基于CRLH-TL的5G通信系統(tǒng)Doherty功率放大器研究
發(fā)布時間:2022-01-05 06:49
隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展,信號調(diào)制方式也越來越復雜,系統(tǒng)的傳輸帶寬和信號的峰均比逐漸增加。Doherty功放具有線性度高的特點,相比于其他功放,Doherty功放對高峰均比信號具有很好的效率改善作用的優(yōu)勢,已成為5G通信基站中功放提升效率的主要技術(shù)之一。但是,傳統(tǒng)Doherty功放的電路結(jié)構(gòu)主要采用λ/4阻抗線和多節(jié)微帶線構(gòu)成的匹配電路,使得Doherty功放頻帶特性較窄、匹配電路尺寸過大,不利于其滿足當今5G通信系統(tǒng)追求寬帶與小型化發(fā)展的需要。針對此情況,本論文對CRLH-TL(Compound Left and Right Handed Transmission Line,復合左右手傳輸線)電路在Doherty功放中的應用設計和電路特性進行了研究。論文首先對CRLH-TL單元電路特性進行了分析,推導出CRLH-TL單元微帶形式的等效電路,并將其應用于功放的匹配電路,完成基于CRLH-TL單元電路的寬帶功放的設計;其次研究了Doherty功放帶寬的限制因素,將雙頻特性的CRLH-TL單元電路應用于雙頻Doherty功放的設計中;最后研究了CRLH-TL單元簡化電路結(jié)構(gòu)的寬帶匹配網(wǎng)絡,完...
【文章來源】:電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:90 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
寬帶功放掃頻特性曲線
電子科技大學碩士學位論文38圖3-22兩款寬帶功放掃頻特性對比圖在完成版圖仿真后進行實物加工,設計采用羅杰斯4350B板材,板材介質(zhì)參數(shù)與版圖仿真時一致,最后對其進行沈金處理。輸入輸出兩端均采用SMA接頭,且在偏置電路兩段以及輸入輸出兩端均添加了一段延長線用來當成焊盤,散熱片與過孔均金屬化,并在散熱片中間挖槽以便用來放置晶體管,最后實物圖如圖3-23所示。圖3-23基于CRLH-TL單元的寬帶功放實物圖測試前對晶體管進行靜態(tài)工作點測試,由晶體管數(shù)據(jù)手冊可知,柵壓的電壓范圍為-10~+2V,漏壓的最大電壓不超過84V。首先用萬用表測試晶體管柵源之間的阻抗為17.39kΩ,漏源之間阻抗為1.3Ω,表明晶體管是無損可用的。設晶體管柵壓-4V,漏壓為28V,此時漏壓無電流輸出;慢慢增大晶體管柵壓到工作電壓-2.8V,此時漏極電流慢慢增大到0.19A,表明晶體管處于工作狀態(tài),便可以對功放進行下一步測試。
電子科技大學碩士學位論文38圖3-22兩款寬帶功放掃頻特性對比圖在完成版圖仿真后進行實物加工,設計采用羅杰斯4350B板材,板材介質(zhì)參數(shù)與版圖仿真時一致,最后對其進行沈金處理。輸入輸出兩端均采用SMA接頭,且在偏置電路兩段以及輸入輸出兩端均添加了一段延長線用來當成焊盤,散熱片與過孔均金屬化,并在散熱片中間挖槽以便用來放置晶體管,最后實物圖如圖3-23所示。圖3-23基于CRLH-TL單元的寬帶功放實物圖測試前對晶體管進行靜態(tài)工作點測試,由晶體管數(shù)據(jù)手冊可知,柵壓的電壓范圍為-10~+2V,漏壓的最大電壓不超過84V。首先用萬用表測試晶體管柵源之間的阻抗為17.39kΩ,漏源之間阻抗為1.3Ω,表明晶體管是無損可用的。設晶體管柵壓-4V,漏壓為28V,此時漏壓無電流輸出;慢慢增大晶體管柵壓到工作電壓-2.8V,此時漏極電流慢慢增大到0.19A,表明晶體管處于工作狀態(tài),便可以對功放進行下一步測試。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]CRLH-TL引領(lǐng)未來多頻帶小型化低損耗傳輸新變革[J]. 吳群,王琮,劉福興. 微波學報. 2020(01)
[2]基于寬頻比的雙頻Wilkinson功分器小型化設計[J]. 李博博,王梓丞,郭慶功. 通信技術(shù). 2019(03)
碩士論文
[1]開關(guān)類射頻功率放大器波形研究[D]. 齊沖沖.電子科技大學 2019
[2]高效率雙頻Doherty功率放大器的研究與設計[D]. 林俊男.華南理工大學 2018
[3]基于復合左右手傳輸線的波束掃描天線[D]. 馮佳欣.電子科技大學 2018
[4]面向5G通信系統(tǒng)的寬帶高效功率放大器的研究[D]. 張敏.電子科技大學 2018
[5]超材料微波帶通濾波器的仿真設計與實驗研究[D]. 付文悅.中國礦業(yè)大學 2017
[6]基于實頻技術(shù)1.6-2.4GHz F類功放的設計與實現(xiàn)[D]. 張運.電子科技大學 2015
[7]人工材料在微帶濾波器中的應用研究[D]. 管偉.重慶大學 2013
本文編號:3569950
【文章來源】:電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:90 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
寬帶功放掃頻特性曲線
電子科技大學碩士學位論文38圖3-22兩款寬帶功放掃頻特性對比圖在完成版圖仿真后進行實物加工,設計采用羅杰斯4350B板材,板材介質(zhì)參數(shù)與版圖仿真時一致,最后對其進行沈金處理。輸入輸出兩端均采用SMA接頭,且在偏置電路兩段以及輸入輸出兩端均添加了一段延長線用來當成焊盤,散熱片與過孔均金屬化,并在散熱片中間挖槽以便用來放置晶體管,最后實物圖如圖3-23所示。圖3-23基于CRLH-TL單元的寬帶功放實物圖測試前對晶體管進行靜態(tài)工作點測試,由晶體管數(shù)據(jù)手冊可知,柵壓的電壓范圍為-10~+2V,漏壓的最大電壓不超過84V。首先用萬用表測試晶體管柵源之間的阻抗為17.39kΩ,漏源之間阻抗為1.3Ω,表明晶體管是無損可用的。設晶體管柵壓-4V,漏壓為28V,此時漏壓無電流輸出;慢慢增大晶體管柵壓到工作電壓-2.8V,此時漏極電流慢慢增大到0.19A,表明晶體管處于工作狀態(tài),便可以對功放進行下一步測試。
電子科技大學碩士學位論文38圖3-22兩款寬帶功放掃頻特性對比圖在完成版圖仿真后進行實物加工,設計采用羅杰斯4350B板材,板材介質(zhì)參數(shù)與版圖仿真時一致,最后對其進行沈金處理。輸入輸出兩端均采用SMA接頭,且在偏置電路兩段以及輸入輸出兩端均添加了一段延長線用來當成焊盤,散熱片與過孔均金屬化,并在散熱片中間挖槽以便用來放置晶體管,最后實物圖如圖3-23所示。圖3-23基于CRLH-TL單元的寬帶功放實物圖測試前對晶體管進行靜態(tài)工作點測試,由晶體管數(shù)據(jù)手冊可知,柵壓的電壓范圍為-10~+2V,漏壓的最大電壓不超過84V。首先用萬用表測試晶體管柵源之間的阻抗為17.39kΩ,漏源之間阻抗為1.3Ω,表明晶體管是無損可用的。設晶體管柵壓-4V,漏壓為28V,此時漏壓無電流輸出;慢慢增大晶體管柵壓到工作電壓-2.8V,此時漏極電流慢慢增大到0.19A,表明晶體管處于工作狀態(tài),便可以對功放進行下一步測試。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]CRLH-TL引領(lǐng)未來多頻帶小型化低損耗傳輸新變革[J]. 吳群,王琮,劉福興. 微波學報. 2020(01)
[2]基于寬頻比的雙頻Wilkinson功分器小型化設計[J]. 李博博,王梓丞,郭慶功. 通信技術(shù). 2019(03)
碩士論文
[1]開關(guān)類射頻功率放大器波形研究[D]. 齊沖沖.電子科技大學 2019
[2]高效率雙頻Doherty功率放大器的研究與設計[D]. 林俊男.華南理工大學 2018
[3]基于復合左右手傳輸線的波束掃描天線[D]. 馮佳欣.電子科技大學 2018
[4]面向5G通信系統(tǒng)的寬帶高效功率放大器的研究[D]. 張敏.電子科技大學 2018
[5]超材料微波帶通濾波器的仿真設計與實驗研究[D]. 付文悅.中國礦業(yè)大學 2017
[6]基于實頻技術(shù)1.6-2.4GHz F類功放的設計與實現(xiàn)[D]. 張運.電子科技大學 2015
[7]人工材料在微帶濾波器中的應用研究[D]. 管偉.重慶大學 2013
本文編號:3569950
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