超聲輔助陽(yáng)極鍵合工藝機(jī)理及試驗(yàn)研究
發(fā)布時(shí)間:2022-01-02 22:28
陽(yáng)極鍵合是MEMS封裝中的關(guān)鍵技術(shù)之一,因其封裝性能高、密封性好、成本低以及可連接異質(zhì)材料的特點(diǎn),廣泛的應(yīng)用于微機(jī)電系統(tǒng)中的微型陀螺儀、微型電磁場(chǎng)傳感器、濾波器、加速度傳感器、能量采集器等。但在目前的陽(yáng)極鍵合工藝中,因鍵合溫度較高,容易引起材料熱膨脹系數(shù)不匹配、產(chǎn)生殘余應(yīng)力等問(wèn)題。針對(duì)于這些問(wèn)題,在分析超聲在機(jī)械加工中的應(yīng)用后,創(chuàng)造性的將超聲應(yīng)用到MEMS封裝中的陽(yáng)極鍵合工藝中來(lái),提出了超聲輔助陽(yáng)極鍵合工藝方法。通過(guò)研究普通陽(yáng)極鍵合的機(jī)理,深入分析各個(gè)試驗(yàn)條件對(duì)陽(yáng)極鍵合質(zhì)量的影響,通過(guò)試驗(yàn)研究,結(jié)合超聲能量的傳導(dǎo),探究在復(fù)合條件作用下各個(gè)參數(shù)與陽(yáng)極鍵合質(zhì)量之間的關(guān)系,為低溫陽(yáng)極鍵合提供工藝支撐基礎(chǔ)。全文具體研究如下:首先,對(duì)傳統(tǒng)陽(yáng)極鍵合的工藝機(jī)理進(jìn)行了研究,分析了陽(yáng)極鍵合中溫度對(duì)材料電阻率的影響、研究了電場(chǎng)作用下離子遷移的過(guò)程,分析了溫度和電壓對(duì)陽(yáng)極鍵合的影響,在此基礎(chǔ)上,研究了材料的壓電效應(yīng),通過(guò)在壓電材料(壓電陶瓷)的外表面施加激勵(lì)信號(hào),從而激發(fā)其逆壓電效應(yīng),將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能。通過(guò)對(duì)超聲振動(dòng)的粘滯效應(yīng)致熱和摩擦致熱兩種致熱效應(yīng)的研究,得出了超聲振動(dòng)的摩擦致熱可以更好的使摩擦界面的...
【文章來(lái)源】:山東理工大學(xué)山東省
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
MEMS工藝的應(yīng)用Fig.1.1Applicationofanodicbondingprocess
學(xué)位論文 第,能夠有效的提升器件的壽命。對(duì)于一些微流體中的閥門(mén)和微流可靠的真空密封性能。對(duì)于一些涉及到信號(hào)的采集與傳輸?shù)钠骷N可能的機(jī)械和環(huán)境方面的侵害,保證良好的信號(hào)傳輸與轉(zhuǎn)換。雜化、尺寸微型化、低功耗以及輕薄化的方向發(fā)展,封裝對(duì)器件分重要的作用。微電子封裝已經(jīng)成為制造大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵
山東理工大學(xué)碩士學(xué)位論文 第一章 緒論4圖1.3 基于激光加熱的鍵合平臺(tái)系統(tǒng)示意圖[18]Fig. 1.3 Systematic schematic diagram of bonding platform based on laser heating[18]西南科技大學(xué)的李秀麗[19]等針對(duì)微晶玻璃與不銹鋼陽(yáng)極鍵合失效的問(wèn)題進(jìn)行了模擬與實(shí)驗(yàn)研究,探究了熱傳導(dǎo)方式對(duì)殘余應(yīng)力分布重要影響,并得出了擴(kuò)散層的深度與鍵和時(shí)間平方根成正比的結(jié)論。南京師范大學(xué)的張強(qiáng)等[20]針對(duì)材料之間因熱膨脹系數(shù)失配而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力進(jìn)行了仿真及試驗(yàn)研究。結(jié)果表明,材料在陽(yáng)極鍵合中會(huì)產(chǎn)生熱彎曲,使形狀發(fā)生改變,從而引起鍵合后的器件的誤差。認(rèn)為要選擇合適的鍵合溫度,以降低對(duì)器件封裝性能的影響。在進(jìn)行鍵合材料的研究上,哈工大的麥成樂(lè)等[21]通過(guò)設(shè)計(jì)材料三元體系制備了一種玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較低的鉍硼硅無(wú)鉛低熔點(diǎn)玻璃。在燒結(jié)溫度 440℃,保溫時(shí)間為 30 min時(shí),獲得的接頭鍵合強(qiáng)度最高可達(dá) 4.5MPa。武漢理工大學(xué)的章釗等[22]人采用自制 LAS微晶玻璃與硅片進(jìn)行陽(yáng)極鍵合,研究了玻璃晶體在鍵合過(guò)程中的作用,并利用掃描電鏡和衍射分析儀等對(duì)鍵合中間層進(jìn)行了微觀結(jié)構(gòu)的分析。在通電方式的選擇上
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]鋁/銅異種金屬超聲波焊接工藝優(yōu)化[J]. 馬成勇,韓玉民,敖三三,齊寶鑫,張威,羅震. 焊接技術(shù). 2018(05)
[2]壓電雙晶梁MEMS傳感器的穩(wěn)健設(shè)計(jì)研究[J]. 李豐,譚曉蘭,王通塵. 壓電與聲光. 2018(01)
[3]超聲振動(dòng)聚合物界面摩擦生熱仿真分析[J]. 張慶輝,萬(wàn)晨霞,田海港. 現(xiàn)代塑料加工應(yīng)用. 2017(06)
[4]微晶玻璃與不銹鋼陽(yáng)極鍵合殘余應(yīng)力分析[J]. 李麗秀,龔偉,王恩澤,王麗閣. 機(jī)械設(shè)計(jì)與制造. 2017(S1)
[5]介質(zhì)阻擋放電電壓對(duì)陽(yáng)極鍵合材料表面性能的影響[J]. 方智立,潘明強(qiáng),李正潮,陳立國(guó). 科學(xué)技術(shù)與工程. 2017(16)
[6]基于UV光照射在硅片表面活化的陽(yáng)極鍵合工藝研究[J]. 李星,陳立國(guó),王陽(yáng)俊. 科學(xué)技術(shù)與工程. 2017(02)
[7]Al/Ni異種金屬超聲波點(diǎn)動(dòng)焊接工藝及界面組織分析[J]. 崔慶波,李玉龍,胡瑢華,胡小武. 焊接學(xué)報(bào). 2016(11)
[8]陽(yáng)極鍵合強(qiáng)度對(duì)高g加速度傳感器輸出特性影響[J]. 馮恒振,秦麗,石云波,連樹(shù)仁,孫亞楠. 微納電子技術(shù). 2016(11)
[9]金屬超聲波增材制造技術(shù)的發(fā)展[J]. 李鵬,焦飛飛,劉郢,劉曉兵,果春煥,姜風(fēng)春. 航空制造技術(shù). 2016(12)
[10]低溫陽(yáng)極鍵合工藝研究[J]. 姚明秋,李玉萍,唐彬,蘇偉,陳穎慧. 太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報(bào). 2014(06)
博士論文
[1]微機(jī)電系統(tǒng)低溫陽(yáng)極鍵合用微晶玻璃的研究[D]. 李宏.武漢理工大學(xué) 2008
[2]基于感應(yīng)加熱的MEMS封裝技術(shù)與應(yīng)用研究[D]. 陳明祥.華中科技大學(xué) 2006
碩士論文
[1]MEMS傳感器三維引線鍵合系統(tǒng)研制[D]. 莊猛.蘇州大學(xué) 2016
[2]硅/微晶玻璃陽(yáng)極鍵合機(jī)理的研究[D]. 章釗.武漢理工大學(xué) 2010
[3]超聲波塑料焊接機(jī)理和工藝試驗(yàn)研究[D]. 劉川.大連理工大學(xué) 2003
本文編號(hào):3564998
【文章來(lái)源】:山東理工大學(xué)山東省
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
MEMS工藝的應(yīng)用Fig.1.1Applicationofanodicbondingprocess
學(xué)位論文 第,能夠有效的提升器件的壽命。對(duì)于一些微流體中的閥門(mén)和微流可靠的真空密封性能。對(duì)于一些涉及到信號(hào)的采集與傳輸?shù)钠骷N可能的機(jī)械和環(huán)境方面的侵害,保證良好的信號(hào)傳輸與轉(zhuǎn)換。雜化、尺寸微型化、低功耗以及輕薄化的方向發(fā)展,封裝對(duì)器件分重要的作用。微電子封裝已經(jīng)成為制造大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵
山東理工大學(xué)碩士學(xué)位論文 第一章 緒論4圖1.3 基于激光加熱的鍵合平臺(tái)系統(tǒng)示意圖[18]Fig. 1.3 Systematic schematic diagram of bonding platform based on laser heating[18]西南科技大學(xué)的李秀麗[19]等針對(duì)微晶玻璃與不銹鋼陽(yáng)極鍵合失效的問(wèn)題進(jìn)行了模擬與實(shí)驗(yàn)研究,探究了熱傳導(dǎo)方式對(duì)殘余應(yīng)力分布重要影響,并得出了擴(kuò)散層的深度與鍵和時(shí)間平方根成正比的結(jié)論。南京師范大學(xué)的張強(qiáng)等[20]針對(duì)材料之間因熱膨脹系數(shù)失配而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力進(jìn)行了仿真及試驗(yàn)研究。結(jié)果表明,材料在陽(yáng)極鍵合中會(huì)產(chǎn)生熱彎曲,使形狀發(fā)生改變,從而引起鍵合后的器件的誤差。認(rèn)為要選擇合適的鍵合溫度,以降低對(duì)器件封裝性能的影響。在進(jìn)行鍵合材料的研究上,哈工大的麥成樂(lè)等[21]通過(guò)設(shè)計(jì)材料三元體系制備了一種玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較低的鉍硼硅無(wú)鉛低熔點(diǎn)玻璃。在燒結(jié)溫度 440℃,保溫時(shí)間為 30 min時(shí),獲得的接頭鍵合強(qiáng)度最高可達(dá) 4.5MPa。武漢理工大學(xué)的章釗等[22]人采用自制 LAS微晶玻璃與硅片進(jìn)行陽(yáng)極鍵合,研究了玻璃晶體在鍵合過(guò)程中的作用,并利用掃描電鏡和衍射分析儀等對(duì)鍵合中間層進(jìn)行了微觀結(jié)構(gòu)的分析。在通電方式的選擇上
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]鋁/銅異種金屬超聲波焊接工藝優(yōu)化[J]. 馬成勇,韓玉民,敖三三,齊寶鑫,張威,羅震. 焊接技術(shù). 2018(05)
[2]壓電雙晶梁MEMS傳感器的穩(wěn)健設(shè)計(jì)研究[J]. 李豐,譚曉蘭,王通塵. 壓電與聲光. 2018(01)
[3]超聲振動(dòng)聚合物界面摩擦生熱仿真分析[J]. 張慶輝,萬(wàn)晨霞,田海港. 現(xiàn)代塑料加工應(yīng)用. 2017(06)
[4]微晶玻璃與不銹鋼陽(yáng)極鍵合殘余應(yīng)力分析[J]. 李麗秀,龔偉,王恩澤,王麗閣. 機(jī)械設(shè)計(jì)與制造. 2017(S1)
[5]介質(zhì)阻擋放電電壓對(duì)陽(yáng)極鍵合材料表面性能的影響[J]. 方智立,潘明強(qiáng),李正潮,陳立國(guó). 科學(xué)技術(shù)與工程. 2017(16)
[6]基于UV光照射在硅片表面活化的陽(yáng)極鍵合工藝研究[J]. 李星,陳立國(guó),王陽(yáng)俊. 科學(xué)技術(shù)與工程. 2017(02)
[7]Al/Ni異種金屬超聲波點(diǎn)動(dòng)焊接工藝及界面組織分析[J]. 崔慶波,李玉龍,胡瑢華,胡小武. 焊接學(xué)報(bào). 2016(11)
[8]陽(yáng)極鍵合強(qiáng)度對(duì)高g加速度傳感器輸出特性影響[J]. 馮恒振,秦麗,石云波,連樹(shù)仁,孫亞楠. 微納電子技術(shù). 2016(11)
[9]金屬超聲波增材制造技術(shù)的發(fā)展[J]. 李鵬,焦飛飛,劉郢,劉曉兵,果春煥,姜風(fēng)春. 航空制造技術(shù). 2016(12)
[10]低溫陽(yáng)極鍵合工藝研究[J]. 姚明秋,李玉萍,唐彬,蘇偉,陳穎慧. 太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報(bào). 2014(06)
博士論文
[1]微機(jī)電系統(tǒng)低溫陽(yáng)極鍵合用微晶玻璃的研究[D]. 李宏.武漢理工大學(xué) 2008
[2]基于感應(yīng)加熱的MEMS封裝技術(shù)與應(yīng)用研究[D]. 陳明祥.華中科技大學(xué) 2006
碩士論文
[1]MEMS傳感器三維引線鍵合系統(tǒng)研制[D]. 莊猛.蘇州大學(xué) 2016
[2]硅/微晶玻璃陽(yáng)極鍵合機(jī)理的研究[D]. 章釗.武漢理工大學(xué) 2010
[3]超聲波塑料焊接機(jī)理和工藝試驗(yàn)研究[D]. 劉川.大連理工大學(xué) 2003
本文編號(hào):3564998
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