量子點(diǎn)由于其獨(dú)特的物理化學(xué)特性,使其在量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管（QLED）領(lǐng)域中受到了極高的關(guān)注。自1994年Alivisatos等報(bào)道QLED以來(lái),人們?cè)谔嵘齉LED性能上做出了很多努力。改善器件性能的工作主要包括如下兩個(gè)方面。一是優(yōu)化量子點(diǎn)發(fā)光材料,如制備核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)或選擇合適的配體修飾量子點(diǎn)等;另一方面是優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),主要為根據(jù)能級(jí)排列及載流子遷移率來(lái)選擇合適的電荷傳輸層以及對(duì)電荷傳輸層進(jìn)行修飾,從而改善量子點(diǎn)中載流子的注入平衡,抑制量子點(diǎn)發(fā)光淬滅等。近期器件性能取得了突破性進(jìn)展,有文獻(xiàn)報(bào)道紅綠藍(lán)三種顏色QLED的亮度分別達(dá)到了35600 cd/m²,2614000 cd/m²,62600 cd/m²。雖然QLED的性能得到了飛速的提升,但是高性能QLED依舊依賴于含有鎘元素的量子點(diǎn)作為發(fā)光層。鎘是重金屬元素,不僅會(huì)污染環(huán)境,而且還會(huì)危害人類的健康。所以開(kāi)發(fā)制備高性能的無(wú)鎘低毒量子點(diǎn)（例如ZnS,CuInS₂,InP,AgInS₂等）作為發(fā)光層的QLED是必要的。目前,無(wú)... 

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1LCD，OLED，QLED結(jié)構(gòu)示意圖

圖 1.2.1 常用量子點(diǎn)的發(fā)光波長(zhǎng)示意圖體 QDs 制備過(guò)程便捷，生產(chǎn)成本低廉，成膜工藝簡(jiǎn)單[1-4]。目前人們可以調(diào)控 QDs 的形貌及尺寸，提高量子產(chǎn)率。此外，由于 QDs 的特性，我們不改變材料的組分情況下得到不同的發(fā)光波長(zhǎng)。基于以上的優(yōu)點(diǎn)，QDs 在件中得到了廣泛的研究。.2 量子點(diǎn)的種類著人們對(duì) QDs 的深入研究和討論，提出了核殼結(jié)構(gòu) QDs。核殼結(jié)構(gòu) QD少兩種半導(dǎo)體材料組成的異質(zhì)結(jié)。這種 QDs 可有效減少 QDs 核的表面陷鍵，抑制非輻射復(fù)合，提高 QDs 的發(fā)光效率，改善 QDs 的光穩(wěn)定性和化性。根據(jù)核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的帶隙排布不同，QDs 可大致分為三種：Ⅰ-型，反Ⅰ-型，如圖 1.2.2 所示。

圖 1.2.1 常用量子點(diǎn)的發(fā)光波長(zhǎng)示意圖膠體 QDs 制備過(guò)程便捷，生產(chǎn)成本低廉，成膜工藝簡(jiǎn)單[1-4]。目前人們可以精準(zhǔn)地調(diào)控 QDs 的形貌及尺寸，提高量子產(chǎn)率。此外，由于 QDs 的特性，我們可以在不改變材料的組分情況下得到不同的發(fā)光波長(zhǎng)。基于以上的優(yōu)點(diǎn)，QDs 在光電器件中得到了廣泛的研究。1.2.2 量子點(diǎn)的種類隨著人們對(duì) QDs 的深入研究和討論，提出了核殼結(jié)構(gòu) QDs。核殼結(jié)構(gòu) QDs是由至少兩種半導(dǎo)體材料組成的異質(zhì)結(jié)。這種 QDs 可有效減少 QDs 核的表面陷阱及懸鍵，抑制非輻射復(fù)合，提高 QDs 的發(fā)光效率，改善 QDs 的光穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性。根據(jù)核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的帶隙排布不同，QDs 可大致分為三種：Ⅰ-型，Ⅱ-型，反Ⅰ-型，如圖 1.2.2 所示。


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