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毫米波低噪聲放大器及片上天線的關(guān)鍵技術(shù)研究

發(fā)布時間:2022-01-16 05:18
  信息產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,對低成本、低功耗、高數(shù)據(jù)傳輸速率和高密度集成電路的需求不斷增加。為了實現(xiàn)更高傳輸速率、更大帶寬的無線應用,大量的電路研究都集中在毫米波方向。CMOS技術(shù)的不斷的更新迭代,使得電路工作在毫米波頻段成為可能。5G毫米波通信,汽車雷達(77 GHz)和毫米波成像系統(tǒng)(94 GHz)等新興的毫米波無線商業(yè)應用給電路系統(tǒng)設計帶來了新的挑戰(zhàn):隨著CMOS工藝的發(fā)展,金屬互連線的厚度越來越薄,且與基板之間的距離越來越短,嚴重影響了片上有源器件和無源器件的性能。因此,需要合理地設計毫米波片上組件和電路來適應無線通信發(fā)展。本文基于CMOS 65nm工藝,針對片上天線和毫米波低噪聲放大器進行深入研究。本文的主要研究工作和創(chuàng)新點如下:(1)本文針對人工磁導體(AMC)的反射特性進行了應用研究。本文設計了兩款新穎的AMC結(jié)構(gòu),分別是希爾伯特曲線型人工磁導體結(jié)構(gòu)和螺旋交織型人工磁導體結(jié)構(gòu)。經(jīng)過仿真驗證,設計的AMC在整個E波段的反射相位介于-π/2至π/2。(2)將所提出的AMC結(jié)構(gòu)應用到片上天線的優(yōu)化設計中,提出了加載希爾伯特曲線型人工磁導體的八木-宇田天線和加載螺旋交織型人工磁導體的E波... 

【文章來源】:溫州大學浙江省

【文章頁數(shù)】:81 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

毫米波低噪聲放大器及片上天線的關(guān)鍵技術(shù)研究


提出的新型AMC單元結(jié)構(gòu)的幾何形狀

【參考文獻】:
碩士論文
[1]三維集成60GHz片上天線設計[D]. 胡明洋.西安電子科技大學 2014



本文編號:3592012

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