TLP連接過(guò)程中Cu/(Ni,Sn)/Cu,Ni/(Ni,Sn)/Cu,Ni/(Ni,Sn)/Ni及Si/(Ni,Sn)
發(fā)布時(shí)間:2022-01-14 21:30
近年來(lái),由于對(duì)功率器件高溫服役性能要求的提高,電子行業(yè)面臨著巨大的挑戰(zhàn)。寬禁帶半導(dǎo)體如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有優(yōu)異的物理、化學(xué)性能,能夠在300℃甚至更高的溫度下工作,在航空航天、核能等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,一個(gè)關(guān)鍵的問題是這些半導(dǎo)體功率器件中使用的粘接材料是否能承受如此高的工作溫度。傳統(tǒng)的粘接材料如無(wú)鉛共晶焊料、納米材料等,都因各自的缺陷而被限制了應(yīng)用。瞬時(shí)液相(Transient liquid phase,TLP)擴(kuò)散連接方法,由于能夠在相對(duì)低的溫度下形成具有高熔點(diǎn)金屬間化合物(Intermetallic compound,IMC)的焊接接頭,具有較大的優(yōu)勢(shì)。目前關(guān)于倒裝芯片中普遍形成的Cu/釬料/Cu,Ni/釬料/Ni或Cu/釬料/Ni封裝接頭的顯微結(jié)構(gòu)和可靠性對(duì)比研究較少,本文利用TLP連接方法,研究了這三種結(jié)構(gòu)接頭的顯微結(jié)構(gòu)演化及可靠性之間的關(guān)系,并進(jìn)一步探討Cu原子含量對(duì)接頭顯微結(jié)構(gòu)演化和可靠性的影響規(guī)律。最后分析了實(shí)際封裝結(jié)構(gòu)Si/(Ni,Sn)/Cu中Ni-Sn接頭的顯微結(jié)構(gòu)演化并評(píng)估其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。主要內(nèi)容如下:(1)研究了Cu/(Ni,Sn...
【文章來(lái)源】:華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:84 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
不同條件及時(shí)間指數(shù)n時(shí)Ni3Sn4層的生長(zhǎng)行為示意圖
華南理工大學(xué)碩士學(xué)位論文第二章 實(shí)驗(yàn)材料和方法.1 樣品的制備與連接.1.1 樣品的制備在本文中,通過(guò)在兩層納米 Ni 焊膏(<100 nm,每層 10 μm)中插入一層純 Sn 箔(99t%, 50 μm 厚)組成 Ni-Sn 燒結(jié)接頭,如圖 2-1(a)所示。圖 2-1(b)為納米 Ni 與 Sn 之間應(yīng)形式和擴(kuò)散方向示意圖。納米 Ni 高的表面-體積比可以改善固體 Ni 與熔融 Sn 的面積,減少擴(kuò)散距離和時(shí)間。
50 μm 厚)組成 Ni-Sn 燒結(jié)接頭,如圖 2-1(a)所示。圖 2-1(b)為納米 Ni 與 Sn 之間應(yīng)形式和擴(kuò)散方向示意圖。納米 Ni 高的表面-體積比可以改善固體 Ni 與熔融 Sn 的面積,減少擴(kuò)散距離和時(shí)間。圖 2-1 (a)Ni-Sn 接頭和(b)納米 Ni 與 Sn 箔的反應(yīng)模式及熔融 Sn 的擴(kuò)散方向示意圖Fig. 2-1 Schematics of (a) Ni-Sn joint and (b) the reaction mode of nano-Ni paste with Sn foil and tdiffusion direction of melting Sn納米 Ni 的化學(xué)成分如表 2-1 所示。圖 2-2 為燒結(jié)連接實(shí)驗(yàn)中采用的四種樣品組合。其中 Cu 板表面沉積了 2 mm 厚 Ni 層,純 Ni 片為 1 mm 厚,Cu 板和純 Ni 片為燒結(jié)連接的基體金屬。Ni 片在連接前用 400,800 的 SiC 砂紙研磨至光亮。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]低溫?zé)Y(jié)納米銅焊膏的制備及其連接性能分析[J]. 楊婉春,王帥,祝溫泊,魏軍,李明雨. 焊接學(xué)報(bào). 2018(06)
[2]熱遷移下Ni/Sn-xCu/Ni微焊點(diǎn)釬焊界面金屬間化合物的演變[J]. 趙寧,鄧建峰,鐘毅,殷錄橋. 金屬學(xué)報(bào). 2017(07)
[3]Ag-Sn低溫過(guò)渡液相連接中Ag3Sn晶粒的生長(zhǎng)機(jī)理(英文)[J]. 邵華凱,吳愛萍,包育典,趙玥,鄒貴生. Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2017(03)
[4]脈沖電流快速燒結(jié)納米銅焊膏連接銅鎳基板研究[J]. 黃圓,田艷紅,江智,王晨曦. 機(jī)械工程學(xué)報(bào). 2017(04)
[5]納米銀焊膏燒結(jié)大功率LED模塊的高溫可靠性研究[J]. 陳佳,李欣,孔亞飛,梅云輝,陸國(guó)權(quán). 發(fā)光學(xué)報(bào). 2016(09)
[6]碳化硅半導(dǎo)體SiC在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用[J]. HAFOM. 集成電路應(yīng)用. 2016(02)
[7]Sn-Ag-In微凸點(diǎn)高溫時(shí)效可靠性研究[J]. 張建春,吳海建,王棟良,丁小軍,王松原. 航空維修與工程. 2015(09)
[8]納米銀與納米銅混合焊膏用于電子封裝低溫?zé)Y(jié)連接[J]. 張穎川,閆劍鋒,鄒貴生,白海林,劉磊,閆久春,ZHOU Yunhong. 焊接學(xué)報(bào). 2013(08)
[9]Sn-Bi系列低溫?zé)o鉛焊料及其發(fā)展趨勢(shì)[J]. 徐駿,胡強(qiáng),林剛,張富文. 電子工藝技術(shù). 2009(01)
博士論文
[1]復(fù)合納米銀顆粒低溫?zé)Y(jié)機(jī)理及其性能研究[D]. 肖勇.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
碩士論文
[1]氮化鎵功率器件的特性及其應(yīng)用的研究[D]. 劉武揚(yáng).天津工業(yè)大學(xué) 2018
[2]納米銀焊膏粘接接頭的可靠性研究[D]. 張澤升.天津大學(xué) 2013
[3]SnAgCu無(wú)鉛焊料的力學(xué)性能及疲勞損傷研究[D]. 吳浩.東北大學(xué) 2011
[4]Sn-Cu基無(wú)鉛焊料及其釬焊接頭的剪切性能[D]. 高艷俊.大連理工大學(xué) 2010
本文編號(hào):3589247
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【文章頁(yè)數(shù)】:84 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
不同條件及時(shí)間指數(shù)n時(shí)Ni3Sn4層的生長(zhǎng)行為示意圖
華南理工大學(xué)碩士學(xué)位論文第二章 實(shí)驗(yàn)材料和方法.1 樣品的制備與連接.1.1 樣品的制備在本文中,通過(guò)在兩層納米 Ni 焊膏(<100 nm,每層 10 μm)中插入一層純 Sn 箔(99t%, 50 μm 厚)組成 Ni-Sn 燒結(jié)接頭,如圖 2-1(a)所示。圖 2-1(b)為納米 Ni 與 Sn 之間應(yīng)形式和擴(kuò)散方向示意圖。納米 Ni 高的表面-體積比可以改善固體 Ni 與熔融 Sn 的面積,減少擴(kuò)散距離和時(shí)間。
50 μm 厚)組成 Ni-Sn 燒結(jié)接頭,如圖 2-1(a)所示。圖 2-1(b)為納米 Ni 與 Sn 之間應(yīng)形式和擴(kuò)散方向示意圖。納米 Ni 高的表面-體積比可以改善固體 Ni 與熔融 Sn 的面積,減少擴(kuò)散距離和時(shí)間。圖 2-1 (a)Ni-Sn 接頭和(b)納米 Ni 與 Sn 箔的反應(yīng)模式及熔融 Sn 的擴(kuò)散方向示意圖Fig. 2-1 Schematics of (a) Ni-Sn joint and (b) the reaction mode of nano-Ni paste with Sn foil and tdiffusion direction of melting Sn納米 Ni 的化學(xué)成分如表 2-1 所示。圖 2-2 為燒結(jié)連接實(shí)驗(yàn)中采用的四種樣品組合。其中 Cu 板表面沉積了 2 mm 厚 Ni 層,純 Ni 片為 1 mm 厚,Cu 板和純 Ni 片為燒結(jié)連接的基體金屬。Ni 片在連接前用 400,800 的 SiC 砂紙研磨至光亮。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]低溫?zé)Y(jié)納米銅焊膏的制備及其連接性能分析[J]. 楊婉春,王帥,祝溫泊,魏軍,李明雨. 焊接學(xué)報(bào). 2018(06)
[2]熱遷移下Ni/Sn-xCu/Ni微焊點(diǎn)釬焊界面金屬間化合物的演變[J]. 趙寧,鄧建峰,鐘毅,殷錄橋. 金屬學(xué)報(bào). 2017(07)
[3]Ag-Sn低溫過(guò)渡液相連接中Ag3Sn晶粒的生長(zhǎng)機(jī)理(英文)[J]. 邵華凱,吳愛萍,包育典,趙玥,鄒貴生. Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2017(03)
[4]脈沖電流快速燒結(jié)納米銅焊膏連接銅鎳基板研究[J]. 黃圓,田艷紅,江智,王晨曦. 機(jī)械工程學(xué)報(bào). 2017(04)
[5]納米銀焊膏燒結(jié)大功率LED模塊的高溫可靠性研究[J]. 陳佳,李欣,孔亞飛,梅云輝,陸國(guó)權(quán). 發(fā)光學(xué)報(bào). 2016(09)
[6]碳化硅半導(dǎo)體SiC在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用[J]. HAFOM. 集成電路應(yīng)用. 2016(02)
[7]Sn-Ag-In微凸點(diǎn)高溫時(shí)效可靠性研究[J]. 張建春,吳海建,王棟良,丁小軍,王松原. 航空維修與工程. 2015(09)
[8]納米銀與納米銅混合焊膏用于電子封裝低溫?zé)Y(jié)連接[J]. 張穎川,閆劍鋒,鄒貴生,白海林,劉磊,閆久春,ZHOU Yunhong. 焊接學(xué)報(bào). 2013(08)
[9]Sn-Bi系列低溫?zé)o鉛焊料及其發(fā)展趨勢(shì)[J]. 徐駿,胡強(qiáng),林剛,張富文. 電子工藝技術(shù). 2009(01)
博士論文
[1]復(fù)合納米銀顆粒低溫?zé)Y(jié)機(jī)理及其性能研究[D]. 肖勇.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
碩士論文
[1]氮化鎵功率器件的特性及其應(yīng)用的研究[D]. 劉武揚(yáng).天津工業(yè)大學(xué) 2018
[2]納米銀焊膏粘接接頭的可靠性研究[D]. 張澤升.天津大學(xué) 2013
[3]SnAgCu無(wú)鉛焊料的力學(xué)性能及疲勞損傷研究[D]. 吳浩.東北大學(xué) 2011
[4]Sn-Cu基無(wú)鉛焊料及其釬焊接頭的剪切性能[D]. 高艷俊.大連理工大學(xué) 2010
本文編號(hào):3589247
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