TFT混切技術(shù)的干蝕刻制程工藝優(yōu)化研究
發(fā)布時間:2022-01-06 09:38
伴隨TFT-LCD行業(yè)的迅猛發(fā)展,許多新技術(shù)新工藝在LCD面板實(shí)際生產(chǎn)中得到規(guī);膽(yīng)用。為了滿足市場對不同尺寸面板的需求,防止尺寸生產(chǎn)單一化導(dǎo)致實(shí)際產(chǎn)能的浪費(fèi),生產(chǎn)中會應(yīng)用到混切技術(shù)(Multi-Mode Glass,MMG)。MMG混切技術(shù)可以將不同尺寸面板根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格需求混合排版在同一片基板上,避免產(chǎn)品單一化,提高玻璃基板利用率,從而降低生產(chǎn)成本,提高市場競爭力。目前MMG混切技術(shù)已在實(shí)際生產(chǎn)中的得以應(yīng)用,但仍舊存在一些難題,如干蝕刻后的有源層殘留膜厚均一性(a-Si remain U%)不佳,這將會影響產(chǎn)品的電學(xué)性能/產(chǎn)品良率以及產(chǎn)品品質(zhì)等。研究發(fā)現(xiàn)造成此問題的原因是MMG混切產(chǎn)品兩個尺寸的像素密度(Pixels Per Inch,簡稱PPI)和金屬密度差異過大導(dǎo)致負(fù)載效應(yīng)明顯。為了改善此問題,本文從干蝕刻制程面以及設(shè)計(jì)面兩個方面進(jìn)行優(yōu)化。在干蝕刻方面,通過分析有源層殘留膜厚U%來評估MMG混切技術(shù)的影響。通過干蝕刻制程參數(shù)的調(diào)整來優(yōu)化產(chǎn)品的有源層殘留膜厚U%,通過試驗(yàn)設(shè)計(jì)研究干蝕刻參數(shù)對有源層殘留膜厚U%的影響,如氣體壓力、電源功率、蝕刻氣體比例、蝕刻氣體分布等工藝參數(shù)對蝕刻...
【文章來源】:華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:64 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
MMG示意圖
圖 1-2.不同尺寸混合排版設(shè)計(jì)Figure 1-2 Different size mixed typesetting designFT-LCD 制程及顯示原理FT-LCD 是 21 世紀(jì)電子信息產(chǎn)業(yè)最重要的技術(shù)之一,取代了傳統(tǒng)的 CRT 技術(shù)息技術(shù)、促進(jìn)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展、優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)等方面起了重要作用[1].
2圖 1-4 TFT-LCD 分辨率的發(fā)展趨勢[2]Figure 1-4 TFT-LCD development trend of resolution自 TFT-LCD 的迅猛發(fā)展,人們對于其分辨率的要求也越來越高,大尺寸、高目前液晶顯示器最為重要的兩個發(fā)展方向[3]。其玻璃基板的面積也由最*350 mm2發(fā)展到目前普及的 2600*3000mm2。在 2012 年 3 月,華星光電自主研球最大的 110 吋四倍全高清 3D LCD -“中華之星”,是中國在顯示界的一大創(chuàng)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]TFT有源層刻蝕均一性和電學(xué)性質(zhì)的研究[J]. 王守坤,袁劍峰,郭總杰,郭會斌,劉杰,鄭云友,贠向南,李升玄,邵喜斌. 液晶與顯示. 2015(05)
[2]有源層刻蝕工藝優(yōu)化對TFT-LCD品質(zhì)的影響[J]. 李田生,謝振宇,李婧,閻長江,徐少穎,陳旭,閔泰燁. 液晶與顯示. 2013(05)
[3]a-Si厚度對TFT開關(guān)特性的影響[J]. 閆方亮,沈世妃,侯智,劉祖宏,鄭載潤,劉鋒,李斗熙. 現(xiàn)代顯示. 2011(07)
[4]矩形光場LED一次透鏡光學(xué)設(shè)計(jì)[J]. 夏勛力,余彬海,梁麗芳. 半導(dǎo)體光電. 2010(05)
[5]等離子體刻蝕工藝的優(yōu)化研究[J]. 王曉光,朱曉明,尹延昭. 中國新技術(shù)新產(chǎn)品. 2010(14)
[6]一種用于TFT-LCD液晶顯示的片內(nèi)門寬調(diào)制控制器的設(shè)計(jì)[J]. 葉強(qiáng),來新泉,陳富吉,李演明,袁冰. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2008(08)
[7]a-Silicon剩余厚度和TFT特性的關(guān)系研究[J]. 鄭載潤,崔捷,董宜萍,李偉,李正勳,李斗熙. 現(xiàn)代顯示. 2008(08)
[8]國內(nèi)外TFT-LCD產(chǎn)業(yè)的發(fā)展[J]. 孫政民. 電子產(chǎn)品世界. 2004(13)
博士論文
[1]TFT-LCD低功耗多輸出電源管理芯片的研究與實(shí)現(xiàn)[D]. 葉強(qiáng).西安電子科技大學(xué) 2009
[2]TFT-LCD驅(qū)動技術(shù)的研究[D]. 楊虹.中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 2000
碩士論文
[1]基于圖像處理的小尺寸液晶屏顯示缺陷智能檢測[D]. 裴文芳.吉林大學(xué) 2015
本文編號:3572213
【文章來源】:華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:64 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
MMG示意圖
圖 1-2.不同尺寸混合排版設(shè)計(jì)Figure 1-2 Different size mixed typesetting designFT-LCD 制程及顯示原理FT-LCD 是 21 世紀(jì)電子信息產(chǎn)業(yè)最重要的技術(shù)之一,取代了傳統(tǒng)的 CRT 技術(shù)息技術(shù)、促進(jìn)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展、優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)等方面起了重要作用[1].
2圖 1-4 TFT-LCD 分辨率的發(fā)展趨勢[2]Figure 1-4 TFT-LCD development trend of resolution自 TFT-LCD 的迅猛發(fā)展,人們對于其分辨率的要求也越來越高,大尺寸、高目前液晶顯示器最為重要的兩個發(fā)展方向[3]。其玻璃基板的面積也由最*350 mm2發(fā)展到目前普及的 2600*3000mm2。在 2012 年 3 月,華星光電自主研球最大的 110 吋四倍全高清 3D LCD -“中華之星”,是中國在顯示界的一大創(chuàng)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]TFT有源層刻蝕均一性和電學(xué)性質(zhì)的研究[J]. 王守坤,袁劍峰,郭總杰,郭會斌,劉杰,鄭云友,贠向南,李升玄,邵喜斌. 液晶與顯示. 2015(05)
[2]有源層刻蝕工藝優(yōu)化對TFT-LCD品質(zhì)的影響[J]. 李田生,謝振宇,李婧,閻長江,徐少穎,陳旭,閔泰燁. 液晶與顯示. 2013(05)
[3]a-Si厚度對TFT開關(guān)特性的影響[J]. 閆方亮,沈世妃,侯智,劉祖宏,鄭載潤,劉鋒,李斗熙. 現(xiàn)代顯示. 2011(07)
[4]矩形光場LED一次透鏡光學(xué)設(shè)計(jì)[J]. 夏勛力,余彬海,梁麗芳. 半導(dǎo)體光電. 2010(05)
[5]等離子體刻蝕工藝的優(yōu)化研究[J]. 王曉光,朱曉明,尹延昭. 中國新技術(shù)新產(chǎn)品. 2010(14)
[6]一種用于TFT-LCD液晶顯示的片內(nèi)門寬調(diào)制控制器的設(shè)計(jì)[J]. 葉強(qiáng),來新泉,陳富吉,李演明,袁冰. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2008(08)
[7]a-Silicon剩余厚度和TFT特性的關(guān)系研究[J]. 鄭載潤,崔捷,董宜萍,李偉,李正勳,李斗熙. 現(xiàn)代顯示. 2008(08)
[8]國內(nèi)外TFT-LCD產(chǎn)業(yè)的發(fā)展[J]. 孫政民. 電子產(chǎn)品世界. 2004(13)
博士論文
[1]TFT-LCD低功耗多輸出電源管理芯片的研究與實(shí)現(xiàn)[D]. 葉強(qiáng).西安電子科技大學(xué) 2009
[2]TFT-LCD驅(qū)動技術(shù)的研究[D]. 楊虹.中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 2000
碩士論文
[1]基于圖像處理的小尺寸液晶屏顯示缺陷智能檢測[D]. 裴文芳.吉林大學(xué) 2015
本文編號:3572213
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