zhuǎn)換為電流,電流經(jīng)過積分電路后積分放大,實(shí)現(xiàn)電荷到電壓的轉(zhuǎn)換,最終表現(xiàn)出不同偏振態(tài)的圖像,經(jīng)過融合后,得到融合的偏振圖像。2.2 碲鎘汞集成偏振探測器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡要說明
在ANSYS軟件中建立碲鎘汞集成偏振探測器應(yīng)力仿真模型,模型包括碲鎘汞長波320×256(中心間距30 μm)芯片、硅讀出電路、銦柱、碲鋅鎘襯底、偏振光柵金屬層,如圖3所示。仿真模型中,銦柱高度≤12 μm,碲鋅鎘厚度≤400 μm;偏振光柵金屬層分別為鉻-金材料、鋁材料,金屬層的厚度≤1 μm,金屬層材料參數(shù)如表1。仿真模型的工作溫度為80 K。表1 金屬層材料參數(shù)Tab.1 Metal layer material parameters 材料 熱膨脹系數(shù)/(1×10-6·k-1) 彈性模量/GPa 金 10 79 鉻 6.2 279 鋁 23 22
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]百萬像素級紅外焦平面器件倒裝互連工藝研究[J]. 謝珩,王憲謀,王駿. 激光與紅外. 2017(03)
[2]讀出電路銦柱打底層對銦柱成球高度的影響[J]. 謝珩,梁宗久,楊雅茹. 激光與紅外. 2011(01)
[3]InSb紅外焦平面探測器結(jié)構(gòu)應(yīng)力的ANSYS分析[J]. 孟慶端,呂衍秋,魯正雄,孫維國. 紅外與毫米波學(xué)報(bào). 2010(06)
[4]疊層CSP芯片封裝熱應(yīng)力分析與優(yōu)化[J]. 周喜,李莉. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2009(05)
[5]多芯片疊層封裝中的芯片應(yīng)力分析及結(jié)構(gòu)優(yōu)化[J]. 劉彪,王明湘,林天輝. 半導(dǎo)體技術(shù). 2005(11)
本文編號:3618056
【文章來源】:激光與紅外. 2020,50(09)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
碲鎘汞集成偏振探測器裂片現(xiàn)象
碲鎘汞集成偏振探測器的組成如圖2所示,紅外輻射照射到偏振結(jié)構(gòu)上,不同偏振態(tài)的信號由碲鎘汞像元接收,接收后光信號轉(zhuǎn)換為電流,電流經(jīng)過積分電路后積分放大,實(shí)現(xiàn)電荷到電壓的轉(zhuǎn)換,最終表現(xiàn)出不同偏振態(tài)的圖像,經(jīng)過融合后,得到融合的偏振圖像。2.2 碲鎘汞集成偏振探測器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡要說明
在ANSYS軟件中建立碲鎘汞集成偏振探測器應(yīng)力仿真模型,模型包括碲鎘汞長波320×256(中心間距30 μm)芯片、硅讀出電路、銦柱、碲鋅鎘襯底、偏振光柵金屬層,如圖3所示。仿真模型中,銦柱高度≤12 μm,碲鋅鎘厚度≤400 μm;偏振光柵金屬層分別為鉻-金材料、鋁材料,金屬層的厚度≤1 μm,金屬層材料參數(shù)如表1。仿真模型的工作溫度為80 K。表1 金屬層材料參數(shù)Tab.1 Metal layer material parameters 材料 熱膨脹系數(shù)/(1×10-6·k-1) 彈性模量/GPa 金 10 79 鉻 6.2 279 鋁 23 22
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]百萬像素級紅外焦平面器件倒裝互連工藝研究[J]. 謝珩,王憲謀,王駿. 激光與紅外. 2017(03)
[2]讀出電路銦柱打底層對銦柱成球高度的影響[J]. 謝珩,梁宗久,楊雅茹. 激光與紅外. 2011(01)
[3]InSb紅外焦平面探測器結(jié)構(gòu)應(yīng)力的ANSYS分析[J]. 孟慶端,呂衍秋,魯正雄,孫維國. 紅外與毫米波學(xué)報(bào). 2010(06)
[4]疊層CSP芯片封裝熱應(yīng)力分析與優(yōu)化[J]. 周喜,李莉. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2009(05)
[5]多芯片疊層封裝中的芯片應(yīng)力分析及結(jié)構(gòu)優(yōu)化[J]. 劉彪,王明湘,林天輝. 半導(dǎo)體技術(shù). 2005(11)
本文編號:3618056
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