高穩(wěn)定性長脈沖調(diào)制器的設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)
發(fā)布時(shí)間:2022-01-08 00:54
為實(shí)現(xiàn)長脈沖輸出并改善調(diào)制器的穩(wěn)定性,提出了一種閉環(huán)控制的高壓長脈沖調(diào)制器。首先,介紹了脈沖調(diào)制器的基本原理和組成;然后,分析了調(diào)制器的工作過程;接著,研制了調(diào)制器模型樣機(jī)并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn),給出了實(shí)驗(yàn)波形,證實(shí)了高穩(wěn)定性長脈沖調(diào)制器能夠有效提高調(diào)制脈沖脈內(nèi)和脈間的穩(wěn)定性;最后,分析了影響調(diào)制器可靠性工作的重點(diǎn)因素,以及限制調(diào)制器性能的制約因素,并分別提出了解決方案。
【文章來源】:現(xiàn)代雷達(dá). 2020,42(05)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
高性能長脈沖調(diào)制器電路示意圖
根據(jù)調(diào)制器的工作原理,可知調(diào)制開關(guān)K1工作在開關(guān)狀態(tài),而調(diào)整開關(guān)K2工作在線性區(qū)域。要在負(fù)載RL得到較高質(zhì)量的調(diào)制脈沖,調(diào)整開關(guān)K2的工作狀態(tài)是其中的關(guān)鍵。根據(jù)調(diào)整開關(guān)K2的工作狀態(tài),在一個(gè)充放電周期內(nèi),高性能長脈沖調(diào)制器可以分為三個(gè)工作階段。需要特別說明的是,調(diào)制器輸出調(diào)制脈沖為負(fù)脈沖,采樣信號也為負(fù)脈沖信號,圖2中的采樣信號Vsam已經(jīng)過轉(zhuǎn)換,為正脈沖信號。t0~t1時(shí)刻:K1為斷開狀態(tài)。E1為C1充電,t1時(shí)刻前,C1充滿電壓。此時(shí),如圖3所示,采樣電壓Vsam隨著C1兩端的電壓升高而逐漸升高,基準(zhǔn)電壓Vref保持較低電平,誤差電壓Vdri保持在較低電平并呈現(xiàn)降低趨勢,則調(diào)整開關(guān)K2從導(dǎo)通逐漸到微導(dǎo)通。
t0~t1時(shí)刻:K1為斷開狀態(tài)。E1為C1充電,t1時(shí)刻前,C1充滿電壓。此時(shí),如圖3所示,采樣電壓Vsam隨著C1兩端的電壓升高而逐漸升高,基準(zhǔn)電壓Vref保持較低電平,誤差電壓Vdri保持在較低電平并呈現(xiàn)降低趨勢,則調(diào)整開關(guān)K2從導(dǎo)通逐漸到微導(dǎo)通。根據(jù)負(fù)載RL的不同,此時(shí)RL的阻抗一般為幾千歐姆到幾十千歐姆;調(diào)制開關(guān)K1的開路阻抗遠(yuǎn)大于均壓電阻R1的阻抗,因此,二者并聯(lián)后的阻抗約為R1,一般為幾兆歐姆到幾十兆歐姆;調(diào)整開關(guān)為開路狀態(tài)時(shí),調(diào)整開關(guān)K2的開路阻抗遠(yuǎn)大于均壓電阻R2的阻抗,因此K2微關(guān)斷時(shí),二者并聯(lián)后的阻抗約為R2,為保證K2的耐壓安全,均壓電阻R2的阻值必須符合
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]全固態(tài)Bouncer調(diào)制器的設(shè)計(jì)[J]. 楊景紅,田為,何秀華,楊明. 現(xiàn)代雷達(dá). 2018(10)
[2]150V直流開關(guān)調(diào)制器模型的計(jì)算和測試(英文)[J]. 陶小平,Rdiger Kaiser. 高能物理與核物理. 2004(03)
[3]Design of 150kV bouncer modulator[J]. Stefan CHOROBA. Nuclear Science and Techniques. 2003(04)
本文編號:3575587
【文章來源】:現(xiàn)代雷達(dá). 2020,42(05)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
高性能長脈沖調(diào)制器電路示意圖
根據(jù)調(diào)制器的工作原理,可知調(diào)制開關(guān)K1工作在開關(guān)狀態(tài),而調(diào)整開關(guān)K2工作在線性區(qū)域。要在負(fù)載RL得到較高質(zhì)量的調(diào)制脈沖,調(diào)整開關(guān)K2的工作狀態(tài)是其中的關(guān)鍵。根據(jù)調(diào)整開關(guān)K2的工作狀態(tài),在一個(gè)充放電周期內(nèi),高性能長脈沖調(diào)制器可以分為三個(gè)工作階段。需要特別說明的是,調(diào)制器輸出調(diào)制脈沖為負(fù)脈沖,采樣信號也為負(fù)脈沖信號,圖2中的采樣信號Vsam已經(jīng)過轉(zhuǎn)換,為正脈沖信號。t0~t1時(shí)刻:K1為斷開狀態(tài)。E1為C1充電,t1時(shí)刻前,C1充滿電壓。此時(shí),如圖3所示,采樣電壓Vsam隨著C1兩端的電壓升高而逐漸升高,基準(zhǔn)電壓Vref保持較低電平,誤差電壓Vdri保持在較低電平并呈現(xiàn)降低趨勢,則調(diào)整開關(guān)K2從導(dǎo)通逐漸到微導(dǎo)通。
t0~t1時(shí)刻:K1為斷開狀態(tài)。E1為C1充電,t1時(shí)刻前,C1充滿電壓。此時(shí),如圖3所示,采樣電壓Vsam隨著C1兩端的電壓升高而逐漸升高,基準(zhǔn)電壓Vref保持較低電平,誤差電壓Vdri保持在較低電平并呈現(xiàn)降低趨勢,則調(diào)整開關(guān)K2從導(dǎo)通逐漸到微導(dǎo)通。根據(jù)負(fù)載RL的不同,此時(shí)RL的阻抗一般為幾千歐姆到幾十千歐姆;調(diào)制開關(guān)K1的開路阻抗遠(yuǎn)大于均壓電阻R1的阻抗,因此,二者并聯(lián)后的阻抗約為R1,一般為幾兆歐姆到幾十兆歐姆;調(diào)整開關(guān)為開路狀態(tài)時(shí),調(diào)整開關(guān)K2的開路阻抗遠(yuǎn)大于均壓電阻R2的阻抗,因此K2微關(guān)斷時(shí),二者并聯(lián)后的阻抗約為R2,為保證K2的耐壓安全,均壓電阻R2的阻值必須符合
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]全固態(tài)Bouncer調(diào)制器的設(shè)計(jì)[J]. 楊景紅,田為,何秀華,楊明. 現(xiàn)代雷達(dá). 2018(10)
[2]150V直流開關(guān)調(diào)制器模型的計(jì)算和測試(英文)[J]. 陶小平,Rdiger Kaiser. 高能物理與核物理. 2004(03)
[3]Design of 150kV bouncer modulator[J]. Stefan CHOROBA. Nuclear Science and Techniques. 2003(04)
本文編號:3575587
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3575587.html
最近更新
教材專著