發(fā)布時(shí)間：2022-01-20 09:43

　　研究了雙包層As₂Se₃硫化物光子晶體光纖內(nèi)、外包層結(jié)構(gòu)對(duì)受激布里淵散射慢光特性的影響.在分析雙包層As₂Se₃硫化物光子晶體光纖結(jié)構(gòu)對(duì)布里淵增益譜的影響時(shí),考慮了聲場(chǎng)的高階模式.研究結(jié)果表明,內(nèi)包層占空比的變化對(duì)慢光特性影響較大,隨內(nèi)包層占空比的增加,布里淵增益譜的主峰逐漸降低,第二個(gè)峰值逐漸上升,時(shí)間延遲量增加,布里淵增益的變化趨勢(shì)與其相似.但這些特性受外包層占空比的變化影響較小,布里淵增益譜的第二個(gè)峰值略微上升,而時(shí)間延遲及增益變化很小.因此雙包層As₂Se₃硫化物光子晶體光纖的慢光特性受內(nèi)包層占空比影響較大.而與內(nèi)包層相比,這些特性受外包層占空比的影響較小. 

【文章來(lái)源】：蘭州理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,46(03)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

圖10 時(shí)間延遲隨AFF的變化

圖1為雙包層As2Se3 PCF的端面圖,空氣孔呈正六邊形排列在As2Se3硫化物材料中,共有5層,內(nèi)包層為3層,外包層為2層.其中:Λ為任意兩個(gè)相鄰空氣孔間的中心間距,即截距;d1為內(nèi)層空氣孔直徑,此時(shí)d1/Λ=0.4;d2為外層空氣孔直徑,d2/Λ=0.6;保持截距Λ=2.6 μm.分別改變內(nèi)包層空氣孔直徑d1和外包層空氣孔直徑d2,利用有限元法分別模擬了在外包層AFF不變的條件下內(nèi)包層AFF d1/Λ為0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9以及內(nèi)包層AFF不變的情況下外包層AFF d2/Λ改變下的有效模場(chǎng)面積、布里淵增益譜、時(shí)間延遲量、布里淵增益,即分析內(nèi)、外包層結(jié)構(gòu)的變化對(duì)它們的影響.2.1 模場(chǎng)分布

圖2為此結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的光場(chǎng)基模和聲場(chǎng)基模.可以看到,由于PCF對(duì)光束強(qiáng)烈的限制作用,光場(chǎng)被牢牢集中在纖芯;由于PCF的聲波導(dǎo)結(jié)構(gòu),聲場(chǎng)基模也被緊緊束縛在纖芯.圖3為不同聲模對(duì)應(yīng)聲光耦合因子,代表了光場(chǎng)和聲場(chǎng)的耦合效率.由圖3可以看到,光場(chǎng)基模與聲場(chǎng)基模的耦合效率最高,與聲場(chǎng)高階模的耦合效率很低,并且聲波模式越高階對(duì)應(yīng)的BFS越大.由此,與光場(chǎng)耦合效率僅次于聲基模的聲場(chǎng)高階模式被選擇,分析內(nèi)、外包層AFF的改變對(duì)其分布的影響.

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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本文編號(hào)：3598599