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基于CuInS 2 /ZnS量子點(diǎn)發(fā)光器件性能的研究

發(fā)布時(shí)間:2022-01-16 18:35
  由于膠體量子點(diǎn)(QDs)或半導(dǎo)體納米晶體的性質(zhì)隨尺寸,形狀和組成而變化,因此對(duì)于許多光電應(yīng)用極具吸引力。其獨(dú)特的光學(xué)特性,特別是其窄帶寬和可調(diào)諧的光致發(fā)光(PL),在過(guò)去三十年左右引起很多關(guān)注。尤其QD色純度高和色域廣的特性在顯示方面具有極大的競(jìng)爭(zhēng)力。自從1994年首次報(bào)道膠體量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)以來(lái),已經(jīng)嘗試各種方法改善器件的性能,包括新型器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),新型QD和傳輸材料的開(kāi)發(fā),以及載流子注入的優(yōu)化。與早期使用厚的QD層作為發(fā)光層和電子傳輸層(ETL)的結(jié)構(gòu)相比,通過(guò)使用單層有序的QD,能最小化電阻并將激子高效的限制在發(fā)光層,從而大大改善QLED的發(fā)光效率。通過(guò)優(yōu)化QD層的厚度和純化QD,可以獲得更好的QLED性能。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對(duì)高品質(zhì)顯示和固態(tài)照明的要求越來(lái)越高。新型倒置結(jié)構(gòu)器件,由于其制備過(guò)程簡(jiǎn)單,成本更低,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,進(jìn)一步推動(dòng)了QLED的發(fā)展。盡管近年來(lái)QLED的性能有了顯著的提高,但傳統(tǒng)器件大都使用CdSe量子點(diǎn)作為發(fā)光材料,此種器件由于含有重金屬有毒元素Cd而無(wú)法得大規(guī)模的實(shí)際應(yīng)用。同時(shí)器件中載流子注入,電子-空穴復(fù)合和載流子平衡方面仍然需要改進(jìn)才能實(shí)... 

【文章來(lái)源】:吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】:52 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

基于CuInS 2 /ZnS量子點(diǎn)發(fā)光器件性能的研究


XinhuaZhong報(bào)道的CdSe量子點(diǎn)PL譜,圖片來(lái)自參考文獻(xiàn)16相比于傳統(tǒng)有機(jī)材料來(lái)說(shuō),量子點(diǎn)發(fā)光材料具有色域廣,色純度高,量子產(chǎn)率高,

器件結(jié)構(gòu),發(fā)光原理,載流子注入,能量轉(zhuǎn)移


QLED器件結(jié)構(gòu)

器件結(jié)構(gòu),器件


有機(jī)無(wú)機(jī)CTL器件結(jié)構(gòu)


本文編號(hào):3593210

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