基于HBT工藝的高功率低相位噪聲QVCO
發(fā)布時(shí)間:2022-01-06 23:17
基于Sanan 2μm GaAs HBT工藝,提出了一種差分Colpitts結(jié)構(gòu)的高功率低相位噪聲正交壓控振蕩器(QVCO)。該QVCO采用四只環(huán)形連接的二極管,通過二次諧波反相作用,迫使壓控振蕩器基波正交。該QVCO比傳統(tǒng)串并聯(lián)晶體管耦合電路具有更高的輸出功率和更低的相位噪聲。仿真結(jié)果表明,該QVCO的調(diào)諧范圍為12.98~14.05 GHz。振蕩頻率為13.51 GHz時(shí),輸出信號(hào)功率為12.557 dBm。相位噪聲為-117.795 dBc/Hz@1 MHz。
【文章來源】:微電子學(xué). 2020,50(01)北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
差分螺旋電感
螺旋電感的電感值與頻率的關(guān)系曲線
螺旋電感的Q值與頻率的關(guān)系曲線
本文編號(hào):3573346
【文章來源】:微電子學(xué). 2020,50(01)北大核心
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【部分圖文】:
差分螺旋電感
螺旋電感的電感值與頻率的關(guān)系曲線
螺旋電感的Q值與頻率的關(guān)系曲線
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