有機(jī)薄膜晶體管由于其柔性可穿戴、成本低、可低溫制備和大面積生產(chǎn)等特點(diǎn),被應(yīng)用于有源矩陣平板顯示、電致發(fā)光二極管和“電子紙”顯示等。然而,由于有機(jī)半導(dǎo)體無法實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的重?fù)诫s,導(dǎo)致其有機(jī)半導(dǎo)體與電極之間無法形成歐姆接觸,存在較高的肖特基勢(shì)壘,極大地影響了有機(jī)薄膜晶體管的性能,阻礙了低功耗和高增益有機(jī)薄膜晶體管的實(shí)現(xiàn)與發(fā)展。因此,我們需要深入研究有機(jī)薄膜晶體管的肖特基勢(shì)壘,并做到其勢(shì)壘高度可調(diào)控,實(shí)現(xiàn)歐姆接觸,以促成其更廣的應(yīng)用。首先需要挖掘的問題就是有機(jī)薄膜晶體管中實(shí)際肖特基勢(shì)壘高度的提取。因?yàn)殡姌O表面存在偶極子,金屬-半導(dǎo)體界面存在缺陷和鏡像力,以及有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)生費(fèi)米能級(jí)釘扎等原因,有機(jī)薄膜晶體管的實(shí)際肖特基勢(shì)壘高度與通過莫特-肖特基規(guī)則計(jì)算的理論值存在較大的偏差,這對(duì)于制備歐姆接觸的高性能有機(jī)薄膜晶體管來說,是極大的挑戰(zhàn)。其次,如何降低有機(jī)薄膜晶體管的肖特基勢(shì)壘高度以提升晶體管性能也一直是一個(gè)重大難題。對(duì)于有機(jī)薄膜晶體管而言,如何有效地調(diào)控不同晶體管的肖特基高度從而優(yōu)化器件的電學(xué)參數(shù),成了至關(guān)重要的問題。綜上所述,為提升有機(jī)晶體管的器件性能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用,非常有必要對(duì)肖特基勢(shì)壘高度的提... 

【文章來源】：華東師范大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

（a）由有機(jī)薄膜晶體管矩陣組成的熒光電泳油墨顯示屏；（b）由有機(jī)微處理器[12]

（a）底柵底接觸型；（b）底柵頂接觸型；（c）頂柵底接觸型；（d）頂柵頂接觸型

華東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文13圖2.1IDT-BT分子結(jié)構(gòu)圖2.1不同電極材料（Pt、Au、Cu和Cr）的IDT-BT有機(jī)薄膜晶體管的制備2.1.1襯底的清洗利用超聲清洗機(jī)，將規(guī)格為1.5cm×1.5cm的玻璃襯底分別在無水乙醇、去離子水和異丙醇中清洗15min，取出后放置于烘箱中烘干。2.1.2利用測(cè)控濺射方法制備不同金屬源/漏電極取四組清洗干凈的玻璃襯底，在襯底上覆蓋制備源/漏電極的掩膜版，通過磁控濺射的方法，在80kW條件下，分別濺射Pt、Au、Cu和Cr金屬，濺射時(shí)間分別為3min，3.5min，4min，5min，從而得到厚度為30nm的上述四種金屬電極，其溝道寬度為1200μm，溝道長(zhǎng)度為60μm~350μm。2.1.3利用溶膠-凝膠法制備IDT-BT半導(dǎo)體薄膜取適量8mg／mL的IDT-BT溶液滴在制備完金屬電極的玻璃襯底上，然后以2000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂60s，最后將旋涂完半導(dǎo)體溶液的襯底置于100°C加熱板上，在氬氣環(huán)境下加熱1h從而制得厚度為50nm的IDT-BT半導(dǎo)體薄膜。


本文編號(hào)：3577279