本文構造了一種可在實驗上實現的閃鋅礦Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs耦合雙拋物量子阱結構,重點考慮非對稱情況,首先,利用有限差分法求解Schr?dinger方程,獲得體系的電子態(tài).進一步,采用密度矩陣理論求得電子在室溫下三個子帶間躍遷的光吸收系數及折射率變化,討論其尺寸和三元混晶效應,并將對稱與非對稱拋物阱結構所得結果與方阱情形進行了對比.首先,簡要介紹半導體量子阱相關研究進展,重點闡述耦合雙量子阱電子子帶間光吸收及折射率變化的研究歷史和現狀,并對相關問題在理論上的成果和存在的不足作了詳細介紹.指出雙拋物量子阱結構對電子子帶間光吸收及折射率的調制作用.進而,從理論上詳細地討論該結構的阱寬、中間壘厚、組分、光強、弛豫時間及外加電場的變化對電子子帶間光吸收及折射率變化的影響.計算結果表明:在拋物阱中,光吸收系數和折射率的峰值位置及大小對組分調節(jié)而成的勢壘高度較為敏感.同時,還可得出,外加電場的增加導致光吸收峰值減小,在電子從基態(tài)躍遷至第一激發(fā)態(tài)和第二激發(fā)態(tài)過程中,電場對光吸收譜的藍移起著重要作... 

【文章來源】：內蒙古大學內蒙古自治區(qū) 211工程院校

【文章頁數】：33 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 國內外相關研究進展
    1.2 論文內容安排
第二章 理論模型和計算
第三章 數值結果與討論
    3.1 對稱耦合雙量子阱Al_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As光吸收及折射率變化
    3.2 非對稱耦合雙量子阱Al_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As光吸收及折射率變化
    3.3 結論
參考文獻
致謝
攻讀碩士學位期間完成的論文


【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
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[3]AlxGa1-xN/GaN雙量子阱中子帶間躍遷的研究[D]. 雷雙瑛.北京大學 2006



本文編號：3602888