納米纖維（NFs）由于其獨特的形貌結構,具有大比表面積、固定電子傳輸路徑等優(yōu)點,被廣泛應用于光電、儲能、電子等領域。靜電紡絲技術由于在生產(chǎn)過程中不需要復雜的生產(chǎn)環(huán)境、可大面積制備等優(yōu)點,被廣泛用于制備各種材料的一維納米纖維。本文基于靜電紡絲技術,以提高場效應晶體管（FET）電學性能和降低成本為目的,制備出高性能、低功耗的場效應晶體管。本文主要研究內(nèi)容和結果如下:（1）我們利用靜電紡絲工藝制備了Al、Ga、Cr大比例摻雜的In₂O₃納米纖維（NFs）場效應晶體管。Al、Ga、Cr元素的大比例摻雜既可以提高器件的電學性能,又能降低In的使用量。在最佳摻雜濃度10 mol%時,器件具有優(yōu)異的電學性能:開關電流比～10⁸,開態(tài)電流～10^-4 A,閾值電壓<6 V。在用高κ介電材料Al₂O₃代替SiO₂后,降低了器件的功耗,操作電壓由30 V降低為3 V,同時電子遷移率由2 cm²V^-1s

【文章來源】：青島大學山東省

【文章頁數(shù)】：47 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

靜電紡絲裝置示意圖[12]

(a)、(b)、(c)分別是不同摻雜量的Al-In2O

(a)In2O3(b)5mol%Al-In2O3(c)10mol%Al-In2O3(d)15mol%Al-In2O3XPS表征

【參考文獻】：
期刊論文
[1]Flexible Conductive Anodes Based on 3D Hierarchical Sn/NS?CNFs@rGO Network for Sodium?Ion Batteries[J]. Linqu Luo,Jianjun Song,Longfei Song,Hongchao Zhang,Yicheng Bi,Lei Liu,Longwei Yin,Fengyun Wang,Guoxiu Wang.  Nano-Micro Letters. 2019(04)
[2]基于ZnO活性層薄膜晶體管的研究進展[J]. 許洪華,陳躍寧,袁廣才.  沈陽師范大學學報(自然科學版). 2007(01)

碩士論文
[1]TiZnSnO非晶氧化物半導體薄膜制備及應用研究[D]. 孫汝杰.浙江大學 2015



本文編號：3569484