本文構(gòu)造了一種可在實驗上實現(xiàn)的閃鋅礦Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs耦合雙拋物量子阱結(jié)構(gòu),重點考慮非對稱情況,首先,利用有限差分法求解Schr?dinger方程,獲得體系的電子態(tài).進一步,采用密度矩陣?yán)碚撉蟮秒娮釉谑覝叵氯齻�子帶間躍遷的光吸收系數(shù)及折射率變化,討論其尺寸和三元混晶效應(yīng),并將對稱與非對稱拋物阱結(jié)構(gòu)所得結(jié)果與方阱情形進行了對比.首先,簡要介紹半導(dǎo)體量子阱相關(guān)研究進展,重點闡述耦合雙量子阱電子子帶間光吸收及折射率變化的研究歷史和現(xiàn)狀,并對相關(guān)問題在理論上的成果和存在的不足作了詳細介紹.指出雙拋物量子阱結(jié)構(gòu)對電子子帶間光吸收及折射率的調(diào)制作用.進而,從理論上詳細地討論該結(jié)構(gòu)的阱寬、中間壘厚、組分、光強、弛豫時間及外加電場的變化對電子子帶間光吸收及折射率變化的影響.計算結(jié)果表明:在拋物阱中,光吸收系數(shù)和折射率的峰值位置及大小對組分調(diào)節(jié)而成的勢壘高度較為敏感.同時,還可得出,外加電場的增加導(dǎo)致光吸收峰值減小,在電子從基態(tài)躍遷至第一激發(fā)態(tài)和第二激發(fā)態(tài)過程中,電場對光吸收譜的藍移起著重要作... 

【文章來源】：內(nèi)蒙古大學(xué)內(nèi)蒙古自治區(qū) 211工程院校

【文章頁數(shù)】：33 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 國內(nèi)外相關(guān)研究進展
    1.2 論文內(nèi)容安排
第二章 理論模型和計算
第三章 數(shù)值結(jié)果與討論
    3.1 對稱耦合雙量子阱Al_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As光吸收及折射率變化
    3.2 非對稱耦合雙量子阱Al_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As光吸收及折射率變化
    3.3 結(jié)論
參考文獻
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間完成的論文


【參考文獻】：
期刊論文
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[2]Performance Improvement of GaN-Based Violet Laser Diodes[J]. 趙德剛,江德生,樂伶聰,楊靜,陳平,劉宗順,朱建軍,張立群.  Chinese Physics Letters. 2017(01)
[3]Excitonic transitions in Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum well[J]. 鄭衛(wèi)民,李素梅,叢偉艷,王愛芳,李斌,黃海北.  Chinese Physics B. 2016(04)
[4]纖鋅礦結(jié)構(gòu)ZnO/MgxZn1-xO量子阱中帶間光吸收的尺寸效應(yīng)和三元混晶效應(yīng)[J]. 谷卓,班士良.  物理學(xué)報. 2014(10)

博士論文
[1]GaAs/AlGaAs量子阱材料微觀結(jié)構(gòu)與器件特性分析研究[D]. 胡小英.西安電子科技大學(xué) 2013
[2]應(yīng)變纖鋅礦量子阱中的電子態(tài)[D]. 朱俊.內(nèi)蒙古大學(xué) 2012
[3]AlxGa1-xN/GaN雙量子阱中子帶間躍遷的研究[D]. 雷雙瑛.北京大學(xué) 2006



本文編號：3602888