有機薄膜晶體管由于其柔性可穿戴、成本低、可低溫制備和大面積生產(chǎn)等特點,被應用于有源矩陣平板顯示、電致發(fā)光二極管和“電子紙”顯示等。然而,由于有機半導體無法實現(xiàn)穩(wěn)定的重摻雜,導致其有機半導體與電極之間無法形成歐姆接觸,存在較高的肖特基勢壘,極大地影響了有機薄膜晶體管的性能,阻礙了低功耗和高增益有機薄膜晶體管的實現(xiàn)與發(fā)展。因此,我們需要深入研究有機薄膜晶體管的肖特基勢壘,并做到其勢壘高度可調(diào)控,實現(xiàn)歐姆接觸,以促成其更廣的應用。首先需要挖掘的問題就是有機薄膜晶體管中實際肖特基勢壘高度的提取。因為電極表面存在偶極子,金屬-半導體界面存在缺陷和鏡像力,以及有機半導體發(fā)生費米能級釘扎等原因,有機薄膜晶體管的實際肖特基勢壘高度與通過莫特-肖特基規(guī)則計算的理論值存在較大的偏差,這對于制備歐姆接觸的高性能有機薄膜晶體管來說,是極大的挑戰(zhàn)。其次,如何降低有機薄膜晶體管的肖特基勢壘高度以提升晶體管性能也一直是一個重大難題。對于有機薄膜晶體管而言,如何有效地調(diào)控不同晶體管的肖特基高度從而優(yōu)化器件的電學參數(shù),成了至關重要的問題。綜上所述,為提升有機晶體管的器件性能實現(xiàn)大規(guī)模應用,非常有必要對肖特基勢壘高度的提... 

【文章來源】：華東師范大學上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

（a）由有機薄膜晶體管矩陣組成的熒光電泳油墨顯示屏；（b）由有機微處理器[12]

（a）底柵底接觸型；（b）底柵頂接觸型；（c）頂柵底接觸型；（d）頂柵頂接觸型

華東師范大學碩士學位論文13圖2.1IDT-BT分子結構圖2.1不同電極材料（Pt、Au、Cu和Cr）的IDT-BT有機薄膜晶體管的制備2.1.1襯底的清洗利用超聲清洗機，將規(guī)格為1.5cm×1.5cm的玻璃襯底分別在無水乙醇、去離子水和異丙醇中清洗15min，取出后放置于烘箱中烘干。2.1.2利用測控濺射方法制備不同金屬源/漏電極取四組清洗干凈的玻璃襯底，在襯底上覆蓋制備源/漏電極的掩膜版，通過磁控濺射的方法，在80kW條件下，分別濺射Pt、Au、Cu和Cr金屬，濺射時間分別為3min，3.5min，4min，5min，從而得到厚度為30nm的上述四種金屬電極，其溝道寬度為1200μm，溝道長度為60μm~350μm。2.1.3利用溶膠-凝膠法制備IDT-BT半導體薄膜取適量8mg／mL的IDT-BT溶液滴在制備完金屬電極的玻璃襯底上，然后以2000rpm的轉速旋涂60s，最后將旋涂完半導體溶液的襯底置于100°C加熱板上，在氬氣環(huán)境下加熱1h從而制得厚度為50nm的IDT-BT半導體薄膜。


本文編號：3577279