電容式MEMS加速度計(jì)接口電路芯片研究與設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2022-01-07 22:45
目前,微機(jī)械加速度計(jì)是應(yīng)用最廣泛的MEMS集成傳感器之一,具有非常廣闊的軍用及民用市場前景,現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、運(yùn)動(dòng)監(jiān)控、慣性導(dǎo)航、消費(fèi)電子、石油探測、航空航天等領(lǐng)域。但是相較于西方國家,無論是微加速度計(jì)相關(guān)技術(shù)研究還是產(chǎn)品商業(yè)化都比較落后,在關(guān)鍵技術(shù)及制造工藝上還存在著一系列問題亟待解決。特別是隨著物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展及應(yīng)用多元化,設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)低壓低功耗量程范圍可調(diào)的MEMS微加速度計(jì)接口電路芯片不僅具有很重要的研究意義,而且還有廣泛的市場應(yīng)用效益。本文設(shè)計(jì)是基于微機(jī)械加速度計(jì)的工程應(yīng)用目的,首先介紹了MEMS加速度傳感器的相關(guān)研究背景及應(yīng)用,然后就傳統(tǒng)的MEMS加速度計(jì)接口電路芯片架構(gòu)中機(jī)械傳感電容、電荷電壓轉(zhuǎn)換器及Sigma Delta Modulators三個(gè)主要電路模塊的原理進(jìn)行了分析推導(dǎo),并分析了電路中存在的噪聲及失調(diào)等一些非理想因素。基于以上介紹和分析,根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)要求,采用全差分開關(guān)電容式開環(huán)電路結(jié)構(gòu)來設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)該款低壓低功耗加速度計(jì)接口檢測電路芯片,其不僅可以降低芯片系統(tǒng)功耗,而且有助于減小偶次諧波失真,抑制共模干擾及時(shí)鐘饋通效應(yīng);用Verilog-A對機(jī)械傳感電容部分進(jìn)行行為級...
【文章來源】:西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:95 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
基準(zhǔn)電流瞬態(tài)仿真波形
由表(4-3)可知,因工藝變化引起典型情況基準(zhǔn)電流變化 20%,對于基準(zhǔn)電流源這是正常的,符合我們設(shè)計(jì)要求。其次,最小電流也是足夠的大不至于被噪聲湮沒。圖4.5 基準(zhǔn)電流的供電電壓 DC 掃描基準(zhǔn)電流隨電壓變化仿真結(jié)果如圖 4.5 所示,在 1.6V-1.98V 電源電壓變化范圍內(nèi),電流相對 1.8V 正常電源電壓下電流 IREF=1.25uA 變化大約 10%。圖4.6 基準(zhǔn)電流溫度掃描基準(zhǔn)電流值隨溫度從-40℃到 125℃變化仿真結(jié)果如圖 4.6 所示,電流最大變化了91.43nA,對于用作電流偏置的基準(zhǔn)電流來說滿足設(shè)計(jì)要求。
基準(zhǔn)電流隨電壓變化仿真結(jié)果如圖 4.5 所示,在 1.6V-1.98V 電源電壓變化范圍內(nèi),電流相對 1.8V 正常電源電壓下電流 IREF=1.25uA 變化大約 10%。圖4.6 基準(zhǔn)電流溫度掃描基準(zhǔn)電流值隨溫度從-40℃到 125℃變化仿真結(jié)果如圖 4.6 所示,電流最大變化了91.43nA,對于用作電流偏置的基準(zhǔn)電流來說滿足設(shè)計(jì)要求。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]微機(jī)械諧振式加速度計(jì)的研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J]. 高楊,雷強(qiáng),趙俊武,呂軍光. 強(qiáng)激光與粒子束. 2017(08)
[2]低熱機(jī)械噪聲MEMS加速度計(jì)設(shè)計(jì)[J]. 楊丹瓊,陳志龍,徐靜,鐘少龍,李四華,吳亞明. 傳感器與微系統(tǒng). 2011(11)
[3]微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的研究現(xiàn)狀和展望[J]. 嚴(yán)宇才,張端. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2011(04)
[4]MEMS加速度計(jì)的發(fā)展趨勢研究[J]. 倪燁,張懷武,鐘智勇. 硅谷. 2010(19)
[5]淺談CMOS模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)的器件匹配方法[J]. 姚芳,李秋利. 集成電路通訊. 2008(04)
[6]淺談CMOS模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)的器件匹配方法[J]. 姚芳,李秋利. 集成電路通訊. 2008 (04)
[7]模擬電路版圖設(shè)計(jì)中的匹配藝術(shù)[J]. 金善子. 中國集成電路. 2006(12)
[8]硅基MEMS加工技術(shù)及其標(biāo)準(zhǔn)工藝研究[J]. 王陽元,武國英,郝一龍,張大成,肖志雄,李婷,張國炳,張錦文. 電子學(xué)報(bào). 2002(11)
博士論文
[1]高精度sigma-delta ADC的研究與設(shè)計(jì)[D]. 吳笑峰.西安電子科技大學(xué) 2009
碩士論文
[1]MEMS電容式加速度計(jì)敏感結(jié)構(gòu)研究[D]. 朱彬彬.杭州電子科技大學(xué) 2017
[2]版圖設(shè)計(jì)對電路設(shè)計(jì)的影響[D]. 羅理達(dá).復(fù)旦大學(xué) 2014
本文編號:3575409
【文章來源】:西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:95 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
基準(zhǔn)電流瞬態(tài)仿真波形
由表(4-3)可知,因工藝變化引起典型情況基準(zhǔn)電流變化 20%,對于基準(zhǔn)電流源這是正常的,符合我們設(shè)計(jì)要求。其次,最小電流也是足夠的大不至于被噪聲湮沒。圖4.5 基準(zhǔn)電流的供電電壓 DC 掃描基準(zhǔn)電流隨電壓變化仿真結(jié)果如圖 4.5 所示,在 1.6V-1.98V 電源電壓變化范圍內(nèi),電流相對 1.8V 正常電源電壓下電流 IREF=1.25uA 變化大約 10%。圖4.6 基準(zhǔn)電流溫度掃描基準(zhǔn)電流值隨溫度從-40℃到 125℃變化仿真結(jié)果如圖 4.6 所示,電流最大變化了91.43nA,對于用作電流偏置的基準(zhǔn)電流來說滿足設(shè)計(jì)要求。
基準(zhǔn)電流隨電壓變化仿真結(jié)果如圖 4.5 所示,在 1.6V-1.98V 電源電壓變化范圍內(nèi),電流相對 1.8V 正常電源電壓下電流 IREF=1.25uA 變化大約 10%。圖4.6 基準(zhǔn)電流溫度掃描基準(zhǔn)電流值隨溫度從-40℃到 125℃變化仿真結(jié)果如圖 4.6 所示,電流最大變化了91.43nA,對于用作電流偏置的基準(zhǔn)電流來說滿足設(shè)計(jì)要求。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]微機(jī)械諧振式加速度計(jì)的研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J]. 高楊,雷強(qiáng),趙俊武,呂軍光. 強(qiáng)激光與粒子束. 2017(08)
[2]低熱機(jī)械噪聲MEMS加速度計(jì)設(shè)計(jì)[J]. 楊丹瓊,陳志龍,徐靜,鐘少龍,李四華,吳亞明. 傳感器與微系統(tǒng). 2011(11)
[3]微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的研究現(xiàn)狀和展望[J]. 嚴(yán)宇才,張端. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2011(04)
[4]MEMS加速度計(jì)的發(fā)展趨勢研究[J]. 倪燁,張懷武,鐘智勇. 硅谷. 2010(19)
[5]淺談CMOS模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)的器件匹配方法[J]. 姚芳,李秋利. 集成電路通訊. 2008(04)
[6]淺談CMOS模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)的器件匹配方法[J]. 姚芳,李秋利. 集成電路通訊. 2008 (04)
[7]模擬電路版圖設(shè)計(jì)中的匹配藝術(shù)[J]. 金善子. 中國集成電路. 2006(12)
[8]硅基MEMS加工技術(shù)及其標(biāo)準(zhǔn)工藝研究[J]. 王陽元,武國英,郝一龍,張大成,肖志雄,李婷,張國炳,張錦文. 電子學(xué)報(bào). 2002(11)
博士論文
[1]高精度sigma-delta ADC的研究與設(shè)計(jì)[D]. 吳笑峰.西安電子科技大學(xué) 2009
碩士論文
[1]MEMS電容式加速度計(jì)敏感結(jié)構(gòu)研究[D]. 朱彬彬.杭州電子科技大學(xué) 2017
[2]版圖設(shè)計(jì)對電路設(shè)計(jì)的影響[D]. 羅理達(dá).復(fù)旦大學(xué) 2014
本文編號:3575409
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