采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)在GaAs襯底上生長(zhǎng)AlGaInP紅光發(fā)光二極管器件,在表層GaP上沉積氧化銦錫透明導(dǎo)電層,使用掃描電鏡分析器件外觀、透射電鏡觀察器件各層結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)測(cè)試其光電參數(shù)、回流焊驗(yàn)證器件的熱穩(wěn)定性、X射線光電子能譜分析氧化銦錫透明導(dǎo)電層中In、O元素化合態(tài);研究了不同氧化銦錫透明導(dǎo)電層厚度對(duì)器件光電參數(shù)、熱穩(wěn)定性、發(fā)光角度的影響,結(jié)果表明隨著氧化銦錫透明導(dǎo)電層厚度增加器件電壓降低、發(fā)光亮度先增加后下降,熱穩(wěn)定性隨厚度增加而變好,發(fā)光角度隨厚度增加而減小。 

【文章來源】：真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2020,40(01)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)過程
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
    2.1 結(jié)構(gòu)特性分析
    2.2 光電參數(shù)特性分析
    2.3 熱穩(wěn)定性分析
    2.4 發(fā)光角度分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]GaP表面粗化對(duì)AlGaInP發(fā)光二極管光電特性的影響[J]. 肖和平,朱迪.  光電子·激光. 2018(12)
[2]尺度對(duì)金屬材料電阻率影響的研究進(jìn)展[J]. 張廣平,李孟林,吳細(xì)毛,李春和,羅雪梅.  材料研究學(xué)報(bào). 2014(02)



本文編號(hào)：3591141