InGaN基量子阱作為太陽(yáng)電池器件的有源區(qū)時(shí),壘層厚度設(shè)計(jì)以及實(shí)際生長(zhǎng)對(duì)其光學(xué)特性的影響極為重要。采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOVCD）技術(shù),在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)了壘層厚度較厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射線衍射和變溫光致發(fā)光譜研究了壘層厚度對(duì)InGaN多量子阱太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)的界面質(zhì)量、量子限制效應(yīng)及其光學(xué)特性的影響。較厚壘層的InGaN/GaN多量子阱的周期重復(fù)性和界面品質(zhì)較好,這可能與壘層較薄時(shí)對(duì)量子阱的生長(zhǎng)影響有關(guān)。同時(shí),厚壘層InGaN/GaN多量子阱的光致發(fā)光光譜峰位隨溫度升高呈現(xiàn)更為明顯的"S"形（紅移-藍(lán)移-紅移）變化,表現(xiàn)出更強(qiáng)的局域化程度和更高的內(nèi)量子效率。 

【文章來(lái)源】：半導(dǎo)體光電. 2017,38(05)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3568323